电子装置的制作方法

专利检索2026-08-24  19


本公开涉及一种电子装置,尤其涉及一种在周边区内的绝缘层具有开口的电子装置。


背景技术:

1、如何减少外界的水气影响电子装置的可靠度为目前研究的目标之一。举例而言,在水气入侵至主动区的情况下,当电子装置为液晶显示面板时,将影响液晶无法呈现如预期设计的倒向,造成液晶不连续排列(disclination)的现象,而可能产生使电子装置的显示画面质量不佳的问题,进而影响电子装置的可靠度。


技术实现思路

1、本公开提供一种电子装置,其可提高电子装置的可靠度。

2、根据本公开的一些实施例,电子装置包括第一基板、导电层、绝缘层、第二基板以及框胶。第一基板具有主动区以及周边区,其中周边区邻近于主动区。导电层设置于第一基板上且位于周边区内,其中导电层在周边区内包括沿着第一方向上间隔设置的多个导电部。绝缘层设置于多个导电部上且位于周边区内。框胶设置于绝缘层上且位于周边区内,且设置于第一基板与第二基板之间。绝缘层在周边区内具有第一开口且曝露出第一基板的第一侧壁,第一开口构成绝缘层的第二侧壁,且第一侧壁与第二侧壁在第一方向上的距离在100μm至300μm的范围内。

3、根据本公开的另一些实施例,电子装置包括第一基板、导电层、绝缘层、第二基板以及框胶。第一基板具有主动区以及周边区,其中周边区邻近于主动区。导电层设置于第一基板上,其中导电层在周边区内包括相邻的第一导电部以及第二导电部,在第一方向上,第一导电部相对于第二导电部远离主动区。绝缘层设置于导电层上,绝缘层在周边区内包括相邻的第一绝缘部以及第二绝缘部,在第一方向上,第一绝缘部相对于第二绝缘部远离主动区。框胶设置于绝缘层上且位于周边区内,且设置于第一基板与第二基板之间。第一绝缘部与第二绝缘部以第二开口间隔,第一导电部与第二导电部以第三开口间隔,其中绝缘层的第二开口与导电层的第三开口重叠。

4、为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。



技术特征:

1.一种电子装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述多个导电部具有第一导电部,所述第一导电部具有远离所述主动区的第三侧壁,所述第三侧壁邻近所述绝缘层的所述第二侧壁,且所述绝缘层覆盖所述第一导电部的所述第三侧壁。

3.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于,所述框胶覆盖所述绝缘层的所述第二侧壁。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述绝缘层包括间隔设置的多个绝缘部,所述多个绝缘部中的两相邻绝缘部以第二开口间隔,且所述第二开口在所述第一方向上的宽度在5μm至20μm的范围内。

5.根据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,在所述第一方向上,所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的所述距离定义所述第一开口的宽度,所述第一开口的所述宽度大于所述第二开口的所述宽度。

6.根据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述第二开口在第二方向上的长度在100μm至300μm的范围内。

7.根据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,在第二方向上,所述第一开口的长度大于所述第二开口的长度。

8.根据权利要求4所述的电子装置,其特征在于,所述多个绝缘部中的三相邻绝缘部以两个第二开口间隔,所述两个第二开口在所述第一方向上交错设置。

9.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,包括驱动元件,所述驱动元件设置于所述第一基板上且位于所述主动区内,所述驱动元件包括栅极,所述导电层包括所述栅极。

10.一种电子装置,其特征在于,包括:

11.根据权利要求10所述的电子装置,其特征在于,所述第一绝缘部覆盖所述第一导电部的至少一侧壁。

12.根据权利要求10所述的电子装置,其特征在于,所述第三开口在所述第一方向上的宽度在10μm至30μm的范围内。

13.根据权利要求10所述的电子装置,其特征在于,

14.根据权利要求10所述的电子装置,其特征在于,所述绝缘层在所述周边区内还包括第三绝缘部,所述第二绝缘部与所述第三绝缘部以另一第二开口间隔,所述第二开口和所述另一第二开口在所述第一方向上交错设置。

15.根据权利要求10所述的电子装置,其特征在于,包括驱动元件,所述驱动元件设置于所述第一基板上且位于所述主动区内,所述驱动元件包括栅极,所述导电层包括所述栅极。


技术总结
本公开提供一种电子装置,其包括第一基板、导电层、绝缘层、第二基板以及框胶。第一基板具有主动区以及周边区,其中周边区邻近于主动区。导电层设置于第一基板上,其中导电层在周边区内包括沿着第一方向上间隔设置的多个导电部。绝缘层设置于多个导电部上。框胶设置于绝缘层上且位于周边区内,且设置于第一基板与第二基板之间。绝缘层在周边区内具有第一开口且曝露出第一基板的第一侧壁,第一开口构成绝缘层的第二侧壁,且第一侧壁与第二侧壁在第一方向上的距离在100μm至300μm的范围内。

技术研发人员:郑浩晨,周协利,陈承佐,宋立伟
受保护的技术使用者:新加坡商群丰骏科技股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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