1.本实用新型属于半导体制造器具技术领域,尤其涉及一种错位开槽硅舟。
背景技术:
2.5寸的硅片因其片厚通常在1
‑
1.5mm之间,当用于放置硅片的硅舟的装片数量较多,如达到100片左右时,每条硅舟的承重可达3
‑
3.5kg左右,而硅舟的材质通常采用多晶硅,由于多晶硅性质的问题,制造出来的硅舟通常会存在硬、脆、易破损、易断裂等异常情况。
3.为了解决多晶硅制硅舟存在的结构强度不足的问题,现亟需一种错位开槽硅舟。
技术实现要素:
4.本技术实施例要解决的技术问题在于克服现有技术的不足,提供一种错位开槽硅舟,用于解决硅舟结构强度不足的问题。
5.本技术实施例解决上述技术问题的技术方案如下:一种错位开槽硅舟,所述硅舟内表面沿其长度方向间隔开设有若干用于放置硅片的凹槽;
6.所述硅舟表面并排设置有若干通槽组,所述通槽组包括若干的通槽,任意两组所述通槽组的通槽相互错位排布设置。
7.相较于现有技术,以上技术方案具有如下有益效果:
8.在硅舟内表面开设凹槽用于放置硅片,硅舟表面开设的通槽用于减轻硅舟整体重量,同时,错位排布的通槽使得硅舟整体强度得到保障。
9.进一步地,同一所述通槽组中相邻两所述通槽之间形成隔断,任意两组所述通槽组中所述隔断不在同一直线上。
10.将两通槽之间的隔断设置为任两组中均不在同一直线上,有效提高整个硅舟的整体强度,同时一定程度上起到均匀气流的作用,使硅片表面浓度均匀性更好。
11.进一步地,所述凹槽两侧顶部开设有倒角。
12.通过开设在凹槽顶部的倒角,便于硅片放入凹槽中,不会由于凹槽两侧尖角对硅片造成划伤。
13.进一步地,所述凹槽两侧所述倒角之间形成60
°‑
90
°
的夹角。
14.进一步地,所述凹槽设置为与硅片外周贴合的弧形。
15.进一步地,所述硅舟内表面沿其长度方向均匀间隔开设有若干所述凹槽。
16.进一步地,所述隔断的最小宽度设置为l,所述通槽最大长度设置为d,其中l≥1/10d。
17.将隔断的宽度设置为不小于通槽长度的十分之一,确保隔断所占的面积比,确保连接两通槽的隔断的结构强度,进而保证整体硅舟的结构强度。
附图说明
18.为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本实用新型具体实施例所述的整体俯视结构示意图。
20.图2为图1的横向剖视部分结构示意图。
21.附图标记:
22.1、硅舟;
23.2、凹槽;
24.3、通槽组;4、通槽;
25.5、隔断;
26.6、倒角。
具体实施方式
27.下面将结合附图对本实用新型技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
28.需要注意的是,除非另有说明,本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域技术人员所理解的通常意义。
29.在本技术的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
30.此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是两个以上,除非另有明确具体的限定。
31.在本技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
32.在本技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
33.实施例
34.如图1、2所示,本实用新型实施例所提供的一种错位开槽硅舟,所述硅舟内表面沿
其长度方向间隔开设有若干用于放置硅片的凹槽,该凹槽沿硅舟长度方向均匀间隔设置,所述硅舟表面并排设置有若干通槽组,所述通槽组包括若干的通槽,通槽组排布方向与凹槽方向垂直,沿与凹槽垂直的方向,即沿通槽组中通槽长度方向设置若干个通槽,其中,任意两组所述通槽组的通槽相互错位排布设置,通过错位排布使得开设的通槽,使得并列的两通槽组之间的结构强度得到保障,减少应开通槽产生的承压薄弱点较为集中的情况,错位排布的通槽使得硅舟整体强度得到保障。
35.具体地,同一所述通槽组中相邻两所述通槽之间形成隔断,任意两组所述通槽组中所述隔断不在同一直线上,将任意两组通槽组中的隔断设置为均不在同一直线上,使得通槽所在区域与隔断所在区域交错排布,有效提高整个硅舟的整体强度,同时一定程度上起到均匀气流的作用,使硅片表面浓度均匀性更好。
36.本实施例中,如图2所示,所述凹槽两侧顶部开设有倒角,具体地,凹槽两侧倒角之间形成夹角a,夹角a的范围为60
°‑
90
°
之间,倒角与凹槽形成喇叭口式形状,便于将硅片放入其中,同时减少凹槽两侧尖锐直角对硅片表面的划伤风险。
37.其中,所述凹槽设置为与硅片外周贴合的弧形。使得硅片放入其中更加贴合,减少晃动。
38.如图1所示,所述隔断的最小宽度设置为l,所述通槽最大长度设置为d,其中l≥1/10d。
39.将隔断的宽度设置为不小于通槽长度的十分之一,确保隔断所占硅舟表面的面积比,确保连接两通槽的隔断的结构强度,进而保证整体硅舟的结构强度。
40.最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
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