一种新型防水三极管的制作方法

1.本实用新型涉及三极管领域，特别涉及一种新型防水三极管。


背景技术：

2.三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件；三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种，发射区和基区之间的pn结叫发射结，集电区和基区之间的pn结叫集电结；基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，pnp型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；npn型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外；发射极箭头指向也是pn结在正向电压下的导通方向；硅晶体三极管和锗晶体三极管都有pnp型和npn型两种类型；
3.现有的三极管封装壳和封装底座之间的密封性能不足，密封胶注入在封装壳和封装底座缝隙处，密封胶注入较少时密封效果不佳，密封胶注入过多时，封装壳和封装底座缝隙较大，造成三极管的防水性能不足。


技术实现要素：

4.本实用新型的主要目的在于提供一种新型防水三极管，可以有效解决背景技术中的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
6.一种新型防水三极管，包括封装壳和引脚，所述封装壳的侧壁设置有引脚，且引脚和封装壳连接处密封设置，所述封装壳的下端连接有改进型封装底座，且改进型封装底座包括座体、嵌入槽、连接壳、凹槽和封条，所述座体的上端边缘开设有嵌入槽，且座体的上端设置有连接壳，所述连接壳的侧壁开设有凹槽，且凹槽的槽口处设置有封条，所述封装壳和改进型封装底座之间设置有嵌入结构，且嵌入结构包括第一嵌入架、第二嵌入架和空腔，所述第一嵌入架的内壁设置有第二嵌入架，且第一嵌入架和第二嵌入架之间形成空腔，所述第一嵌入架和第二嵌入架嵌入进嵌入槽槽内，所述嵌入槽和凹槽注入密封胶。
7.优选的，所述嵌入结构还包括开口，且空腔的腔底开设有开口，所述嵌入槽槽内密封胶通过开口进入空腔腔内；
8.优选的，所述座体和连接壳一体设置，且连接壳外壁与封装壳内壁相接触，所述座体和封装壳适配；
9.优选的，所述第一嵌入架和第二嵌入架与封装壳固定连接，所述封装壳和封条一体设置；
10.优选的，所述封条上端与凹槽槽壁有缝隙，且封条高度为凹槽槽口高度的一半；
11.优选的，所述第一嵌入架和第二嵌入架的下端呈弧形设置，且第一嵌入架和第二嵌入架与嵌入槽适配。
12.与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：
13.本实用新型中，由于嵌入槽槽内注入密封胶，密封胶在嵌入架嵌入过程中溢出，密封胶溢出在座体和封装壳接触端，从而实现改进型封装底座和封装壳之间的密封，进而实现三极管的防水，由于凹槽和封条处注入密封胶，密封胶从封条和凹槽缝隙处溢出，实现连接壳和封装壳之间的密封，进一步提升三极管的防水性能，由于空腔的腔底开设开口，嵌入架插入进嵌入槽槽内时，密封胶通过开口进入空腔，由于密封胶进入空腔进行凝固，实现嵌入架和座体之间的固定连接，密封胶流入空腔内能够进一步提升防水性能。
附图说明
14.图1为本实用新型的整体结构示意图；
15.图2为本实用新型的整体结构分解示意图；
16.图3为本实用新型的图2中a处放大示意图；
17.图4为本实用新型的嵌入结构分解示意图；
18.图5为本实用新型的图4中b处放大示意图。
19.图中：1、封装壳；2、改进型封装底座；201、座体；202、嵌入槽；203、连接壳；204、凹槽；205、封条；3、嵌入结构；301、第一嵌入架；302、第二嵌入架；303、空腔；304、开口；4、引脚。
具体实施方式
20.为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
21.如图1
‑
5所示，一种新型防水三极管，包括封装壳1和引脚4，封装壳1的侧壁设置有引脚4，且引脚4和封装壳1连接处密封设置；
22.封装壳1的下端连接有改进型封装底座2，且改进型封装底座2包括座体201、嵌入槽202、连接壳203、凹槽204和封条205，座体201的上端边缘开设有嵌入槽202，且座体201的上端设置有连接壳203，连接壳203的侧壁开设有凹槽204，且凹槽204的槽口处设置有封条205，封装壳1和改进型封装底座2之间设置有嵌入结构3，且嵌入结构3包括第一嵌入架301、第二嵌入架302和空腔303，第一嵌入架301的内壁设置有第二嵌入架302，且第一嵌入架301和第二嵌入架302之间形成空腔303，第一嵌入架301和第二嵌入架302嵌入进嵌入槽202槽内，嵌入槽202和凹槽204注入密封胶，座体201和连接壳203一体设置，且连接壳203外壁与封装壳1内壁相接触，座体201和封装壳1适配，第一嵌入架301和第二嵌入架302与封装壳1固定连接，封装壳1和封条205一体设置，封条205上端与凹槽204槽壁有缝隙，且封条205高度为凹槽204槽口高度的一半，第一嵌入架301和第二嵌入架302的下端呈弧形设置，且第一嵌入架301和第二嵌入架302与嵌入槽202适配，封装壳1、改进型封装底座2和嵌入结构3相互配合，嵌入结构3设置的嵌入架嵌入进嵌入槽202槽内，由于嵌入槽202槽内注入密封胶，密封胶在嵌入架嵌入过程中溢出，密封胶溢出在座体201和封装壳1接触端，从而实现改进型封装底座2和封装壳1之间的密封，进而实现三极管的防水，由于凹槽204和封条205处注入密封胶，密封胶从封条205和凹槽204缝隙处溢出，实现连接壳203和封装壳1之间的密封，进一步提升三极管的防水性能。
23.本实用新型的进一步优选方案，封装壳1的下端连接有改进型封装底座2，且改进型封装底座2包括座体201、嵌入槽202、连接壳203、凹槽204和封条205，座体201的上端边缘开设有嵌入槽202，且座体201的上端设置有连接壳203，连接壳203的侧壁开设有凹槽204，且凹槽204的槽口处设置有封条205，封装壳1和改进型封装底座2之间设置有嵌入结构3，且嵌入结构3包括第一嵌入架301、第二嵌入架302和空腔303，第一嵌入架301的内壁设置有第二嵌入架302，且第一嵌入架301和第二嵌入架302之间形成空腔303，第一嵌入架301和第二嵌入架302嵌入进嵌入槽202槽内，嵌入槽202和凹槽204注入密封胶，座体201和连接壳203一体设置，且连接壳203外壁与封装壳1内壁相接触，座体201和封装壳1适配，第一嵌入架301和第二嵌入架302与封装壳1固定连接，封装壳1和封条205一体设置，封条205上端与凹槽204槽壁有缝隙，且封条205高度为凹槽204槽口高度的一半，第一嵌入架301和第二嵌入架302的下端呈弧形设置，且第一嵌入架301和第二嵌入架302与嵌入槽202适配，嵌入结构3还包括开口304，且空腔303的腔底开设有开口304，嵌入槽202槽内密封胶通过开口304进入空腔303腔内，由于空腔303的腔底开设开口304，嵌入架插入进嵌入槽202槽内时，密封胶通过开口304进入空腔303，由于密封胶进入空腔303进行凝固，实现嵌入架和座体201之间的固定连接，密封胶流入空腔303内能够进一步提升防水性能。
24.本实用新型不局限于上述实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围之内。本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。