电子装置的制作方法

电子装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年6月22日在韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2020-0075877号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
3.在本文中本公开涉及一种具有改善的感测灵敏度的电子装置。


背景技术：

4.电子装置可以感测从所述电子装置的外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括各种类型的外部输入，诸如用户身体的部分、光、热、笔或压力等。电子装置可以使用电磁共振(emr)方法识别笔的坐标，或者可以使用有源静电(aes)方法识别笔的坐标。


技术实现要素：

5.本公开的一个或多个实施例的各方面针对具有改善的感测灵敏度的电子装置。
6.本发明构思的实施例提供一种电子装置，所述电子装置包括：显示层；以及在所述显示层上的传感器层，所述传感器层包括电极和与所述电极交叉的交叉电极。在实施例中，所述电极可以包括在第一方向上彼此间隔开的多个第一部分和在所述多个第一部分之间的多个第二部分，所述交叉电极可以包括在第二方向上彼此间隔开的多个第一交叉部分和在所述多个第一交叉部分之间的多个第二交叉部分，所述第二方向与所述第一方向交叉，所述多个第二部分可以包括在所述第一方向上延伸的第一图案部分和在所述第二方向上延伸的多个第二图案部分，第一开口可以在所述多个第一部分中，第二开口可以在所述第一图案部分中，并且所述第一开口的尺寸可以大于所述第二开口的尺寸。
7.在实施例中，所述多个第一部分、所述多个第二部分、所述多个第一交叉部分和所述多个第二交叉部分可以具有网格结构。
8.在实施例中，所述多个第二交叉部分可以包括：多个第一交叉图案部分，所述多个第一交叉图案部分与所述多个第一交叉部分中的一个的一侧相邻，所述多个第一交叉图案部分在所述第二方向上延伸；以及多个第二交叉图案部分，所述多个第二交叉图案部分与所述多个第一交叉部分中的另一个的另一侧相邻，所述多个第二交叉图案部分在所述第二方向上延伸。
9.在实施例中，所述多个第一交叉图案部分和所述多个第二图案部分可以在所述第一方向上交替地布置，并且所述多个第二交叉图案部分和所述多个第二图案部分可以在所述第一方向上交替地布置。
10.在实施例中，所述交叉电极还可以包括：桥接图案，所述桥接图案在与所述多个第一交叉部分和所述多个第二交叉部分不同的层处，并且所述桥接图案可以在平面图中与所述第一图案部分重叠。
11.在实施例中，所述多个第一图案开口可以在所述多个第一交叉图案部分中，并且所述多个第一图案开口在尺寸上彼此不同。
12.在实施例中，所述多个第一交叉图案部分可以与所述多个第二交叉图案部分关于在所述第一方向上延伸的轴线彼此对称。
13.在实施例中，所述多个第二交叉部分可以与所述多个第二图案部分成叉指结构。
14.在实施例中，所述多个第二图案部分可以关于在所述第二方向上延伸的轴线彼此对称。
15.在实施例中，所述多个第二交叉部分可以包括第一交叉图案部分和第二交叉图案部分，所述第二交叉图案部分与所述第一交叉图案部分间隔开，所述多个第二图案部分中的一个在所述第一交叉图案部分和所述第二交叉图案部分之间，并且所述第一交叉图案部分和所述第二交叉图案部分在形状上彼此不同。
16.在实施例中，所述显示层可以包括多个发射区域，并且所述第二开口可以在平面图中与所述多个发射区域中的至少四个发射区域重叠。
17.在实施例中，所述多个第二交叉部分可以在平面图中与所述第二开口不重叠。
18.在实施例中，第三开口可以在所述多个第二交叉部分中，并且所述多个第二部分可以在平面图中与所述第三开口不重叠。
19.在实施例中，所述多个第二图案部分可以在所述第二方向上从所述第一图案部分突出。
20.在实施例中，所述电极还可以包括从所述多个第一部分分支的多个分支部分，并且所述多个分支部分可以彼此间隔开，所述多个第二部分在所述多个分支部分之间。
21.在实施例中，所述电极还可以包括：多个第三部分，所述多个第三部分与所述多个第二部分间隔开，所述多个第一部分在所述多个第三部分和所述多个第二部分之间，并且所述多个第三部分中的每一个可以具有与所述多个分支部分中的每一个相同的宽度。
22.在实施例中，所述电极还可以包括：多个第三部分，所述多个第三部分与所述多个第二部分间隔开，所述多个第一部分在所述多个第三部分和所述多个第二部分之间，并且所述多个第三部分中的每一个可以具有比所述多个第一部分中的每一个的宽度小的宽度。
23.在实施例中，所述交叉电极还可以包括：多个第一交叉分支部分，所述多个第一交叉分支部分从所述多个第一交叉部分分支；多个第二交叉分支部分，所述多个第二交叉分支部分在所述多个第二交叉部分之间；以及多个第三交叉分支部分，所述多个第三交叉分支部分在所述多个第二交叉分支部分之间。
24.在实施例中，所述多个第三交叉分支部分可以与所述多个分支部分相邻。
25.在本发明构思的实施例中，一种电子装置包括：显示层；以及在所述显示层上的传感器层，所述传感器层包括电极和与所述电极交叉的交叉电极。在实施例中，第一区、在第一方向上与所述第一区相邻的第二区和在第二方向上与所述第一区相邻的第三区可以在所述传感器层中，所述第二方向与所述第一方向交叉，所述电极和所述交叉电极在所述第一区中彼此交叉并且彼此绝缘，第一开口可以在所述电极的位于所述第一区中的第一部分中，并且第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸，并且所述第二开口可以在所述电极的位于所述第二区中的第二部分中。
26.在实施例中，第三开口可以在所述交叉电极的位于所述第一区中的第三部分中，
并且第四开口的尺寸大于所述第三开口的尺寸，并且所述第四开口可以在所述交叉电极的位于所述第三区中的第四部分中。
27.在实施例中，所述电极的所述第一部分可以包括：第一图案部分，所述第一图案部分在所述第一方向上延伸；以及多个第二图案部分，所述多个第二图案部分在所述第二方向上从所述第一图案部分延伸。
28.在实施例中，所述交叉电极的所述第三部分可以包括：多个第一交叉图案部分，所述多个第一交叉图案部分与设置在所述第三区中的所述交叉电极相邻以在所述第二方向上延伸；以及多个第二交叉图案部分，所述多个第二交叉图案部分在所述第二方向上彼此间隔开，所述多个第一交叉图案部分和所述第一图案部分在所述多个第二交叉图案部分之间。
29.在实施例中，所述多个第一交叉图案部分可以在所述第一方向上彼此间隔开，所述多个第二图案部分在所述多个第一交叉图案部分之间，并且所述多个第二交叉图案部分可以在所述第一方向上彼此间隔开，所述多个第二图案部分在所述多个第二交叉图案部分之间。
30.在实施例中，所述交叉电极的所述第三部分还可以包括桥接图案，并且所述桥接图案可以在平面图中与所述第一图案部分重叠。
31.在实施例中，所述交叉电极的所述第三部分可以在平面图中与所述第一开口不重叠。
附图说明
32.包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且附图并入本说明书中并构成本说明书的部分。附图示出本发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
33.图1是根据本发明构思的实施例的电子装置的透视图；
34.图2是示出根据本发明构思的实施例的电子装置和主动笔的示意框图；
35.图3是根据本发明构思的实施例的电子装置的截面图；
36.图4是根据本发明构思的实施例的传感器层的平面图；
37.图5a是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的放大平面图；
38.图5b是根据本发明构思的实施例的沿着图5a的线i-i'截取的截面图；
39.图5c是根据本发明构思的实施例的图5a的区域aa'的放大平面图；
40.图6是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图；
41.图7a是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图；
42.图7b是根据本发明构思的实施例的图7a的区域bb'的放大平面图；
43.图7c是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u1的平面图；
44.图7d是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u1的平面图；
45.图8a是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图；
46.图8b是根据本发明构思的实施例的图8a的区域cc'的放大平面图；
47.图9a是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图；
48.图9b是根据本发明构思的实施例的图9a的区域dd'的放大平面图；以及
49.图10至图16是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。
