发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板。


背景技术：

2.微观发光二极管(micro light emitting diode，micro
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led)显示器件具有反应快、宽色域、高分辨率、低能耗、高分辨率、高效率等优点，使其在显示面板具有很好的应用前景。目前，micro
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led显示器件已成为各大面板厂商的布局热点。
3.但是驱动器件的稳定性受工艺条件的限制，在长时间加温和加压的条件下，器件的阈值电压容易产生偏差，进而影响经过micro
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led显示器件的电流。虽然目前已有很多阈值电压补偿的驱动电路架构，但是现有的驱动电路架构通常只能对驱动晶体管的阈值电压进行补偿，而不能对发光控制晶体管的阈值电压进行补偿。因此，发光控制晶体管的阈值电压会影响经过micro
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led显示器件的电流，进而影响micro
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led显示器件的显示效果。
4.因此，如何避免发光控制晶体管的阈值电压影响micro
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led显示器件的显示效果是现有面板厂家需要努力攻克的难关。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的在于提供一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板，能够解决现有的发光控制晶体管的阈值电压影响micro
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led显示器件的显示效果的技术问题。
6.本技术实施例提供一种发光器件驱动电路，包括：
7.发光器件，所述发光器件串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路；
8.驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极以及所述驱动晶体管的漏极串接于所述发光回路；
9.数据信号写入模块，所述数据信号写入模块接入扫描信号以及数据信号，并电性连接于所述驱动晶体管的栅极，所述数据信号写入模块用于在所述扫描信号的控制下，将所述数据信号写入所述驱动晶体管的栅极；
10.第一发光控制模块，所述第一发光控制模块接入第一发光控制信号，并串联于所述发光回路，所述第一发光控制模块用于基于所述第一发光控制信号控制所述发光回路导通或截止；以及
11.第二发光控制模块，所述第二发光控制模块接入第二发光控制信号，并串联于所述发光回路，所述第二发光控制模块用于基于所述第二发光控制信号控制所述发光回路导通或截止；
12.其中，所述第一发光控制模块以及所述第二发光控制模块按照预设时间段交替控制所述发光回路导通或截止。
13.在本技术所述的发光器件驱动电路中，所述预设时间段为0.5毫秒至1毫秒。
14.在本技术所述的发光器件驱动电路中，所述数据信号写入模块包括数据信号写入晶体管，所述数据信号写入晶体管的栅极接入所述扫描信号，所述数据信号写入晶体管的源极接入所述数据信号，所述数据信号写入晶体管的漏极电性连接于所述驱动晶体管的栅极。
15.在本技术所述的发光器件驱动电路中，所述第一发光控制模块包括第一发光控制晶体管，所述第一发光控制晶体管的栅极接入所述第一发光控制信号，所述第一发光控制晶体管的源极接入所述第一电源信号，所述第一发光控制晶体管的漏极电性连接于所述驱动晶体管的源极。
16.在本技术所述的发光器件驱动电路中，所述第二发光控制模块包括第二发光控制晶体管，所述第二发光控制晶体管的栅极接入所述第二发光控制信号，所述第二发光控制晶体管的源极接入所述第一电源信号，所述第二发光控制晶体管的漏极电性连接于所述驱动晶体管的源极。
17.在本技术所述的发光器件驱动电路中，所述发光器件驱动电路还包括第一存储电容以及补偿晶体管，所述第一存储电容的一端电性连接于所述驱动晶体管的栅极，所述第一存储电容的另一端电性连接于所述驱动晶体管的漏极，所述补偿晶体管的栅极接入补偿控制信号，所述补偿晶体管的源极接入第三电源信号，所述补偿晶体管的漏极电性连接于所述驱动晶体管的漏极。
