固化性黏合剂组合物、膜状黏合剂、多层配线基板的制造方法及多层配线基板与流程

专利检索2026-08-26  11


本发明涉及一种固化性黏合剂组合物、膜状黏合剂、多层配线基板的制造方法及多层配线基板。


背景技术:

1、多层配线基板具有如下结构:绝缘性基板等绝缘层被层叠多层,且在各绝缘层的一面或两面形成由导体构成的配线图案。不同的绝缘层之间的配线图案通过使1层或多层绝缘层沿厚度方向贯穿的导电性通孔或导体立柱等连接(例如,参考下述专利文献1)。并且,在多层配线基板中,有时也具有导电性通孔或导体立柱介由根据需要而设置的电极并通过焊料等接合材料连接的连接结构(例如,参考下述专利文献2)。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2013-211518号公报

5、专利文献2:日本特开2003-218542号公报


技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、导电性通孔或导体立柱的制作或焊料回流等处理是导致多层配线基板的制造中工序时间、能源成本或环境负荷增大的主要原因,需要简化制造工序。另一方面,要求用于半导体封装件等的多层配线基板确保在高温高湿条件下连接性等充分之类的可靠性。

3、本发明鉴于上述情况而完成,其目的为提供一种多层配线基板的制造方法、以及能够用于该方法的固化性黏合剂组合物及膜状黏合剂,该多层配线基板的制造方法可确保多层配线基板在高温高湿条件下的连接性的同时简化制造工序。并且,本发明另一目的为提供一种多层配线基板。

4、用于解决技术课题的手段

5、本发明的一方面提供一种多层配线基板的制造方法,其具备如下工序:对表面具有第1电极部的第1配线部件、表面具有第2电极部的第2配线部件、及含有导电粒子及固化性黏合剂组合物的膜状黏合剂,在第1电极部与第2电极部介由膜状黏合剂相对置而配置的状态下进行加热及加压,从而将第1电极部与第2电极部电连接,将固化性黏合剂组合物的固化物的热膨胀率及玻璃化转变温度分别设为cte0(ppm/℃)及tg0(℃)时,满足下述(a)及(b)的所有条件。

6、(a)5≤cte0≤270

7、(b)140≤tg0≤280

8、根据上述方法,例如,通过将第1配线部件、膜状黏合剂及第2配线部件层叠冲压等的工序,能够在短时间、低能源成本及低环境负荷下连接配线部件彼此,另外,通过满足上述(a)及(b)的所有条件,能够充分确保多层配线基板在高温高湿条件下的连接性等。并且,在多层配线基板的制造中,通过包含1次或多次上述工序,能够简化制造工序。

9、并且,本发明的另一方面提供一种固化性黏合剂组合物,其用于黏合构成多层配线基板的配线部件,该固化性黏合剂组合物中,将固化性黏合剂组合物的固化物的热膨胀率及玻璃化转变温度分别设为cte0(ppm/℃)及tg0(℃)时,满足下述(a)及(b)的所有条件。

10、(a)5≤cte0≤270

11、(b)140≤tg0≤280

12、另外,本发明的另一方面提供一种膜状黏合剂,其含有上述固化性黏合剂组合物及导电粒子。

13、本发明的另一方面提供一种多层配线基板,其具备:第1配线部件,具有第1电极部;第2配线部件,具有第2电极部;及连接部,其设置于第1配线部件及第2配线部件之间,且含有将第1电极部与第2电极部电连接的导电粒子、以及将第1配线部件与第2配线部件黏合的树脂固化物,将树脂固化物的热膨胀率及玻璃化转变温度分别设为cte0(ppm/℃)及tg0(℃)时,满足下述(a)及(b)的所有条件。

14、(a)5≤cte0≤270

15、(b)140≤tg0≤280

16、本发明的另一方面提供一种具备上述的多层配线基板的电子零件。

17、发明效果

18、根据本发明,能够提供一种多层配线基板的制造方法、以及能够用于该方法的黏合剂组合物及膜状黏合剂,该多层配线基板的制造方法可确保多层配线基板在高温高湿条件下的连接性等的同时简化制造工序。并且,根据本发明,能够提供一种多层配线基板。



技术特征:

1.一种多层配线基板的制造方法,其具备如下工序:

2.一种固化性黏合剂组合物,其用于黏合构成多层配线基板的配线部件,其中,

3.一种膜状黏合剂,其含有权利要求2所述的固化性黏合剂组合物及导电粒子。

4.一种多层配线基板,其具备:

5.一种电子零件,其具备权利要求4所述的多层配线基板。


技术总结
一种固化性黏合剂组合物,其用于黏合构成多层配线基板的配线部件,该固化性黏合剂组合物中,将固化物的热膨胀率及玻璃化转变温度分别设为CTE<subgt;0</subgt;(ppm/℃)及Tg<subgt;0</subgt;(℃)时,满足下述(A)及(B)的所有条件。(A)5≤CTE<subgt;0</subgt;≤270,(B)140≤Tg<subgt;0</subgt;≤280。

技术研发人员:大越将司,高野希,赤井邦彦,伊泽弘行,伊藤由佳,高木俊辅
受保护的技术使用者:株式会社力森诺科
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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