具体实施方式
50.在本说明书中，还将理解的是，当一个组件(或区、层、部分)称为在另一组件“上”、“连接到”或“耦接到”另一组件时，一个组件可以直接设置在另一组件上、直接连接到或直接耦接到另一组件，或者也可以存在中间第三组件。
51.贯穿全文，相似的附图标记指代相似的元件。而且，在附图中，为了清楚说明起见，可以夸大组件的厚度、比例和尺寸。
52.术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
53.将理解的是，尽管在本文中使用诸如“第一”和“第二”的术语描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件和其它组件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在一个实施例中称为第一元件的元件可以在另一实施例中称为第二元件。除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
54.为了便于描述，在本文中可以使用诸如“在
……
下”、“在
……
之下”、“下(部)”、“在
……
之上”、“上(部)”、“底”和“顶”等的空间相对术语，以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征(另外多个元件或特征)之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的定向以外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为“在”其它元件或特征“之下”或“下”的元件将定向为“在”其它元件或特征“之上”或“上方”。因而，术语“在
……
之下”可以涵盖“在
……
之上”和“在
……
的之下”两个定向。装置可以以其它方式定向(旋转90度或者处于其它定向)，并且在本文中使用的空间相对术语应被相应地解释。
55.如在本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语且不是用作程度术语，并且旨在说明本领域普通技术人员将认可的测量值或计算值的固有偏差。
56.如在本文中所使用的，当在元件列表之前或之后时，诸如
“……
中的至少一个(种)”、
“……
中的一个(种)”和“选自
……”
的表述修饰整个元件列表并且不修饰列表中的各个元件。
57.此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。
58.除非另有定义，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。而且，除非在本文中明确定义，否则术语(诸如在常用词典中定义的术语)将解释为具有与在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义进行解释。
[0059]“包含”或“包括”的含义指定属性、固定数目、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但是不排除其它属性、固定数目、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
[0060]
在下文中，将参考附图描述本发明构思的示例性实施例。
[0061]
图1是根据本发明构思的实施例的电子装置的透视图。
[0062]
参考图1，电子装置1000可以是根据电信号激活的装置。例如，电子装置1000可以是移动电话、平板pc、汽车导航系统、游戏机或可穿戴装置，但是不限于此。图1示出将电子装置1000提供为移动电话的示例。
[0063]
电子装置1000可以通过有源区域1000a显示图像。有源区域1000a可以包括由第一方向dr1和第二方向dr2限定的表面。电子装置1000的厚度方向可以平行于与第一方向dr1和第二方向dr2交叉的第三方向dr3。因而，可以基于第三方向dr3限定构成电子装置1000的构件中的每一个的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。例如，构成电子装置1000的构件中的每一个的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)可以在第三方向dr3上彼此相对。
[0064]
电子装置1000可以感测从电子装置1000的外部施加的输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括各种类型的外部输入，诸如用户的身体的部分、主动笔/有源笔(active pen)2000、光、热或压力。
[0065]
图1中示出的电子装置1000可以感测通过用户的触摸的输入和通过主动笔2000的输入。电子装置1000和主动笔2000可以执行双向通信。电子装置1000可以将上行链路信号(例如，图2中的上行链路信号uls)提供到主动笔2000。例如，上行链路信号可以包括电子装置1000的同步信号或信息，但是不特别限于此。主动笔2000可以将下行链路信号(例如，图2中的下行链路信号dls)提供到电子装置1000。下行链路信号可以包括主动笔2000的同步信号或状态信息。例如，下行链路信号包括主动笔2000的坐标信息、主动笔2000的电池信息、主动笔2000的倾斜信息和/或存储在主动笔2000中或与主动笔2000有关的各种信息，但是不特别限于此。
[0066]
图2是示出根据本发明构思的实施例的电子装置和主动笔的示意框图。
[0067]
参考图2，电子装置1000可以包括显示层100和传感器层200。
[0068]
显示层100可以配置为生成或基本上生成图像。显示层100可以是发射型显示层。例如，显示层100可以是有机发光显示层、量子点显示层、微米led显示层或纳米led显示层。
[0069]
传感器层200可以设置在显示层100上。传感器层200可以感测从外部施加的外部输入。传感器层200可以感测通过用户的身体3000的输入和通过主动笔2000的输入两者。
[0070]
传感器层200可以通过时分驱动操作。例如，传感器层200可以在第一模式和第二模式中交替重复地被驱动。第一模式可以是用于感测通过用户的身体3000的输入的模式，并且第二模式可以是用于感测通过主动笔2000的输入的模式。
[0071]
当第二模式开始时，传感器层200可以将上行链路信号uls提供到主动笔2000。当主动笔2000接收上行链路信号uls并且与电子装置1000同步时，主动笔2000可以将下行链路信号dls提供到传感器层200。
[0072]
主动笔2000可以包括电源2100、存储器2200、控制单元2300、发送单元2400、接收单元2500和电极2600。然而，构成主动笔2000的组件不限于上面列出的组件。例如，主动笔2000还可以包括用于将电极2600转换到信号发送模式或信号接收模式的电极开关、用于感测压力的压力传感器或用于感测旋转的旋转传感器等。
[0073]
电源2100可以包括向主动笔2000供电的电池或大容量电容器。存储器2200可以存储主动笔2000的功能信息。控制单元2300可以控制主动笔2000的操作。发送单元2400和接收单元2500中的每一个可以通过电极2600与电子装置1000通信。发送单元2400可以称为信号发生器或发送电路，并且接收单元2500可以称为信号接收器或接收电路。
[0074]
图3是根据本发明构思的实施例的电子装置的截面图。
[0075]
参考图3，显示层100可以包括基体层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
[0076]
基体层110可以是提供基体表面的构件，电路层120设置在基体表面上。基体层110可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，基体层110可以是无机层、有机层或复合层。
[0077]
基体层110可以具有多层结构。例如，基体层110包括第一合成树脂层、设置在第一合成树脂层上的氧化硅(sio
x
)层、设置在氧化硅层上的非晶硅(a-si)层和设置在非晶硅层上的第二合成树脂层。氧化硅层和非晶硅层可以称为基体阻挡层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括聚酰亚胺基树脂。而且，第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一个可以包括丙烯酸酯基树脂、甲基丙烯酸酯基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。在本说明书中，“～～”基树脂是指包括“～～”的官能团。
[0078]
电路层120可以设置在基体层110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以以诸如涂覆或气相沉积的方式(即，通过包括例如涂覆或气相沉积的工艺)形成在基体层110上，并且然后绝缘层、半导体层和导电层可以通过多个光刻工艺选择性地图案化。此后，可以提供包括在电路层120中的半导体图案、导电图案和信号线。