18.在本技术所述的发光器件驱动电路中，所述发光器件驱动电路还包括第二存储电容，所述第二存储电容的一端接入所述第一电源信号，所述第二存储电容的另一端电性连接于所述发光器件的阳极。
19.在本技术所述的发光器件驱动电路中，所述第一电源信号的电位大于所述第二电源信号的电位。
20.本技术实施例还提供一种背光模组，包括：
21.数据线，所述数据线用于提供数据信号；
22.扫描线，所述扫描线用于提供扫描信号；
23.第一发光控制信号线，所述第一发光控制信号线用于提供第一发光控制信号；
24.第二发光控制信号线，所述第二发光控制信号线用于提供第二发光控制信号；以及
25.如以上所述的发光器件驱动电路，所述发光器件驱动电路与所述数据线、所述扫描线、所述第一发光控制信号线以及所述第二发光控制信号线连接。
26.本技术实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括多个呈阵列排布的像素单元，每一所述像素单元均以上所述的发光器件驱动电路。
27.在本技术实施例提供的发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板中，包括发光器件、驱动晶体管、数据信号写入模块、第一发光控制模块以及第二发光控制模块。通过使第一发光控制模块以及第二发光控制模块交替控制发光回路导通或截止，从而减少单个发光控制模块受正向偏压的时间，减小发光控制模块阈值电压漂移的幅度，提升驱动电路整体的稳定性，进而保证发光二极管的发光亮度均匀，改善micro
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led显示器件的显示效果。
附图说明
28.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的结构示意图。
30.图2为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的第一电路示意图。
31.图3为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的第二电路示意图。
32.图4为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的第三电路示意图。
33.图5为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的时序图。
34.图6为本技术实施例提供的背光模组的结构示意图。
35.图7为本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
36.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
37.本技术所有实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本技术实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定开关晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、输出端为漏极。此外本技术实施例所采用的晶体管可以包括p型晶体管和/或n型晶体管两种，其中，p型晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，n型晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。
38.请参阅图1，图1为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的第一种实施方式的结构示意图。如图1所示，本技术实施例提供的发光器件驱动电路10包括发光器件d、驱动晶体管t1、数据信号写入模块101、第一发光控制模块102以及第二发光控制模块103。需要说明的是，发光器件d可以为迷你发光二极管、微型发光二极管或有机发光二极管。
39.其中，发光器件d串接于第一电源信号vdd与第二电源信号vss构成的发光回路。驱动晶体管t1的源极以及驱动晶体管t1的漏极串接于发光回路。数据信号写入模块101接入扫描信号scan和数据信号data，并电性连接于驱动晶体管t1的栅极。第一发光控制模块102接入第一发光控制信号em1，并串联于发光回路。第二发光控制模块103接入第二发光控制信号em2，并串联于发光回路。
40.需要说明的是，本技术实施例只需保证发光器件d串接于发光回路即可，图1所示的发光器件驱动电路10仅仅示意出发光器件d的一种具体位置。也即，发光器件d可以串接在发光回路上的任意位置。
