一种超强双极永磁体的制作方法

1.本技术涉永磁体的技术领域，尤其是涉及一种超强双极永磁体。


背景技术：

2.霍尔效应是电磁效应的一种，当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一个附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。
3.半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等是了解半导体材料电学特性的重要参数。在测量时，往往需要借助霍尔效应原理进行测量，因此需要对待测半导体材料施加一个垂直于电流方向的外部均匀磁场。
4.目前，大多数提供外部均匀磁场的设备较为笨重或复杂，设备重量可达几吨重，使用起来十分不便，从而不便于测试半导体材料的电阻率、霍尔系数等重要参数。


技术实现要素：

5.为了使半导体材料参数的测试更加方便，本技术提供一种超强双极永磁体。
6.本技术提供的一种超强双极永磁体，采用如下的技术方案：
7.一种超强双极永磁体，包括底面轭铁，所述底面轭铁两端分别固定设置有第一侧面轭铁和第二侧面轭铁，所述第一侧面轭铁靠近第二侧面轭铁的侧壁上固定设置有n面磁铁，所述第二侧面轭铁靠近第一侧面轭铁的侧壁上固定设置有s面磁铁，所述n面磁铁和所述s面磁铁的端面平行且正对设置。
8.通过采用上述技术方案，n面磁铁和s面磁铁相对的两端面之间产生大小均匀且稳定的磁场，为半导体材料测试提供均一稳定的外部磁场，使半导体材料性能参数的测试更加方便。
9.优选的，所述第一侧面轭铁开设有供n面磁铁插入的第一安装槽，所述第二侧面轭铁开设有供s面磁铁插入的第二安装槽。
10.通过采用上述技术方案，通过n面磁铁和第一安装槽之间的卡接配合、s面磁铁和第二安装槽之间的卡接配合，使超强双极永磁体的安装更加方便，便于将n面磁铁和s面磁铁的端面对齐，同时，是n面磁铁和s面磁铁的固定更加牢固，减少了n面磁铁和s面磁铁相互吸引而脱离侧面轭铁的情况发生。
11.优选的，所述第一安装槽和第二安装槽的侧壁顶部均设置有导槽，所述n面磁铁和s面磁铁的插入端均设置有倒角。
12.通过采用上述技术方案，通过倒角与导槽之间的配合，使n面磁铁和s面磁铁更便于安装，提高了超强双极永磁体的生产安装效率。
13.优选的，所述n面磁铁靠近s面磁铁的一端和所述s面磁铁靠近n面磁铁的一端均设置为圆台状。
14.通过采用上述技术方案，不仅便于区分n面磁铁和s面磁铁的磁极，减少安装时将磁铁装反的情况发生，同时，减少了磁铁端面的面积，提高了磁感线的密度，提高了n面磁铁和s面磁铁之间磁场的强度。
15.优选的，所述n面磁铁位于第一安装槽内的端侧壁固定设置有第一卡接块，所述第一安装槽内侧壁开设有供第一卡接块卡入的第一卡接槽；所述s面磁铁位于第二安装槽内的端侧壁固定设置有第二卡接块，所述第二安装槽内侧壁开设有供第二卡接块卡入的第二卡接槽。
16.通过采用上述技术方案，通过第一卡接块与第一卡接槽的配合、第二卡接块与第二卡接槽的配合，使n面磁铁和s面磁铁的固定更加牢固，进一步减少了n面磁铁和s面磁铁因相互吸引而从侧面轭铁脱落的情况发生，使超强双极永磁体的使用更加安全。
17.优选的，所述第一侧面轭铁包括第一固定部和第一插接部，所述第一固定部与底面轭铁固定连接，所述第一固定部远离底面轭铁的一端与第一插接部之间设置有用于将第一固定部与第一插接部卡接的第一卡接组件；所述第二侧面轭铁包括第二固定部和第二插接部，所述第二固定部与底面轭铁固定连接，所述第二固定部远离底面轭铁的一端与第二插接部之间设置有用于将第二固定部与第二插接部卡接的第二卡接组件。
18.通过采用上述技术方案，在安装n面磁铁时，先将第一插接部取下，将n面磁铁插入第一安装槽内，并将n面磁铁侧壁的第一卡接块插入第一卡接槽内，然后将第一插接部与第一固定部卡接，同理可安装s面磁铁。如上设置，使超强双极永磁体的安装更加方便。
19.优选的，所述第一卡接组件包括固定设置在第一插接部端部的第一插块和开设在第一固定部端部的第一插槽；所述第二卡接组件包括固定设置在第二插接部端部的第二插块和开设在第二固定部端部的第二插槽。
20.通过采用上述技术方案，通过第一插块和第一插槽的配合、第二插块与第二插槽的配合，使n面磁铁和s面磁铁的安装更加方便，提高了超强双极永磁体的安装效率。
21.优选的，所述第一固定部顶面设置有用于将第一插块与第一固定部固定的第一螺栓；所述第二固定部的顶面设置有用于将第二插块与第二固定部固定的第二螺栓。
22.通过采用上述技术方案，使第一固定部与第一插接部、第二固定部与第二插接部的固定更加牢固，从而使得n面磁铁和s面磁铁的固定更加牢固，减少n面磁铁和s面磁铁因相互吸引而脱落的情况发生，使超强双极永磁体的使用更加安全。
附图说明
23.图1是本技术实施例1中超强双极永磁体的整体结构示意图；
24.图2是本技术实施例1中超强双极永磁体的爆炸示意图；
25.图3是本技术实施例1中超强双极永磁体另一角度的爆炸示意图；
26.图4是本技术实施例2中超强双极永磁体的整体结构示意图；
27.图5是本技术实施例2中为了凸显第一卡接组件的爆炸示意图；