[0079]
至少一个无机层可以设置在基体层110的顶表面上。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。无机层可以提供为多层。多层无机层可以构成阻挡层和/或缓冲层。在此实施例中，显示层100示为包括缓冲层bfl。
[0080]
缓冲层bfl可以改善基体层110与半导体图案之间的接合力。缓冲层bfl可以包括氧化硅层和氮化硅层，并且氧化硅层和氮化硅层可以交替地层叠。例如，氧化硅层和氮化硅层可以在第三方向dr3上交替地层叠。
[0081]
半导体图案可以设置在缓冲层bfl上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，本发明构思的实施例不限于此。例如，半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
[0082]
图3示出半导体图案的部分。例如，半导体图案还可以设置在其它区域中。半导体图案可以根据具体规则布置在像素上方。取决于半导体图案是否掺杂，半导体图案具有不同的电属性。半导体图案可以包括具有高电导率的第一区和具有低电导率的第二区。第一区可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管可以包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区，并且n型晶体管可以包括掺杂有n型掺杂剂的掺杂区。第二区可以是非掺杂区，或者可以以比第一区的浓度小的浓度被掺杂。
[0083]
第一区可以具有比第二区的电导率大的电导率，并且可以用作或基本上用作电极或信号线。第二区可以对应于或基本上对应于晶体管的有源区(或沟道)。即，半导体图案的部分可以是晶体管的有源区，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且再另一部分可以是连接电极或连接信号线。
[0084]
像素中的每一个可以具有包括七个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路，并且像素的等效电路图可以按照本领域普通技术人员可以领会的各种合适形式修改。在图3中，示例性地示出包括在像素中的一个晶体管100pc和发光装置(或发光元件)100pe。
[0085]
晶体管100pc的源极sc1、有源区a1和漏极d1可以从半导体图案提供。源极sc1和漏极d1可以在截面上从有源区a1在相反方向上延伸。图3示出由半导体图案形成的连接信号线scl的部分。在一个或多个实施例中，在平面上或在平面图中，连接信号线scl可以连接到
晶体管100pc的漏极d1。
[0086]
第一绝缘层10可以设置在设置有源极sc1、有源区a1、漏极d1和连接信号线scl的缓冲层bfl上。第一绝缘层10通常与多个像素重叠以覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以包括无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在此实施例中，第一绝缘层10可以包括单层氧化硅层。可以在下面更详细地描述的电路层120的绝缘层和第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，但是不限于此。
[0087]
栅极g1设置在第一绝缘层10上。栅极g1中的每一个可以是金属图案的部分。栅极g1与有源区a1重叠。在掺杂半导体图案的工艺中，栅极g1可以用作掩模。
[0088]
第二绝缘层20可以设置在设置有栅极g1的第一绝缘层10上以覆盖栅极g1。第二绝缘层20可以共同地与像素重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层或多层结构。在此实施例中，第二绝缘层20可以包括单层氧化硅层。
[0089]
第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。在此实施例中，第三绝缘层30可以是单层氧化硅层。
[0090]
第一连接电极cne1可以设置在第三绝缘层30上。第一连接电极cne1可以通过接触孔cnt-1连接到信号线scl，接触孔cnt-1穿过第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层(即，第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30)。
[0091]
第四绝缘层40可以设置在设置有第一连接电极cne1的第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以是单层氧化硅层。第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。
[0092]
第二连接电极cne2可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极cne2可以通过接触孔cnt-2连接到第一连接电极cne1，接触孔cnt-2穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50。
[0093]
第六绝缘层60可以设置在设置有第二连接电极cne2的第五绝缘层50上以覆盖第二连接电极cne2。第六绝缘层60可以是有机层。发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件100pe。例如，发光元件层130可以包括有机发光材料、量子点、量子棒、微米led或纳米led。发光元件100pe可以包括第一电极ae、发射层el和第二电极ce。
[0094]
第一电极ae可以设置在第六绝缘层60上。第一电极ae可以通过接触孔cnt-3连接到第二连接电极cne2，接触孔cnt-3穿过第六绝缘层60。
[0095]
像素限定层70可以设置在设置有第一电极ae的第六绝缘层60上以覆盖第一电极ae的部分。可以在像素限定层70中限定开口70-op。像素限定层70的开口70-op可以暴露第一电极ae的至少一部分。在此实施例中，发射区域pxa可以限定为对应于第一电极ae的由开口70-op暴露的区域的部分。非发射区域npxa可以围绕发射区域pxa。
[0096]
发射层el可以设置在第一电极ae上。发射层el可以设置在开口70-op中。即，彼此间隔开的单独的发射层el，以及发射层el中的每一个可以设置在像素中的对应一个上。当针对像素中的每一个单独地设置发射层el时，发射层el中的每一个可以发射具有蓝色、红色和绿色中的至少一种的光。然而，本发明构思不限于此。例如，可以共同地提供单个发射层el以连接到像素。在这种情况下，发射层el可以提供蓝光或白光。然而，本发明构思不限
于此。
[0097]
第二电极ce可以设置在发射层el上。第二电极ce可以具有整体形状，并且可以设置(例如，共同设置)在多个像素上。公共电压可以提供到第二电极ce，并且第二电极ce可以称为公共电极。
[0098]
在一个或多个实施例中，空穴控制层可以设置在第一电极ae与发射层el之间。空穴控制层可以设置(例如，共同设置)在发射区域pxa和非发射区域npxa中。空穴控制层可以包括空穴传输层，并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发射层el和第二电极ce之间。电子控制层可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。可以通过使用开放掩模在多个像素中形成(例如，共同形成)空穴控制层和电子控制层。
[0099]
封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括依次层叠的无机层、有机层和无机层，但是构成封装层140的层不限于此。
[0100]
无机层可以保护发光元件层130免受湿气和氧气影响，并且有机层可以保护发光元件层130免受诸如灰尘颗粒的外来物质(例如，来自外部环境的不期望物质)影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可以包括丙烯酸基有机层，但是本发明构思的实施例不限于此。
[0101]
传感器层200可以通过连续或基本上连续的工艺设置在显示层100上。在这种情况下，传感器层200可以直接设置在显示层100上。直接设置可以指在传感器层200和显示层100之间不设置第三组件的情况。即，单独的粘合构件可以不设置在传感器层200和显示层100之间。在这种情况下，电子装置1000的厚度可以更薄。
[0102]
传感器层200可以包括基体绝缘层201、第一导电层202、感测绝缘层203、第二导电层204和覆盖绝缘层205。
[0103]
基体绝缘层201可以是无机层，无机层包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的任何一种。可替代地，基体绝缘层201可以是有机层，有机层包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺基树脂。基体绝缘层201可以具有单层结构或多层结构，在多层结构中多个层在第三方向dr3上层叠。
