DC电源的防反接电路的制作方法

dc电源的防反接电路
技术领域
1.本实用新型涉及电源技术领域，尤其涉及一种dc电源的防反接电路。


背景技术：

2.在电源的应用中，dc电源有正负端，在没有防反接电路的情况下，如果输入线反接，往往会造成设备的损坏，造成较严重的后果。因此很多电源要求增加防反接电路，即使输入端接错，也不会造成电源损坏。常规的做法是利用二极管的单向导电性，在输入端串入一个二极管。
3.传统的应用如图1：在输入正端传入一个二极管d1，此二极管有较大的导体压降。d1的损耗为pd=vd*id，较大的导通电压会导致较大的损耗，降低了电源效率与寿命。


技术实现要素：

4.本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种dc电源的防反接电路，以降低传统防反接电路的中二极管d1的损耗。
5.为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提出了一种dc电源的防反接电路，包括mos管q1、电阻r1、稳压管z1、二极管d2、电容c4，mos管q1的d极连接dc电源的输入端负极，dc电源的输入端正极连接二极管d2负极且通过电阻r1连接mos管q1的g极，二极管d2正极连接稳压管z1负极，稳压管z1正极连接mos管q1的s极；电容c4一端连接mos管q1的g极和二极管d2正极，另一端连接mos管q1的s极。
6.进一步地，还包括电容c9，电容c9两端分别连接dc电源的输入端正负极。
7.进一步地，还包括电容c5、电容c6，电容c5、电容c6的两端均分别连接dc电源的输入端正极和mos管q1的s极。
8.本实用新型的有益效果为：本实用新型通过用mos管来替代二极管，由于mos管饱和导通时，导通电阻非常低，pmos=i*i*ron，一般低压mos管的导通电阻只有零点几个毫欧，因此大大降低了mos管的损耗，与二极管相比，mos管的损耗基本可以忽略不计。
附图说明
9.图1是现有技术中的防反接电路图。
10.图2是本实用新型实施例的dc电源的防反接电路的电路图。
具体实施方式
11.需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。
12.请参照图2，本实用新型实施例的dc电源的防反接电路包括mos管q1、电阻r1、稳压管z1、二极管d2、电容c4。
13.mos管q1的d极连接dc电源的输入端负极，dc电源的输入端正极连接二极管d2负极
且通过电阻r1连接mos管q1的g极，二极管d2正极连接稳压管z1负极，稳压管z1正极连接mos管q1的s极。电容c4一端连接mos管q1的g极和二极管d2正极，另一端连接mos管q1的s极。电阻r1为限流电阻，限制通过r1的最大电流。电容c4为无极性电容，具体实施时，合理选择容量，与电阻r1合理配合使用，影响mos管q1的启动时间。稳压管z1限制q1两端的电压，防止mos管q1被击穿。二极管d2在输入断电时，快速给电容c4提供放电回路。
14.作为一种实施方式，dc电源的防反接电路还包括电容c9，电容c9两端分别连接dc电源的输入端正负极。电容c9为无极性电容。
15.作为一种实施方式，dc电源的防反接电路还包括电容c5、电容c6，电容c5、电容c6的两端均分别连接dc电源的输入端正极和mos管q1的s极。电容c5、电容c6为输入端的电容，起到稳定输入电压的作用。
16.本实用新型的工作原理如下：
17.当输入正负正确连接时，正端电压通过电阻r1给电容c4充电，当电容c4两端的电压达到mos管q1的导通阈值电压，mos管q1导通。当输入正负错误连接时，上负下正，mos管q1反向截止。电容c5两端电压为零，从而保护了内部电路的器件。
18.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同范围限定。


技术特征：
1.一种dc电源的防反接电路，其特征在于，包括mos管q1、电阻r1、稳压管z1、二极管d2、电容c4，mos管q1的d极连接dc电源的输入端负极，dc电源的输入端正极连接二极管d2负极且通过电阻r1连接mos管q1的g极，二极管d2正极连接稳压管z1负极，稳压管z1正极连接mos管q1的s极；电容c4一端连接mos管q1的g极和二极管d2正极，另一端连接mos管q1的s极。2.如权利要求1所述的dc电源的防反接电路，其特征在于，还包括电容c9，电容c9两端分别连接dc电源的输入端正负极。3.如权利要求1所述的dc电源的防反接电路，其特征在于，还包括电容c5、电容c6，电容c5、电容c6的两端均分别连接dc电源的输入端正极和mos管q1的s极。

技术总结
本实用新型实施例公开了一种DC电源的防反接电路，包括MOS管Q1、电阻R1、稳压管Z1、二极管D2、电容C4，MOS管Q1的D极连接DC电源的输入端负极，DC电源的输入端正极连接二极管D2负极且通过电阻R1连接MOS管Q1的G极，二极管D2正极连接稳压管Z1负极，稳压管Z1正极连接MOS管Q1的S极；电容C4一端连接MOS管Q1的G极和二极管D2正极，另一端连接MOS管Q1的S极。本实用新型通过用MOS管来替代二极管，由于MOS管饱和导通时，导通电阻非常低，Pmos=I*I*Ron，一般低压MOS管的导通电阻只有零点几个毫欧，因此大大降低了MOS管的损耗，与二极管相比，MOS管的损耗基本可以忽略不计。耗基本可以忽略不计。耗基本可以忽略不计。


技术研发人员：李子沛
受保护的技术使用者：深圳诺倍能电子技术有限公司
技术研发日：2021.05.24
技术公布日：2021/11/21