28.图6是本技术实施例2中为了凸显第二卡接组件的爆炸示意图。
29.附图标记：1、底面轭铁；2、第一侧面轭铁；201、第一固定部；202、第一插接部；3、第二侧面轭铁；301、第二固定部；302、第二插接部；4、n面磁铁；5、s面磁铁；6、第一安装槽；7、第二安装槽；8、导槽；9、倒角；10、第一卡接块；11、第一卡接槽；12、第二卡接块；13、第二卡
接槽；14、第一卡接组件；1401、第一插块；1402、第一插槽；15、第二卡接组件；1501、第二插块；1502、第二插槽；16、第一螺栓；17、第二螺栓。
具体实施方式
30.以下结合附图1
‑
6对本技术作进一步详细说明。
31.本技术实施例公开一种超强双极永磁体。
32.实施例1
33.参照图1，超强双极永磁体包括底面轭铁1、设置在底面轭铁1两端的第一侧面轭铁2和第二侧面轭铁3、固定设置在第一侧面轭铁2靠近第二侧面轭铁3一侧的n面磁铁4、固定设置在第二侧面轭铁3靠近第一侧面轭铁2一侧的s面磁铁5。底面轭铁1和第一侧面轭铁2之间、底面轭铁1和第二次侧面轭铁之间的夹角均为90
°
，并均通过内六角沉头螺钉固定连接，第一侧面轭铁2与第二侧面轭铁3平行且相对设置，n面磁铁4和s面磁铁5的端面平行且相对设置。n面磁铁4和s面磁铁5相互靠近的端部均设置为圆台状。
34.参照图2和图3，第一侧面轭铁2的侧壁开设有供n面磁铁4插入的第一安装槽6，第二侧面轭铁3的侧壁开设有供s面磁铁5插入的第二安装槽7，n面磁铁4和第一安装槽6、s面磁铁5和第二安装槽7之间均过盈配合。为了安装方便，第一安装槽6和第二安装槽7的侧壁顶部均设置有导槽8，n面磁铁4和s面磁铁5的插入端均设置有倒角9。
35.本技术实施例一种超强双极永磁体的实施原理为：安装时，先将n面磁铁4插入第一安装槽6内，将s面磁铁5插入第二安装槽7内，将底面轭铁1固定，然后将第一侧面轭铁2与第二侧面轭铁3紧紧夹住，并匀速靠近底面轭铁1的两端，使用内六角沉头螺钉将第一侧面轭铁2与底面轭铁1、第二侧面轭铁3与底面轭铁1固定，完成安装。本身请的超强双极永磁体可产生大小均一、稳定的磁场，且构造简单，使用方便，继而使半导体材料参数的测试更加方便。
36.实施例2
37.参照图3，与实施例1的不同之处为，第一侧面轭铁2包括与底面轭铁1固定连接第一固定部201和与第一固定部201远离底面轭铁1的一端卡接配合的第一插接部202，第二侧面轭铁3包括与底面轭铁1固定连接第二固定部301和与第二固定部301远离底面轭铁1的一端卡接配合的第二插接部302。
38.参照图4和图5，n面磁铁4位于第一安装槽6内的端侧壁一体成型有环形的第一卡接块10，第一安装槽6内侧壁开设有供第一卡接块10卡入的第一卡接槽11。s面磁铁5位于第二安装槽7内的端侧壁一体成型有第二卡接块12，第二安装槽7内侧壁开设有供第二卡接块12卡入的第二卡接槽13。通过第一卡接块10与第一卡接槽11之间的配合、第二卡接块12与第二卡接槽13之间的配合，使n面磁铁4和s面磁铁5的固定更加牢固，从而减少了n面磁铁4与s面磁铁5因相互吸引而脱出侧面轭铁的情况发生。
39.参照图4和图5，第一固定部201与第一插接部202之间设置有第一卡接组件14，第一卡接组件14包括固定设置在第一插接部202端部的第一插块1401和开设在第一固定部201端部的第一插槽1402。第二固定部301与第二插接部302之间设置有第二卡接组件15，第二卡接组件15包括固定设置在第二插接部302端部的第二插块1501和开设在第二固定部301端部的第二插槽1502。
40.参照图4和图5，为了使第一固定部201与第一插接部202、第二固定部301与第二插接部302之间的卡接更加牢固，第一固定部201顶面设置第一螺栓16，第二固定部301顶面设置有第二螺栓17，本技术实施例中，第一螺栓16和第二螺栓17均使用内六角沉头螺钉。第一螺栓16将第一插块1401与第一固定部201固定，第二螺栓17将第二插块1501与第二固定部301固定，从而使n面磁铁4和s面磁铁5的固定更加牢固。
41.本技术实施例一种超强双极永磁体的实施原理为：安装时，先将第一螺栓16取下，使第一插接部202与第一固定部201分离，将n面磁铁4插入第一安装槽6内，使第一卡接块10插入第一卡接槽11内，然后将第一插块1401插入第一插槽1402内，是第一插接部202与第一固定部201紧紧贴合，使用第一螺栓16将第一插块1401与第一固定部201固定，从而使n面磁铁4与第一侧面轭铁2固定，同理，将s面磁铁5与第二侧面轭铁3固定；将底面轭铁1固定，将第一侧面轭铁2与第二侧面轭铁3紧紧夹住，并匀速靠近底面轭铁1的两端，使用内六角沉头螺钉将第一侧面轭铁2与底面轭铁1、第二侧面轭铁3与底面轭铁1固定，完成安装。本身请的超强双极永磁体可产生大小均一、稳定的磁场，且构造简单，使用方便，继而使半导体材料参数的测试更加方便。
42.以上均为本技术的较佳实施例，并非依此限制本技术的保护范围，故：凡依本技术的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本技术的保护范围之内。