[0104]
第一导电层202和第二导电层204中的每一个可以具有单层结构或多层结构，在多层结构中多个层在第三方向dr3上层叠。
[0105]
具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和氧化铟锌锡(izto)等。另外，透明导电层可以包括导电聚合物，诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(poly(3,4-ethylene dioxythiophene)：pedot)、金属纳米线和石墨烯等。
[0106]
具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
[0107]
感测绝缘层203和覆盖绝缘层205中的至少一个可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
[0108]
寄生电容cb可以产生在传感器层200和第二电极ce之间。随着传感器层200和第二电极ce之间的距离变得更小，寄生电容cb的值可以增加。随着寄生电容cb增加，电容的变化量与参考值的比率可以减小。电容的变化可以指在通过例如主动笔2000(例如，见图2)或用
户的身体3000(例如，见图2)的输入单元输入之前和之后发生的电容变化。
[0109]
处理由传感器层200感测的信号的驱动芯片可以执行从感测的信号去除与寄生电容cb对应的值的调平(leveling)操作。通过调平操作，电容的变化量与参考值相比的比率可以增加，使得感测灵敏度可以改善(例如，感测灵敏度可以增加)。
[0110]
然而，根据驱动芯片的规格，去除与寄生电容cb对应的值的能力可能存在差异。例如，如果最大寄生电容cb为大约500皮法拉，并且通过驱动芯片能够从由传感器层200感测的信号去除的电容值为大约200皮法拉，则参考值可能无法由驱动芯片充分降低。在这种情况下，电容的变化量与参考值相比的比率不显著，并且因而可能发生故障，在该故障中驱动芯片不将电容的变化量识别为噪声或者不识别触摸坐标。换句话说，感测灵敏度可能不是处于足以可靠地区分(例如用户的触摸或主动笔的)施加和/或坐标的水平。根据本发明构思，可以修改传感器层200的电极结构，以将寄生电容cb的最大值提供作为设定值(例如，预定值)或小于设定值(例如，预定值)。换句话说，可以修改传感器层200的电极结构，使得寄生电容cb可以不超过设定值(例如，预定值)。在这种情况下，即使当驱动芯片的性能较低时，坐标识别的精度也可以改善。设定值(例如，预定值)可以是大约200皮法拉，但是不特别限于此。
[0111]
图4是根据本发明构思的实施例的传感器层的平面图。
[0112]
参考图4，传感器层200可以包括感测区域200a和周边区域200n。感测区域200a可以是根据电信号激活的区域。例如，感测区域200a可以是感测输入的区域。周边区域200n可以围绕感测区域200a。
[0113]
传感器层200可以包括基体绝缘层201、多个电极210、多个交叉电极220和多条感测线230。多个电极210和多个交叉电极220可以设置在感测区域200a中。多条感测线230可以设置在周边区域200n中。
[0114]
传感器层200可以在第一模式或者第二模式中操作，在第一模式中通过多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容的变化获取关于外部输入的信息，在第二模式中通过多个电极210和多个交叉电极220中的每一个的电容的变化感测由主动笔2000(例如，见图2)的影响。
[0115]
当在第一模式中施加用户的触摸时，处理由传感器层200感测的信号的驱动芯片可以感测多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容的变化。
[0116]
多个电极210中的每一个可以在第一方向dr1上延伸。多个电极210可以布置为在第二方向dr2上彼此间隔开。多个交叉电极220中的每一个可以在第二方向dr2上延伸。多个交叉电极220可以布置为在第一方向dr1上彼此间隔开。在一个或多个实施例中，在平面上或在平面图中，多个电极210和多个交叉电极220可以彼此交叉。
[0117]
传感器层200包括第一区ar1、第二区ar2和第三区ar3，多个电极210和多个交叉电极220在第一区ar1中相交以彼此绝缘，第二区ar2在第一方向dr1上与第一区ar1相邻，第三区ar3在第二方向dr2上与第一区ar1相邻。多个电极210可以在第二区ar2中彼此重叠，并且多个交叉电极220可以在第二区ar2中彼此不重叠。多个交叉电极220可以在第三区ar3中彼此重叠，并且多个电极210可以在第三区ar3中彼此不重叠。
[0118]
图5a是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的放大平面图，图5b是根据本发明构思的实施例的沿着图5a的线i-i'截取的截面图，并且图5c是根据本发明构思的实施
例的图5a的区域aa'的放大平面图。
[0119]
参考图5a至图5c，多个电极210中的每一个可以包括第二部分210p2和多个第一部分210p1。
[0120]
多个第一部分210p1可以在第一方向dr1上彼此间隔开。多个第一部分210p1可以设置在第二区ar2(例如，见图4)中。
[0121]
第二部分210p2可以设置在多个第一部分210p1之间。第二部分210p2可以设置在第一区ar1(例如，见图4)中。
[0122]
第二部分210p2和多个第一部分210p1可以具有网格结构。第二部分210p2和多个第一部分210p1可以一体地提供。
[0123]
第二部分210p2可以包括第一图案部分210pp1和多个第二图案部分210pp2。第一图案部分210pp1可以在第一方向dr1上延伸。多个第二图案部分210pp2可以在第二方向dr2上从第一图案部分210pp1延伸。
[0124]
第一开口ha1可以限定在多个第一部分210p1中的每一个中。第二开口ha2可以限定在第一图案部分210pp1中。第一开口ha1的尺寸可以大于第二开口ha2的尺寸。例如，在平面图中或在平面上，第一开口ha1的尺寸可以大于第二开口ha2的尺寸。
[0125]
多个交叉电极220中的每一个可以包括多个第一交叉部分220p1、第二交叉部分220p2和桥接图案220b。
[0126]
多个第一交叉部分220p1可以在第二方向dr2上彼此间隔开。多个第一交叉部分220p1可以设置在第三区ar3(例如，见图4)中。多个第一交叉部分220p1可以称为多个交叉电极220的第三部分。
[0127]
第二交叉部分220p2可以设置在多个第一交叉部分220p1之间。在一个或多个实施例中，第二交叉部分220p2可以在第二方向dr2上设置在多个第一交叉部分220p1之间。当在平面上或在平面图中观看时，第二交叉部分220p2可以与第二开口ha2不重叠。
[0128]
第二交叉部分220p2和多个第一交叉部分220p1可以具有网格结构。
[0129]
第二交叉部分220p2可以包括多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2。多个第一交叉图案部分220pp1可以与多个第一交叉部分220p1中的一个的一侧相邻，并且可以在第二方向dr2上延伸。多个第二交叉图案部分220pp2可以与多个第一交叉部分220p1中的另一个的另一侧相邻，并且可以在第二方向dr2上延伸。
[0130]
多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二图案部分210pp2可以在第一方向dr1上交替地布置。多个第一交叉图案部分220pp1可以在第一方向dr1上彼此间隔开，多个第二图案部分210pp2在多个第一交叉图案部分220pp1之间。
[0131]
多个第二交叉图案部分220pp2和多个第二图案部分210pp2可以在第一方向dr1上交替地布置。多个第二交叉图案部分220pp2可以在第一方向dr1上彼此间隔开，多个第二图案部分210pp2在多个第二交叉图案部分220pp2之间。
[0132]
第二部分210p2和第二交叉部分220p2可以在第一区ar1(例如，见图4)中彼此相邻设置，使得彼此面对的第二部分210p2和第二交叉部分220p2之间的边界的长度可以增加。相应地，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200(例如，见图4)的感测灵敏度可以改善。
[0133]
第三开口ha3可以限定在第二交叉部分220p2中。当在平面上或在平面图中观看
时，第二部分210p2可以与第三开口ha3不重叠。第四开口ha4可以限定在多个第一交叉部分220p1中的每一个中。第四开口ha4可以具有比第三开口ha3的尺寸大的尺寸。例如，在平面图中或在平面上，第四开口ha4的尺寸可以大于第三开口ha3的尺寸。
[0134]