41.具体的，具体的，驱动晶体管t1用于控制流经发光回路的电流。数据信号写入模块101用于在扫描信号scan的控制下，将数据信号data写入驱动晶体管t1的栅极。第一发光控
制模块102用于基于第一发光控制信号em1控制发光回路导通或截止。第二发光控制模块103用于基于第二发光控制信号em2控制发光回路导通或截止。第一发光控制模块102以及第二发光控制模块103按照预设时间段交替控制。
42.本技术实施例提供的发光器件驱动电路10，通过使第一发光控制模块102以及第二发光控制模块103交替控制发光回路导通或截止，从而减少单个发光控制模块受正向偏压的时间，减小发光控制模块阈值电压漂移的幅度，提升驱动电路整体的稳定性，进而保证发光二极管的发光亮度均匀，改善micro
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led显示器件的显示效果。
43.其中，还可以设置两个以上的发光控制模块来交替控制发光回路导通或截止，从而更好的减小发光控制模块阈值电压漂移的幅度，提升驱动电路整体的稳定性。另外，设置的发光控制模块越多，版图绘制以及时序设置的难度越高，因此，一般设置两个发光控制模块来交替控制发光回路导通或截止。
44.需要说明的是，第一发光控制模块102和第二发光控制模块103是交替控制。具体地说，若第一发光控制模块102控制第一行像素单元的发光，那么第二发光控制模块103控制第二行像素单元的发光，依次类推可知，第一发光控制模块102控制第(2n
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1)行像素单元的发光，第二发光控制模块103控制第2n行像素单元的发光，其中，n＝1,2,3
…
。也就是说，第一发光控制模块102和第二发光控制模块103是交替控制的预设时间段为控制一行像素单元发光所用的时间。
45.其中，预设时间段为0.5毫秒至1毫秒。具体地，预设时间段为0.5毫秒、0.55毫米、0.6毫秒、0.7毫秒、0.85毫秒或1毫秒。需要说明的是，预设时间段的数值与显示装置一行像素单元发光所用的时间一致。
46.需要说明的是，第一电源信号vled和第二电源信号vss均用于输出一预设电压值。此外，在本技术实施例中，第一电源信号vled的电位大于第二电源信号vss的电位。具体的，第二电源信号vss的电位可以为接地端的电位。当然，可以理解地，第二电源信号vss的电位还可以为其它。
47.请参观图2，图2为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的第一电路示意图。结合图1、图2所示，数据信号写入模块101包括数据信号写入晶体管t2。数据信号写入晶体管t2的栅极接入扫描信号scan。数据信号写入晶体管t2的源极接入数据信号data。数据信号写入晶体管t2的漏极电性连接于驱动晶体管t1的栅极。当然，可以理解地，数据信号写入模块101还可以采用多个晶体管串联形成。
48.第一发光控制模块102包括第一发光控制晶体管t3。第一发光控制晶体管t3的栅极接入第一发光控制信号em1。第一发光控制晶体管t3的源极接入第一电源信号vdd。第一发光控制晶体管t3的漏极电性连接于驱动晶体管t1的源极。当然，可以理解地，第一发光控制模块102还可以采用多个晶体管串联形成。
49.第二发光控制模块103包括第二发光控制晶体管t4。第二发光控制晶体管t4的栅极接入第二发光控制信号em2。第二发光控制晶体管t4的源极接入第一电源信号vdd。第二发光控制晶体管t4的漏极电性连接于驱动晶体管t1的源极。当然，可以理解地，第二发光控制模块103还可以采用多个晶体管串联形成。
50.其中，第二发光控制晶体管t4和第一发光控制晶体管t3并联设置。
51.需要说明的是，驱动晶体管t1、数据信号写入晶体管t2、第一发光控制晶体管t3以
及第二发光控制晶体管t4可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或者多种。进一步的，可以设置本技术实施例提供的发光器件驱动电路10中的晶体管为同一种类型的晶体管，从而避免不同类型的晶体管之间的差异性对发光器件驱动电路10造成的影响。
52.请参阅图3，图3为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的第二电路示意图。如图3所示，图3所示的发光器件驱动电路10与图2所示的发光器件驱动电路10的区别在于：发光器件驱动电路10还包括第一存储电容c1以及补偿晶体管t5。第一存储电容c1的一端电性连接于驱动晶体管t1的栅极。第一存储电容c1的另一端电性连接于驱动晶体管t1的漏极。补偿晶体管t5的栅极接入补偿控制信号lnit。补偿晶体管t5的源极接入第三电源信号vini.补偿晶体管t5的漏极电性连接于驱动晶体管t1的漏极。
