一米光栅摄谱仪电极结构的制作方法

专利检索2022-05-10  7



1.本实用新型属于摄谱仪金属检测技术领域,具体是一种一米光栅摄谱仪电极结构。


背景技术:

2.一米光栅摄谱仪中的电极为棒状结构,电极包括上电极和下电极,上电极通过上电极虎钳钳住,下电极通过下电极虎钳钳住。通电后,上下电极之间起弧,通过对元素进行激发从而测定贵金属中杂质的含量。但是传统的电极结构,用于分析贵金属,相对消耗多,成本较高。
3.申请号为201621218860.3,名称为一米平面光栅摄谱仪用电极定位测量装置的实用新型专利中,公开了用于固定在下电极虎钳底座上的定位块,所述定位块上部区域径向设置安装孔,所述定位块的顶部轴向设置连通所述安装孔的定位螺孔;插设在所述安装孔内的定位杆,安装在所述定位杆端部的带刻度尺的定位板。其解决的技术问题为如何固定电极,但是仍然采用圆柱形的电极结构,无法解决上述技术问题。


技术实现要素:

4.本实用新型为了解决上述问题,提供一种一米光栅摄谱仪电极结构。
5.本实用新型采取以下技术方案:一米光栅摄谱仪电极结构,包括圆柱体结构的下电极和圆柱体结构的上电极,所述的下电极上部连接有第一起弧端,第一起弧端上部设置有用于放置贵金属粉末的放置槽,放置槽的直径为d;所述的上电极下部连接有第二起弧端,第二起弧端与上电极连接的一端与上电极的直径相同,第二起弧端与下电极起弧的一端的直径为d,d小于上电极的直径相同,且d<d。
6.进一步的,d=d/2。
7.进一步的,所述的放置槽的深度为h,h:d=1.5:2。
8.进一步的,放置槽的壁厚为a,a:d=0.6:1。
9.进一步的,所述的第一起弧端下端为圆形柱体结构,且圆形柱体结构的直径小于第一起弧端的直径,下电极上设置有插槽,第一起弧端的圆形柱体结构插入在插槽内。
10.与现有技术相比,本实用新型设计了一种新型的电极结构,用来进行一米平面光栅摄谱仪测定贵金属中杂质含量。不仅提高了工作效率,并且降低了分析成本。
附图说明
11.下面结合附图对本实用新型做进一步详细的说明;
12.图1为本实用新型的下电极结构示意图;
13.图2为本实用新型的上电极结构示意图;
14.图3为本实用新型起弧状态图;
15.图中1

下电极,2

第一起弧端,3

放置槽,4

上电极,5

第二起弧端。
具体实施方式
16.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例;基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
17.如图1、2所示,一米光栅摄谱仪电极结构,包括圆柱体结构的下电极1和圆柱体结构的上电极4,所述的下电极1上部连接有第一起弧端2,第一起弧端2上部设置有用于放置贵金属粉末的放置槽3,放置槽3的直径为d;所述的上电极4下部连接有第二起弧端5,第二起弧端5与上电极4连接的一端与上电极4的直径相同,第二起弧端5与下电极1起弧的一端的直径为d,d小于上电极4的直径相同,且d<d。电极1起弧的一端的直径d=1mm,放置槽3的直径d=2mm,放置槽3的深度h=1.5mm,放置槽3的壁厚a=0.6mm。
18.上电极直径和弧烧稳定性之间呈现出反比例管理,上电极的直径越小,弧烧就会呈现出越稳定的状态。第二起弧端5的直径d控制在d/2时,即本实施例中,上电极4起弧的一端的直径d=1mm,放置槽3的直径d=2mm时,下电极1的弧烧效果越稳定。并且在起弧时,下电极1的放置槽3两侧的侧壁与上电极4之间拥有足够的距离,保证作为电极的石墨不会被弧烧。
19.而下电极放置槽3的孔深和电极温度之间也具备反比例关系,孔深越大那么电极的温度就会越低。
20.第一起弧端2下端设置为圆形柱体结构,且圆形柱体结构的直径小于第一起弧端2的直径,本实施例中,设置为2mm,下电极1上设置有插槽,第一起弧端2的圆形柱体结构插入在插槽内。在检测时,第一起弧端2上的放置槽3在使用一段时间后,会出现一些损坏。将下电极1设置成插拔结构。可以轻松更换配件,同时减少损失,
21.最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。


技术特征:
1.一米光栅摄谱仪电极结构,其特征在于:包括圆柱体结构的下电极(1)和圆柱体结构的上电极(4),所述的下电极(1)上部连接有第一起弧端(2),第一起弧端(2)上部设置有用于放置贵金属粉末的放置槽(3),放置槽(3)的直径为d;所述的上电极(4)下部连接有第二起弧端(5),第二起弧端(5)与上电极(4)连接的一端与上电极(4)的直径相同,第二起弧端(5)与下电极(1)起弧的一端的直径为d,d小于上电极(4)的直径相同,且d<d。2.根据权利要求1所述的一米光栅摄谱仪电极结构,其特征在于:所述的d=d/2。3.根据权利要求2所述的一米光栅摄谱仪电极结构,其特征在于:所述的放置槽(3)的深度为h,h:d=1.5:2。4.根据权利要求3所述的一米光栅摄谱仪电极结构,其特征在于:所述的放置槽(3)的壁厚为a,a:d=0.6:1。5.根据权利要求1或3所述的一米光栅摄谱仪电极结构,其特征在于:所述的第一起弧端(2)下端为圆形柱体结构,且圆形柱体结构的直径小于第一起弧端(2)的直径,下电极(1)上设置有插槽,第一起弧端(2)的圆形柱体结构插入在插槽内。

技术总结
本实用新型属于摄谱仪金属检测技术领域,具体是一种一米光栅摄谱仪电极结构。包括圆柱体结构的下电极和圆柱体结构的上电极,所述的下电极上部连接有第一起弧端,第一起弧端上部设置有用于放置贵金属粉末的放置槽,放置槽的直径为D;所述的上电极下部连接有第二起弧端,第二起弧端与上电极连接的一端与上电极的直径相同,第二起弧端与下电极起弧的一端的直径为d,d小于上电极的直径相同,且d<D。本实用新型设计了一种新型的电极结构,用来进行一米平面光栅摄谱仪测定贵金属中杂质含量。不仅提高了工作效率,并且降低了分析成本。并且降低了分析成本。并且降低了分析成本。


技术研发人员:刘晓伟 任志强 孟志字 孟晋斌
受保护的技术使用者:太原华盛丰贵金属材料有限公司
技术研发日:2021.07.09
技术公布日:2021/12/14
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