限定在传感器层200(例如，图4)的第二区ar2(例如，见图4)中的第一开口ha1和限定在第三区ar3(例如，见图4)中的第四开口ha4中的每一个可以具有比第二开口ha2和第三开口ha3中的每一个的尺寸大的尺寸。当在平面上或在平面图中观看时，多个第一部分210p1和多个第一交叉部分220p1与第二电极ce(例如，见图3)重叠的区域可以减小。因而，寄生电容cb(例如，见图3)的值可以减小。根据本发明构思，传感器层200(例如，见图4)可以将寄生电容cb(例如，见图3)的最大值提供作为设定值(例如，预定值)或小于设定值(例如，预定值)。电容的变化量与参考值的比率可以增加。因而，传感器层200(例如，见图4)的相对于电容的变化量的感测灵敏度可以改善。
[0135]
桥接图案220b可以设置在一层，该层不同于其上设置有多个第一部分210p1、多个第二部分210p2、多个第一交叉部分220p1和多个第二交叉部分220p2的层。例如，桥接图案220b可以处于与多个第一部分210p1、多个第二部分210p2、多个第一交叉部分220p1和多个第二交叉部分220p2不同的层。桥接图案220b可以交叉以与多个第一部分210p1、多个第二部分210p2、多个第一交叉部分220p1和多个第二交叉部分220p2绝缘。
[0136]
桥接图案220b可以设置在基体绝缘层201上。感测绝缘层203可以设置在桥接图案220b上。感测绝缘层203可以覆盖桥接图案220b。感测绝缘层203可以包括无机材料、有机材料或复合材料。
[0137]
多个第一交叉图案部分220pp1、多个第二交叉图案部分220pp2和第一图案部分210pp1可以设置在感测绝缘层203上。
[0138]
可以通过在第三方向dr3上穿过感测绝缘层203限定多个接触孔cnt。多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以通过多个接触孔cnt连接(例如，电连接)到桥接图案220b。
[0139]
覆盖绝缘层205可以设置在多个第一交叉图案部分220pp1、多个第二交叉图案部分220pp2和第一图案部分210pp1上。覆盖绝缘层205可以覆盖多个第一交叉图案部分220pp1、多个第二交叉图案部分220pp2和第一图案部分210pp1。覆盖绝缘层205可以包括无机材料、有机材料或复合材料。
[0140]
在图5b中，例如，桥接图案220b可以具有底部桥接结构，在该底部桥接结构中桥接图案220b设置在多个第一交叉图案部分220pp1、多个第二交叉图案部分220pp2和第一图案部分210pp1下方，但是，根据本发明构思的实施例的传感器层200(例如，见图4)的结构不限于此。例如，根据本发明构思的实施例的传感器层200(例如，见图4)可以具有顶部桥接结构，在该顶部桥接结构中桥接图案220b设置在多个第一交叉图案部分220pp1、多个第二交叉图案部分220pp2和第一图案部分210pp1上。
[0141]
当在平面上或在平面图中观看时，桥接图案220b可以与第一图案部分210pp1重叠。
[0142]
桥接图案220b可以在传感器层200(例如，见图4)的第一区ar1(例如，见图4)中提供为多个。多个桥接图案220b的数量可以是大约五十个或更少。当多个桥接图案220b的数量为大约五十个或更多时，可以从外部在视觉上识别多个桥接图案220b。然而，根据本发明
构思，多个桥接图案220b的数量可以为大约五十个或更少，以防止或基本上防止从外部在视觉上识别多个桥接图案220b。在一个或多个实施例中，多个桥接图案220b的数量可以是大约四个。然而，本发明构思不限于此。
[0143]
而且，多个桥接图案220b的数量可以是大约五十个或更少，以减少接触孔cnt的数量。因而，在限定用于提供多个桥接图案220b的接触孔cnt时可能发生的工艺损失可以减少。
[0144]
第二开口ha2可以提供为多个。多个第二开口ha21和ha22可以具有彼此不同的尺寸。例如，一个第二开口ha21的尺寸可以小于另一个第二开口ha22的尺寸。在一个或多个实施例中，在平面上或在平面图中，一个第二开口ha21的尺寸可以小于另一个第二开口ha22的尺寸。
[0145]
在显示层100上限定的多个发射区域pxa(例如，见图3)可以与多个第一交叉图案部分220pp1、多个第二交叉图案部分220pp2、第一图案部分210pp1和桥接图案220b不重叠。多个发射区域pxa中的一些可以与多个第二开口ha21和ha22重叠。
[0146]
一个发射区域pxa可以与第二开口ha21重叠。但是，这仅是示例。根据本发明构思的实施例，与第二开口ha21重叠的发射区域pxa的数量不限于此。例如，四个发射区域pxa可以与第二开口ha21重叠。换句话说，四个发射区域pxa可以与单个第二开口ha21重叠。
[0147]
至少四个发射区域pxa可以与第二开口ha22重叠。例如，图5c示出四个发射区域pxa与第二开口ha22重叠的结构。但是，这仅是示例。根据本发明构思的实施例，与第二开口ha22重叠的发射区域pxa的数量不限于此。例如，九个发射区域pxa可以与第二开口ha22重叠。在一个或多个实施例中，少于四个发射区域pxa可以与第二开口ha22重叠。
[0148]
图6是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。
[0149]
参考图4和图6，多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以具有相对于在第一方向dr1上延伸的轴线ax1对称的形状。
[0150]
一个第一交叉图案部分220pp1和一个第二交叉图案部分220pp2可以通过多个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。例如，一个第一交叉图案部分220pp1和一个第二交叉图案部分220pp2可以通过四个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。在一个或多个实施例中，二十个桥接图案220b可以设置在第一区ar1中。
[0151]
当在平面上或在平面图中观看时，桥接图案220b可以与第一图案部分210pp1重叠。桥接图案220b可以具有网格结构。开口hab可以限定在桥接图案220b中。第一图案部分210pp1可以与开口hab重叠。开口hab可以具有比第二开口ha2的尺寸大的尺寸。例如，在平面图中或在平面上，开口hab的尺寸可以大于第二开口ha2的尺寸。
[0152]
第五开口ha5可以限定在多个第二图案部分210pp2中的每一个中。第五开口ha5可以具有比第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸小的尺寸。例如，在平面图中或在平面上，第五开口ha5的尺寸可以小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸。
[0153]
在第一区ar1中，第二部分210p2和第二交叉部分220p2可以彼此相邻设置，使得彼此面对的第二部分210p2和第二交叉部分220p2之间的边界的长度可以增加。相应地，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200的感测灵敏度可以改善。
[0154]
限定在传感器层200的第二区ar2中的第一开口ha1和限定在第三区ar3中的第四
开口ha4中的每一个可以具有比第二开口ha2、第三开口ha3和第五个开口ha5中的每一个的尺寸大的尺寸。例如，在平面上或在平面图中，第一开口ha1可以在尺寸上各自大于第二开口ha2、第三开口ha3和第五开口ha5中的每一个，并且在平面上或在平面图中，第四开口ha4可以在尺寸上各自大于第二开口ha2、第三开口ha3和第五开口ha5中的每一个。当在平面上或在平面图中观看时，多个第一部分210p1和多个第一交叉部分220p1与第二电极ce(例如，见图3)重叠的区域可以减小。根据本发明构思，寄生电容cb(例如，见图3)的值可以减小。因而，传感器层200的相对于电容的变化量的感测灵敏度可以改善。
[0155]
图7a是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图，并且图7b是根据本发明构思的实施例的图7a的区域bb'的放大平面图。
[0156]
参考图4、图7a和图7b，多个电极210中的每一个可以包括多个第一部分210p1、多个第二部分210p2和多个分支部分210br。
[0157]
多个第一部分210p1中的每一个可以分支为多个分支部分210br。例如，如图7a中所示，一个第一部分210p1可以分支为三个分支部分210br。然而，本发明构思不限于此。在一个或多个实施例中，间隙可以限定在多个分支部分210br之间。多个分支部分210br可以布置为在第二方向dr2上彼此间隔开。
[0158]
多个分支部分210br可以分别延伸到多个第二部分210p2。
[0159]
多个交叉电极220中的每一个可以包括多个第一交叉部分220p1、多个第二交叉部分220p2、多个交叉分支部分220br和多个桥接图案220b。
[0160]
