一种晶体生长原料的预处理结构的制作方法

专利检索2022-05-10  114



1.本实用新型涉及晶体生长技术领域,尤其是一种晶体生长原料预熔使用的预处理结构。


背景技术:

2.在晶体生长前,为了提高晶体产品的各种性能,会使用预熔等处理方式预先处理原料以减少原料中的杂质,使得进行晶体生长的原料纯度更高,以便获得高品质的晶体。目前,需要生长的大体积大质量晶体在预熔步骤中存在以下问题:预熔后的原料因为体积大、质量大难以搬运等原因造成其装入晶体生长炉困难;预熔后的原料装入晶体生长炉的过程中易掉落或者碎裂,从而极易造成晶体生长设备的损坏。
3.一般而言,为了提高晶体生产效率,晶体生长和原料预熔不会使用同一个设备,而是分开进行,这就涉及到原料的搬运和装炉的安全系数问题。传统的做法是使用坩埚将原料预熔后,将整个料坨取出再装入长晶坩埚,或者将料坨破碎后按需取料。然而,当需要生长大体积、大质量的晶体时,这种处理方式存在两个主要问题:一是料坨过重,难以从坩埚中难取出且搬运困难;二是较重的料坨在搬运过程中可能自行碎裂砸在晶体生长设备上,造成设备损害。


技术实现要素:

4.针对现有技术存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种晶体生长原料的预处理结构,使预处理后的原料便于取放和搬运,便于向晶体生长炉中加料。
5.为实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:
6.一种晶体生长原料的预处理结构,包括坩埚和隔板,所述坩埚内设置多个隔板安装结构,所述隔板通过所述隔板安装结构安装到所述坩埚内,所有所述隔板将所述坩埚的盛料空间分隔成若干熔料区。
7.进一步,所有所述隔板的一端相互配合抵接组装,相邻所述隔板及其所夹所述坩埚的盛料空间形成所述熔料区。
8.进一步,所述隔板沿所述坩埚周向均匀分布。
9.进一步,所述隔板安装结构为隔板安装槽。
10.本实用新型晶体生长原料的预处理结构,将隔板安装坩埚内,通过多块隔板将坩埚的盛料空间划分为多个熔料区,原料在不同的熔料区内熔化再冷却结晶,装炉时,将相应隔板取出后,可根据待生长晶体的需求量逐个提取相应重量的已处理料,处理后的多个小块料可以方便安全地进行搬运,有效防止大块料的碎裂、掉落对晶体生长设备造成损害。
附图说明
11.图1为本实用新型示例提供的晶体生长原料的预处理结构示意图;
12.图中:
13.1—坩埚;2—隔板;3—熔料区。
具体实施方式
14.为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的方案,下面结合本实用新型示例中的附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的示例仅仅是本实用新型的一部分示例,而不是全部的示例。基于本实用新型中的示例,本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下,所获得的所有其他实施方式都应当属于本实用新型保护的范围。
15.如图1所示的示例,提供了本实用新型一种晶体生长原料的预处理结构,包括坩埚1和隔板2,坩埚内设置多个隔板安装结构,隔板2通过隔板安装结构安装到坩埚1内,所有隔板2将坩埚1的盛料空间分隔成若干熔料区3。
16.本示例晶体生长原料的预处理结构,将隔板2安装坩埚1内,通过多块隔板2将坩埚1的盛料空间划分为多个熔料区3,原料在不同的熔料区3内熔化再冷却结晶,装炉时,将相应隔板2取出后,可根据待生长晶体的需求量逐个提取相应重量的已处理料,处理后的多个小块料可以方便安全地进行搬运,有效防止大块料的碎裂、掉落对晶体生长设备造成损害。
17.在本示例中,所有隔板2的一端相互配合抵接组装,相邻隔板2及其所夹坩埚1的盛料空间形成熔料区3。优选地,隔板2沿坩埚1周向均匀分布。
18.在本示例中,安装隔板2的数量为n,沿坩埚1的横截面方向看,每块隔板 2抵接端的角度为2π/n,参见图1,4块隔板2沿坩埚1周向均匀分布,那么,每块隔板2抵接端的角度为π/2。
19.在本示例中,隔板安装结构为隔板安装槽。隔板2可以直接插入该隔板安装槽中,也可以在隔板2的相应位置处设置安装凸起,将安装凸起插入隔板安装槽中。
20.在本实用新型的其他实施方式中,也可以在坩埚1内设置安装凸起,在隔板2的相应位置处设置与安装凸起配合的安装孔或安装槽,以便完成隔板2与坩埚1的固定。
21.本示例以的锥形坩埚为例,现有预处理料时,直接将原料放入坩埚进行升温预熔,预处理完成后,降温,料体积收缩,会形成一块较大质量的多晶料坨,例如20kg,将其转运到晶体生长炉等晶体生长设备的过程中,一般需要多人进行搬运,且在搬运过程中该多晶料坨容易碎裂掉落,对晶体生长设备造成损害。而本示例的预处理结构通过在坩埚1内安装4块隔板2,将盛料空间均匀地分隔为4个熔料区3,将料分别置于不同的熔料区3,预处理完成后,降温,料体积收缩,打开任意隔板,即可手动取出5~10kg料坨,便于预处理料坨的搬运和加入晶体生长设备中;在晶体生长过程中,有时需要少量补充预处理料,使用质量较小的料坨也便于预处理料的补充。
22.最后,可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的原理和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。


技术特征:
1.一种晶体生长原料的预处理结构,其特征在于,包括坩埚和隔板,所述坩埚内设置多个隔板安装结构,所述隔板通过所述隔板安装结构安装到所述坩埚内,所有所述隔板将所述坩埚的盛料空间分隔成若干熔料区。2.根据权利要求1所述的预处理结构,其特征在于,所有所述隔板的一端相互配合抵接组装,相邻所述隔板及其所夹所述坩埚的盛料空间形成所述熔料区。3.根据权利要求2所述的预处理结构,其特征在于,所述隔板沿所述坩埚周向均匀分布。4.根据权利要求1所述的预处理结构,其特征在于,所述隔板安装结构为隔板安装槽。

技术总结
本实用新型公开了一种晶体生长原料的预处理结构,包括坩埚和隔板,坩埚内设置多个隔板安装结构,隔板通过隔板安装结构安装到坩埚内,所有隔板将坩埚的盛料空间分隔成若干熔料区。本实用新型晶体生长原料的预处理结构,将隔板安装坩埚内,通过多块隔板将坩埚的盛料空间划分为多个熔料区,原料在不同的熔料区内熔化再冷却结晶,装炉时,将相应隔板取出后,可根据待生长晶体的需求量逐个提取相应重量的已处理料,处理后的多个小块料可以方便安全地进行搬运,有效防止大块料的碎裂、掉落对晶体生长设备造成损害。长设备造成损害。长设备造成损害。


技术研发人员:刘景峰
受保护的技术使用者:北京奇峰蓝达光学科技发展有限公司
技术研发日:2021.03.09
技术公布日:2021/11/22
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