1.本实用新型属于低频振子技术领域,具体涉及一种集成化去耦振子。
背景技术:
2.随着全球移动通讯网络建设加速和移动通信系统不断升级,多频段融合,宽频化、小型化、高品质等成为现代天线设计的主要考虑因素,随着通讯基站的大规模建设,通信天线的大规模使用,频率越来越多,相互之间的干扰耦合越来越严重,
3.现有振子,去耦合集成性差,装配难,工艺复杂,批量稳定性差,很难实现自动化生产。
4.因此,针对上述问题,予以进一步改进。
技术实现要素:
5.本实用新型的主要目的在于提供一种集成化去耦振子,其设有双极化的振子辐射片,可以频率去耦,整体提高了天线的去耦性能,其还具有宽带化、结构简单、成本低、便于加工等优点。
6.本实用新型的另一目的在于提供一种集成化去耦振子,其通过振子支撑件与其他组件的连接方式可以应用于自动化生产,使得生产安装更加方便。
7.为达到以上目的,本实用新型提供一种集成化去耦振子,包括振子辐射片、同轴电缆、振子支撑件和底座馈电板,其中:
8.所述振子辐射片位于所述同轴电缆的上方并且与所述同轴电缆固定连接,所述振子辐射片远离所述同轴电缆的一侧设有第一辐射层并且所述振子辐射片靠近所述同轴电缆的一侧设有第二辐射层;
9.所述同轴电缆部分(部分内置于振子支撑件,部分贯穿底座馈电板)内置于所述振子支撑件,所述同轴电缆远离所述振子辐射片的一端贯穿所述底座馈电板;
10.所述振子支撑件的一端与所述振子辐射片固定连接,所述振子支撑件远离所述振子辐射片的一端与所述底座馈电板电性连接。
11.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案,所述振子辐射片呈方形并且所述振子辐射片设有用于与所述同轴电缆连接的同轴电缆连接孔和用于与所述振子支撑件连接的第一支撑件连接孔和第二支撑件连接孔。
12.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案,所述第一辐射层设有第一振子辐射线路和第一滤波枝节并且所述第一振子辐射线路和所述第一滤波枝节电性连接,所述第一振子辐射线路和所述第一滤波枝节均相对于所述第一辐射层的中心呈对称分布。
13.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案,所述第二辐射层设有第二振子辐射线路和第二滤波枝节并且所述第二振子辐射线路和所述第二滤波枝节电性连接,所述第二振子辐射线路和所述第二滤波枝节均相对于所述第二辐射层的中心呈对称分布。
14.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案,所述振子支撑件靠近所述振子辐射
片的一端设有第一支撑件连接端和第二支撑件连接端,所述第二支撑件连接端设有倒钩结构,所述第一支撑件连接端与所述第一支撑件连接孔连接,所述第二支撑件连接端与所述第二支撑件连接孔连接;
15.所述振子支撑件远离所述振子辐射片的一端设有第三支撑件连接端(设有倒钩结构)和第四支撑件连接端,所述第三支撑件连接端用于连接所述底座馈电板(第四支撑件连接端用于螺纹固定)。
16.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案,所述底座馈电板设有第一底座连接孔和第二底座连接孔,所述同轴电缆远离所述振子辐射片的一端贯穿所述第一底座连接孔,所述第二底座连接孔与所述第三支撑件连接端连接。
17.作为上述技术方案的进一步优选的技术方案,所述振子辐射片的四周设有切角。
附图说明
18.图1是本实用新型的一种集成化去耦振子的爆炸图。
19.图2是本实用新型的一种集成化去耦振子的振子辐射片的第一辐射层结构示意图(正面)。
20.图3是本实用新型的一种集成化去耦振子的振子辐射片的第二辐射层结构示意图(背面)。
21.图4是本实用新型的一种集成化去耦振子的振子辐射片的整体结构图。
22.图5是本实用新型的一种集成化去耦振子的底座馈电板的结构示意图。
23.图6是本实用新型的一种集成化去耦振子的整体结构图。
24.图7a是本实用新型的一种集成化去耦振子的振子辐射片的第一辐射层结构示意图(正面)。
25.图7b是本实用新型的一种集成化去耦振子的振子辐射片的第一辐射层结构示意图(正面)。
26.图8是本实用新型的一种集成化去耦振子的振子辐射片的第一辐射层结构示意图(正面)。