多个第一交叉部分220p1中的每一个可以分支为多个交叉分支部分220br。例如，如图7a中所示，一个第一交叉部分220p1可以分支为三个交叉分支部分220br。然而，本发明构思不限于此。在一个或多个实施例中，间隙可以限定在多个交叉分支部分220br之间。多个交叉分支部分220br可以布置为在第一方向dr1上彼此间隔开。
[0161]
多个交叉分支部分220br中的每一个可以分支为多个第二交叉部分220p2。例如，如图7a中所示，一个交叉分支部分220br可以分支为三个第二交叉部分220p2。然而，本发明构思不限于此。在一个或多个实施例中，多个第二图案部分210pp2可以分别设置在多个第二交叉部分220p2之间。
[0162]
多个第二部分210p2和多个第二交叉部分220p2可以设置在交叉区域中，在交叉区域中多个电极210和多个交叉电极220彼此交叉。可以提供多个交叉区域，在多个交叉区域中多个电极210和多个交叉电极220彼此交叉。例如，如图7a中所示，可以提供九个交叉区域。然而，本发明构思不限于此。
[0163]
多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以通过多个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。例如，如图7b中所示，多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以通过四个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。在一个或多个实施例中，如图7a中所示，可以在第一区ar1中设置三十六个桥接图案220b。然而，本发明构思不限于此。
[0164]
在第一区ar1中，第二部分210p2和第二交叉部分220p2可以彼此交替地布置。第二部分210p2和第二交叉部分220p2可以彼此相邻设置，使得彼此面对的第二部分210p2和第二交叉部分220p2之间的边界的长度可以增加。相应地，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200的感
测灵敏度可以改善。
[0165]
限定在传感器层200的第二区ar2中的第一开口ha1和限定在第三区ar3中的第四开口ha4中的每一个可以具有比第二开口ha2、第三开口ha3和第五个开口ha5中的每一个的尺寸大的尺寸。例如，在平面上或在平面图中，第一开口ha1可以在尺寸上各自大于第二开口ha2、第三开口ha3和第五开口ha5中的每一个，并且在平面上或在平面图中，第四开口ha4可以在尺寸上各自大于第二开口ha2、第三开口ha3和第五开口ha5中的每一个。当在平面上或在平面图中观看时，多个第一部分210p1和多个第一交叉部分220p1与第二电极ce(例如，见图3)重叠的区域可以减小。根据本发明构思，寄生电容cb(例如，见图3)的值可以减小。因而，传感器层200的相对于电容的变化量的感测灵敏度可以改善。
[0166]
图7c是根据本发明构的思实施例的图4的区域200u1的平面图。在图7c的描述中，相同的附图标记用于图7a中描述的组件，并且可以不重复对其的描述。
[0167]
参考图4和图7c，电极210a还可以包括与第二部分210p2间隔开的第三部分210p3a，第一部分210p1在第三部分210p3a和第二部分210p2之间。第三部分210p3a可以设置在多个第一部分210p1之间。第三部分210p3a可以设置在第二区ar2中。第三部分210p3a的宽度wd2a可以与第一部分210p1的宽度wd1相同(相等)或基本上相同(基本上相等)。
[0168]
图7d是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u1的平面图。在图7d的描述中，相同的附图标记用于通过图7a描述的组件，并且可以不重复对其的描述。
[0169]
参考图4和图7d，电极210b还可以包括与第二部分210p2间隔开的第三部分210p3b，第一部分210p1在第三部分210p3b和第二部分210p2之间。第三部分210p3b可以设置在多个第一部分210p1之间。第三部分210p3b可以设置在第二区ar2中。第三部分210p3b的宽度wd2b可以小于第一部分210p1的宽度wd1。例如，第三部分210p3b的宽度wd2b可以与多个分支部分210br中的每一个的宽度wd3相同(相等)或基本上相同(基本上相等)。
[0170]
图7b和图7d中的每一个示例性地示出图7a的图案，但是根据本发明构思的实施例的电极210和交叉电极220中的每一个的图案的形状不限于此，并且因而可以具有根据本发明构思的其它实施例的图案中的每一个的形状。
[0171]
图8a是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图，并且图8b是根据本发明构思的实施例的图8a的区域cc'的放大平面图。
[0172]
参考图4、图8a和图8b，多个电极210中的每一个可以包括多个第一部分210p1、多个第二部分210p2和多个分支部分210br。
[0173]
多个第一部分210p1中的每一个可以分支为多个分支部分210br。例如，如图8a中所示，一个第一部分210p1可以分支为两个分支部分210br。然而，本发明构思不限于此。在一个或多个实施例中，间隙可以限定在多个分支部分210br之间。多个分支部分210br可以布置为在第二方向dr2上彼此间隔开。
[0174]
多个分支部分210br可以分别延伸到多个第二部分210p2。
[0175]
多个交叉电极220中的每一个可以包括多个第一交叉部分220p1、多个第二交叉部分220p2、多个交叉分支部分220br和多个桥接图案220b。
[0176]
多个第一交叉部分220p1中的每一个可以分支为多个交叉分支部分220br。例如，如图8a中所示，一个第一交叉部分220p1可以分支为两个交叉分支部分220br。然而，本发明构思不限于此。在一个或多个实施例中，间隙可以限定在多个交叉分支部分220br之间。多
个交叉分支部分220br可以布置为在第一方向dr1上彼此间隔开。
[0177]
多个交叉分支部分220br中的每一个可以分支为多个第二交叉部分220p2。例如，如图8a中所示，一个交叉分支部分220br可以分支为六个第二交叉部分220p2。然而，本发明构思不限于此。在一个或多个实施例中，多个第二交叉图案部分220pp2可以分别设置在多个第二交叉部分220p2之间。
[0178]
多个第二部分210p2和多个第二交叉部分220p2可以设置在交叉区域中，在交叉区域中多个电极210和多个交叉电极220彼此交叉。可以提供多个交叉区域，在多个交叉区域中多个电极210和多个交叉电极220彼此交叉。例如，如图8a中所示，可以提供四个交叉区域。然而，本发明构思不限于此。
[0179]
多个第二交叉部分220p2可以与多个第二图案部分210pp2成叉指结构。例如，多个第二交叉部分220p2可以具有z字形形状。在第一区ar1中，第二部分210p2和第二交叉部分220p2可以彼此相邻地设置，使得彼此面对的第二部分210p2和第二交叉部分220p2之间的边界的长度可以增加。相应地，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200的感测灵敏度可以改善。
[0180]
多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以通过多个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。例如，多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以通过四个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。桥接图案220b可以具有z字形形状。十六个桥接图案220b可以设置在第一区ar1中。
[0181]
限定在传感器层200的第二区ar2中的第一开口ha1和限定在第三区ar3中的第四开口ha4中的每一个可以具有比第二开口ha2和第五开口ha5中的每一个的尺寸大的尺寸。例如，在平面上或在平面图中，第一开口ha1可以在尺寸上各自大于第二开口ha2和第五开口ha5中的每一个，并且在平面上或在平面图中，第四开口ha4可以在尺寸上各自大于第二开口ha2和第五开口ha5中的每一个。当在平面上或在平面图中观看时，多个第一部分210p1和多个第一交叉部分220p1与第二电极ce(例如，见图3)重叠的区域可以减小。根据本发明构思，寄生电容cb(例如，见图3)的值可以减小。因而，传感器层200的相对于电容的变化量的感测灵敏度可以改善。
[0182]
图9a是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图，并且图9b是根据本发明构思的实施例的图9a的区域dd'的放大平面图。
[0183]
参考图4、图9a和图9b，多个电极210中的每一个可以包括多个第一部分210p1、多个第二部分210p2和多个分支部分210br。
[0184]