53.其中，驱动晶体管t1的栅极，数据信号写入晶体管t2的漏极以及第一存储电容c1的一端交接于第一节点p。驱动晶体管t1的漏极、发光器件d的阳极、第一存储电容c1的另一端以及补偿晶体管t5的漏极交接于第二节点q。
54.需要说明的是，第一存储电容c1可以维持第一节点p的电压稳定。第一存储电容c1以及发光器件d可以维持第二节点q的电压稳定。从而对驱动晶体管t1的阈值电压进行补偿。
55.请参阅图4，图4为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的第三电路示意图。如图4所示，图4所示的发光器件驱动电路10与图3所示的发光器件驱动电路10的区别在于：发光器件驱动电路10还包括第二存储电容c2。第二存储电容c2的一端接入第一电源信号vdd。第二存储电容c2的另一端电性连接于发光器件d的阳极。
56.需要说明的是，因为发光器件d自身存在一定的电容，从而可以与第一存储电容c维持第二节点q的电压稳定，而且当发光器件d的电容达到一定值时，发光器件驱动电路10的补偿范围为最佳值。但是由于发光器件d的电容较小，无法达到所需的值，因此设置了第二存储电容c2。
57.其中，本技术实施例提供的发光器件驱动电路10通过第一存储电容c1、第二存储电容c2以及发光器件d来维持第二节点q的稳定，从而使发光器件驱动电路10的补偿范围达到最佳值，提高发光器件驱动电路10的稳定性。
58.请参阅图5，图5为本技术实施例提供的发光器件驱动电路的时序图。如图5所示，在第一阶段t1，本技术实施例提供的发光驱动电路10采用第一发光控制信号em1来驱动发光器件d发光。在第二阶段，本技术实施例提供的发光驱动电路10采用第二发光控制信号em2来驱动发光器件d发光。
59.其中，需要说明的是，第一电源信号vled、第二电源信号vss以及第三电源信号vini均为直流电压源。
60.在本技术实施例提供的发光驱动电路中，包括发光器件、驱动晶体管、数据信号写入模块、第一发光控制模块以及第二发光控制模块。通过使第一发光控制模块以及第二发光控制模块交替控制发光回路导通或截止，从而减少单个发光控制模块受正向偏压的时间，减小发光控制模块阈值电压漂移的幅度，提升驱动电路整体的稳定性，进而保证发光二极管的发光亮度均匀，改善micro
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led显示器件的显示效果。
61.请参阅图6，图6为本技术实施例提供的背光模组的结构示意图。本技术实施例还
提供一种背光模组100，其包括数据线20、扫描线30、第一发光控制信号线40、第二发光控制信号线50以及以上所述的发光器件驱动电路10。其中，数据线20用于提供数据信号。扫描线30用于提供扫描信号。第一发光控制信号线40用于提供第一发光控制信号。第二发光控制信号线50用于提供第二发光控制信号。发光器件驱动电路10与数据线20、扫描线30、第一发光控制信号线40以及第二发光控制信号线50连接。发光器件驱动电路10具体可参照以上对该发光器件驱动电路的描述，在此不做赘述。
62.在本技术实施例提供的背光模组中，包括发光器件、驱动晶体管、数据信号写入模块、第一发光控制模块以及第二发光控制模块。通过使第一发光控制模块以及第二发光控制模块交替控制发光回路导通或截止，从而减少单个发光控制模块受正向偏压的时间，减小发光控制模块阈值电压漂移的幅度，提升驱动电路整体的稳定性，进而保证发光二极管的发光亮度均匀，改善micro
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led显示器件的显示效果。
63.请参阅图7，图7为本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。本技术实施例还提供一种显示面板200，包括多个呈阵列排布的像素单元2000，每一像素单元2000均包括以上所述的发光器件驱动电路10，具体可参照以上对该发光器件驱动电路10的描述，在此不做赘述。
64.在本技术实施例提供的显示面板中，包括发光器件、驱动晶体管、数据信号写入模块、第一发光控制模块以及第二发光控制模块。通过使第一发光控制模块以及第二发光控制模块交替控制发光回路导通或截止，从而减少单个发光控制模块受正向偏压的时间，减小发光控制模块阈值电压漂移的幅度，提升驱动电路整体的稳定性，进而保证发光二极管的发光亮度均匀，改善micro
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led显示器件的显示效果。
65.以上对本技术实施例所提供的一种发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。