27.附图标记包括:100、振子辐射片;110、第一辐射层;111、第一振子辐射线路;112、第一滤波枝节;120、第二辐射层;121、第一振子辐射线路;122、第二滤波枝节;130、同轴电缆连接孔;140、第一支撑件连接孔;150、第二支撑件连接孔;200、同轴电缆;300、振子支撑件;310、第一支撑件连接端;320、第二支撑件连接端;330、第三支撑件连接端;340、第四支撑件连接端;400、底座馈电板;410、第一底座连接孔;420、第二底座连接孔。
具体实施方式
28.以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。
29.本实用新型公开了一种集成化去耦振子,下面结合优选实施例,对实用新型的具体实施例作进一步描述。
30.在本实用新型的实施例中,本领域技术人员注意,本实用新型涉及的接地、馈电线路等可被视为现有技术。
31.优选实施例
32.本实用新型公开了一种集成化去耦振子,包括振子辐射片100、同轴电缆200、振子支撑件300和底座馈电板400,其中:
33.所述振子辐射片100位于所述同轴电缆200的上方并且与所述同轴电缆200固定连接,所述振子辐射片100远离所述同轴电缆200的一侧设有第一辐射层110并且所述振子辐射片100靠近所述同轴电缆200的一侧设有第二辐射层120;
34.所述同轴电缆200部分(部分内置于振子支撑件,部分贯穿底座馈电板)内置于所述振子支撑件300,所述同轴电缆200远离所述振子辐射片100的一端贯穿所述底座馈电板400;
35.所述振子支撑件300的一端与所述振子辐射片100固定连接,所述振子支撑件300远离所述振子辐射片100的一端与所述底座馈电板400电性连接。
36.具体的是,所述振子辐射片100呈方形并且所述振子辐射片100设有用于与所述同轴电缆200连接的同轴电缆连接孔130和用于与所述振子支撑件300连接的第一支撑件连接孔140和第二支撑件连接孔150。
37.更具体的是,所述第一辐射层110设有第一振子辐射线路111和第一滤波枝节112(滤除不需要的高频,避免对高频的干扰)并且所述第一振子辐射线路111和所述第一滤波枝节112电性连接,所述第一振子辐射线路111和所述第一滤波枝节112均相对于所述第一辐射层110的中心呈对称分布。
38.进一步的是,所述第二辐射层120设有第二振子辐射线路121和第二滤波枝节122并且所述第二振子辐射线路121和所述第二滤波枝节122(滤除不需要的高频,避免对高频的干扰)电性连接,所述第二振子辐射线路121和所述第二滤波枝节122均相对于所述第二辐射层120的中心呈对称分布。
39.更进一步的是,所述振子支撑件300靠近所述振子辐射片100的一端设有第一支撑件连接端310和第二支撑件连接端320,所述第二支撑件连接端320设有倒钩结构,所述第一支撑件连接端310与所述第一支撑件连接孔140连接,所述第二支撑件连接端320与所述第二支撑件连接孔150连接;
40.所述振子支撑件300远离所述振子辐射片100的一端设有第三支撑件连接端330(设有倒钩结构)和第四支撑件连接端340,所述第三支撑件连接端330用于连接所述底座馈电板400(第四支撑件连接端用于螺纹固定)。
41.优选地,所述底座馈电板400设有第一底座连接孔410和第二底座连接孔420,所述同轴电缆200远离所述振子辐射片100的一端贯穿所述第一底座连接孔410,所述第二底座连接孔420与所述第三支撑件连接端330连接。
42.优选地,所述振子辐射片100的四周设有切角。
43.优选地,本实用新型具有频率复用、宽带化、去耦集成化、加工方便、可应用自动化生产和生产安装方便等优点。
44.第二实施例
45.本实施例的技术方案与优选实施例的区别为,本实施例的振子辐射片的形状如图
7a所示。
46.第三实施例。
47.本实施例的技术方案与优选实施例的区别为,本实施例的振子辐射片的形状如图7b所示。
48.第四实施例。
49.本实施例的技术方案与优选实施例的区别为,本实施例的振子辐射片的形状如图8所示,具体为圆形,没有切角。
50.值得一提的是,本实用新型专利申请涉及的接地、馈电线路等技术特征应被视为现有技术,这些技术特征的具体结构、工作原理以及可能涉及到的控制方式、空间布置方式采用本领域的常规选择即可,不应被视为本实用新型专利的发明点所在,本实用新型专利不做进一步具体展开详述。
51.对于本领域的技术人员而言,依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围。
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