多个第一部分210p1中的每一个可以分支为多个分支部分210br。例如，一个第一部分210p1可以分支为三个分支部分210br。间隙可以限定在多个分支部分210br之间。多个分支部分210br可以布置为在第二方向dr2上彼此间隔开。
[0185]
多个分支部分210br可以分别延伸到多个第二部分210p2。
[0186]
多个交叉电极220中的每一个可以包括多个第一交叉部分220p1、多个第二交叉部分220p2a、多个交叉分支部分220br和多个桥接图案220b。
[0187]
多个第二交叉部分220p2a可以包括多个第一交叉图案部分220pp1a和多个第二交叉图案部分220pp2a。多个第一交叉图案部分220pp1a和多个第二交叉图案部分220pp2a可以彼此间隔开，多个第二图案部分210pp2在多个第一交叉图案部分220pp1a和多个第二交
叉图案部分220pp2a之间。
[0188]
多个第一交叉图案部分220pp1a中的每一个和多个第二交叉图案部分220pp2a中的每一个可以具有彼此不同的形状。第三开口ha3可以限定在多个第一交叉图案部分220pp1a中的每一个中。
[0189]
多个第一交叉部分220p1中的每一个可以分支为多个交叉分支部分220br。例如，一个第一交叉部分220p1可以分支为三个交叉分支部分220br。间隙可以限定在多个交叉分支部分220br之间。多个交叉分支部分220br可以布置为在第一方向dr1上彼此间隔开。
[0190]
多个交叉分支部分220br中的每一个可以分支为多个第二交叉部分220p2a。例如，一个交叉分支部分220br可以分支为两个第二交叉图案部分220pp2a和一个第一交叉图案部分220pp1a。多个第二图案部分210pp2可以分别设置在多个第二交叉部分220p2a之间。
[0191]
多个第二部分210p2和多个第二交叉部分220p2a可以设置在交叉区域中，在交叉区域中多个电极210和多个交叉电极220成叉指结构。可以提供多个交叉区域，在多个交叉区域中多个电极210和多个交叉电极220彼此交叉。例如，可以提供九个交叉区域。
[0192]
多个第二图案部分210pp2和多个第二交叉图案部分220pp2a可以具有相对于在第二方向dr2上延伸的轴线ax2对称的形状。多个第二图案部分210pp2和多个第二交叉图案部分220pp2a可以彼此交叉。在第一区ar1中，第二部分210p2和第二交叉部分220p2a可以彼此相邻地设置，使得彼此面对的第二部分210p2和第二交叉部分220p2a之间的边界的长度可以增加。相应地，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200的感测灵敏度可以改善。
[0193]
多个第二交叉图案部分220pp2a可以通过多个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。例如，多个第二交叉图案部分220pp2a可以通过四个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。三十六个桥接图案220b可以设置在第一区ar1中。
[0194]
限定在传感器层200的第二区ar2中的第一开口ha1和限定在第三区ar3中的第四开口ha4中的每一个可以具有比第二开口ha2和第三开口ha3中的每一个的尺寸大的尺寸。例如，在平面上或在平面图中，第一开口ha1可以在尺寸上各自大于第二开口ha2和第三开口ha3中的每一个，并且在平面上或在平面图中，第四开口ha4可以在尺寸上各自大于第二开口ha2和第三开口ha3中的每一个。当在平面上或在平面图中观看时，多个第一部分210p1和多个第一交叉部分220p1与第二电极ce(例如，见图3)重叠的区域可以减小。根据本发明构思，寄生电容cb(例如，见图3)的值可以减小。因而，传感器层200的相对于电容的变化量的感测灵敏度可以改善。
[0195]
图10是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。在图10的描述中，相同的附图标记用于通过图7a描述的组件，并且可以不重复对其的描述。
[0196]
参考图4和图10，多个交叉电极220中的每一个可以包括多个第一交叉部分220p1、多个第二交叉部分220p2、多个第一交叉分支部分220br1、多个第二交叉分支部分220br2、多个第三交叉分支部分220br3和多个桥接图案220b。
[0197]
多个第一交叉部分220p1中的每一个可以分支为多个第一交叉分支部分220br1。例如，一个第一交叉部分220p1可以分支为三个第一交叉分支部分220br1。间隙可以限定在多个第一交叉分支部分220br1之间。多个第一交叉分支部分220br1可以布置为在第一方向dr1上彼此间隔开。
[0198]
多个第二交叉分支部分220br2可以设置在多个第二交叉部分220p2之间。
[0199]
多个第三交叉分支部分220br3可以设置于在第一方向dr1上彼此相邻的两个第二交叉分支部分220br2之间。多个第三交叉分支部分220br3可以在第二方向dr2上彼此间隔开，多个分支部分210br中的一个位于多个第三交叉分支部分220br3之间。多个第三交叉分支部分220br3可以与多个分支部分210br邻近设置，使得在第一区ar1中，彼此面对的多个电极210和多个交叉电极220之间的边界的长度可以增加。根据本发明构思，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200的感测灵敏度可以改善。
[0200]
多个第二部分210p2和多个第二交叉部分220p2可以设置在交叉区域中，在交叉区域中多个电极210和多个交叉电极220彼此交叉。可以提供多个交叉区域，在多个交叉区域中多个电极210和多个交叉电极220彼此交叉。例如，可以提供九个交叉区域。
[0201]
多个第一交叉分支部分220br1、多个第二交叉分支部分220br2和多个第三交叉分支部分220br3可以具有网格结构。
[0202]
图11是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。在图11的随后描述中，相同的附图标记用于通过图7a描述的组成元件，并且可以不重复对其的描述。
[0203]
参考图4和图11，多个交叉电极220中的每一个可以包括多个第一交叉部分220p1、多个第二交叉部分220p2、多个第一交叉分支部分220br1a、多个第二交叉分支部分220br2a、多个第三交叉分支部分220br3a和多个桥接图案220b。
[0204]
多个第一交叉部分220p1中的每一个可以分支为多个第一交叉分支部分220br1a。例如，一个第一交叉部分220p1可以分支为三个第一交叉分支部分220br1a。间隙可以限定在多个第一交叉分支部分220br1a之间。
[0205]
多个第二交叉分支部分220br2a可以设置在多个第二交叉部分220p2之间。多个第一交叉分支部分220br1a和多个第二交叉分支部分220br2a可以具有网格结构。
[0206]
多个第三交叉分支部分220br3a可以设置于在第一方向dr1上彼此相邻的两个第二交叉图案部分220pp2之间。在一个或多个实施例中，多个第三交叉分支部分220br3a可以设置在多个第二交叉分支部分220br2a之间。多个第三交叉分支部分220br3a可以与多个分支部分210br邻近设置。多个第三交叉分支部分220br3a可以具有z字形形状。多个第三交叉分支部分220br3a可以与多个分支部分210br邻近设置，使得在第一区ar1中，彼此面对的多个电极210和多个交叉电极220之间的边界的长度可以增加。相应地，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200的感测灵敏度可以改善。
[0207]
限定在传感器层200的第一区ar1中的第二开口ha2、第三开口ha3和第五开口ha5中的每一个可以在尺寸上小于第一开口hal和第四开口ha4中的每一个。例如，在平面上或在平面图中，第二开口ha2可以在尺寸上各自小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个，在平面上或在平面图中，第三开口ha3可以在尺寸上各自小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个，并且在平面上或在平面图中，第五开口ha5可以在尺寸上各自小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个。第二部分210p2和第二交叉部分220p2可以彼此相邻设置。多个第三交叉分支部分220br3a可以与多个分支部分210br成叉指结构。根据本发明构思，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200的相
对于互电容的变化量的感测灵敏度可以改善。
[0208]
图12是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。
[0209]
参考图4和图12，第五开口ha5a可以限定在多个第二图案部分210pp2中的每一个中。第五开口ha5a可以具有比第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸小的尺寸。第五开口ha5a可以称为第一图案开口ha5a。第五开口ha5a可以提供为多个。在一个或多个实施例中，在平面上或在平面图中，第五开口ha51a、ha52a和ha53a中的任何一个的尺寸可以各自小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸。第五开口ha51a、ha52a和ha53a可以具有彼此不同的尺寸。例如，一个第五开口ha51a可以具有比另一第五开口ha52a的尺寸小的尺寸，并且可以具有比再另一第五开口ha53a的尺寸大的尺寸。
[0210]
在第一区ar1中，第二部分210p2和第二交叉部分220p2可以彼此相邻设置，使得彼此面对的第二部分210p2和第二交叉部分220p2之间的边界的长度可以增加。相应地，多个电极210和多个交叉电极220之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因而，传感器层200的感测灵敏度可以改善。
[0211]
图13是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。
[0212]
参考图4和图13，第五开口ha5b可以限定在多个第二图案部分210pp2中的每一个中。第五开口ha5b可以具有比第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸小的尺寸。第五开口ha5b可以提供为多个。在一个或多个实施例中，在平面上或在平面图中，第五开口ha51b、ha52b和ha53b中的任何一个的尺寸可以各自小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸。第五开口ha51b、ha52b和ha53b可以具有彼此不同的尺寸。例如，一个第五开口ha51b可以具有比另一第五开口ha52b的尺寸小的尺寸，并且另一第五开口ha52b可以具有比再另一第五开口ha53b的尺寸小的尺寸。
[0213]
多个第二交叉部分220p2可以与多个第二图案部分210pp2交叉。例如，多个第二交叉部分220p2中的每一个可以具有z字形形状。第二部分210p2和第二交叉部分220p2可以彼此相邻设置。
[0214]
多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以通过多个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。例如，多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以通过十二个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。桥接图案220b中的每一个可以具有z字形形状。十二个桥接图案220b可以设置在第一区ar1中。
[0215]
图14是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。在图14的描述中，相同的附图标记用于通过图13描述的组件，并且可以不重复对其的描述。
[0216]
参考图4和图14，第五开口ha5c可以限定在多个第二图案部分210pp2中的每一个中。第五开口ha5c可以具有比第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸小的尺寸。第五开口ha5c可以提供为多个。在一个或多个实施例中，在平面上或在平面图中，第五开口ha51c、ha52c和ha53c中的任何一个的尺寸可以各自小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸。第五开口ha51c、ha52c和ha53c可以具有彼此不同的尺寸。例如，一个第五开口ha51c可以具有比另一第五开口ha52c的尺寸小的尺寸，并且另一第五开口ha52c可以具有比再另一第五开口ha53c的尺寸小的尺寸。一个发射区域pxa(例如，见图5c)可以与第五开口ha51c重叠。
[0217]
多个第一交叉图案部分220pp1和多个第二交叉图案部分220pp2可以通过十个桥
接图案220b连接(例如，电连接)。桥接图案220b中的每一个可以具有z字形形状。十个桥接图案220b可以设置在第一区ar1中。
[0218]
图15是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。
[0219]
参考图4和图15，第五开口ha5d可以限定在多个第二图案部分210pp2中的每一个中。第五开口ha5d可以具有比第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸小的尺寸。第五开口ha5d可以提供为多个。在一个或多个实施例中，在平面上或在平面图中，第五开口ha51d和ha52d中的任何一个的尺寸可以各自小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸。第五开口ha51d和ha52d可以具有彼此不同的尺寸。例如，一个第五开口ha51d可以具有比另一第五开口ha52d的尺寸小的尺寸。一个发射区域pxa(例如，见图5c)可以与第五开口ha51d重叠。
[0220]
多个第二交叉部分220p2b可以包括多个第一交叉图案部分220pp1b和多个第二交叉图案部分220pp2b。多个第一交叉图案部分220pp1b和多个第二交叉图案部分220pp2b可以彼此间隔开，多个第二图案部分210pp2位于多个第一交叉图案部分220pp1b和多个第二交叉图案部分220pp2b之间。
[0221]
多个第一交叉图案部分220pp1b中的每一个和多个第二交叉图案部分220pp2b中的每一个可以具有彼此不同的形状。多个第二图案部分210pp21和210pp22可以具有彼此不同的形状。
[0222]
第三开口ha3可以限定在多个第一交叉图案部分220pp1b中的每一个中。一个发射区域pxa(例如，见图5c)可以与第三开口ha3重叠。多个第一交叉图案部分220pp1b可以与多个第二图案部分210pp21成叉指结构。多个第二图案部分210pp21可以具有z字形形状。
[0223]
第五开口ha5可以限定在多个第二图案部分210pp22中的每一个中。一个发射区域pxa(例如，见图5c)可以与第五开口ha5重叠。多个第二图案部分210pp22可以与多个第二交叉图案部分220pp2b成叉指结构。多个第二交叉图案部分220pp2b可以具有z字形形状。
[0224]
图16是根据本发明构思的实施例的图4的区域200u的平面图。
[0225]
参考图4和图16，多个第二部分210p2a可以包括多个第一图案部分210pp1a和多个第二图案部分210pp2a。多个第一图案部分210pp1a和多个第二图案部分210pp2a可以彼此间隔开，多个第二交叉部分220p2位于多个第一图案部分210pp1a和多个第二图案部分210pp2a之间。
[0226]
多个第一图案部分210pp1a中的每一个和多个第二图案部分210pp2a中的每一个可以彼此不同。第五开口ha5可以限定在多个第一图案部分210pp1a中的每一个中。第五开口ha5可以具有比第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸小的尺寸。例如，在平面上或在平面图中，第五开口ha5的尺寸可以各自小于第一开口ha1和第四开口ha4中的每一个的尺寸。多个第二图案部分210pp2a可以与多个第二交叉部分220p2成叉指结构。多个第二交叉部分220p2可以围绕多个第二图案部分210pp2a。
[0227]
多个第一交叉部分220p1和多个第二交叉部分220p2可以通过多个桥接图案220b彼此连接(例如，电连接)。多个桥接图案220b可以与多个第一交叉部分220p1中的一个的一侧邻近设置，并且可以与多个第一交叉部分220p1中的另一个的另一侧间隔开设置。
[0228]
根据本发明构思，在与电极和交叉电极交叉以彼此绝缘的区域相邻的区域中限定在电极和交叉电极中的每一个中的开口的尺寸可以大于在电极和交叉电极交叉以彼此绝
缘的区域中限定在电极和交叉电极中的每一个中的开口的尺寸。随着在与电极和交叉电极交叉以彼此绝缘的区域相邻的区域中的开口的尺寸增加，在电极和交叉电极中的每一个中产生的寄生电容值可以减小。因此，电容的变化量与参考值的比率可以增加，并且传感器层的相对于电容的变化量的感测灵敏度可以改善。
[0229]
根据本发明构思，在电极和交叉电极成叉指结构以彼此绝缘的区域中，电极和交叉电极可以彼此相邻布置。电极和交叉电极之间的互电容可以增加。随着互电容增加，互电容的变化量可以增加。因此，传感器层的感测灵敏度可以改善。
[0230]
对于本领域技术人员而言将明显的是，可以对本发明构思进行各种修改和变型。因而，意图是本公开覆盖对本公开的修改和变型，只要修改和变型落入所附权利要求及其等同物的范围之内。因此，本发明构思的真实保护范围应由所附权利要求及其等同物的技术范围确定。