集成电路器件模型的参数调优方法、系统、设备及介质与流程

专利检索2026-08-12  20


本发明属于集成电路计算机辅助设计,尤其涉及一种集成电路器件模型的参数调优方法、系统、设备及介质。


背景技术:

1、在模型参数的提取过程中,为了获取平滑的参数趋势,往往需要工程师根据提取经验进行一系列的参数调整,通过不断地调整参数以及对比结果获得一个较为良好的结果,即平滑的参数趋势,这通常需要开发人员通过手动调整,除了开发经验的要求,还需要花费大量的时间,每一个参数的调整可能都需要反复调整迭代,并且结果还不一定就好,基本上靠大量的“调整—结果检查—调整”迭代来获取想要的结果。对于参数调整过程中,参数的调整是没有明确的指向性的,因此在趋势得控制力上是不足的,就是不断地试错,直到遇到好的结果,从整个流程来看,这样的参数控制是复杂的、不清晰的。综上,传统参数控制逻辑复杂、效率低下,很难把握参数趋势及波动性的平衡。


技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种集成电路器件模型的参数调优方法、系统、设备及介质,解决传统参数控制逻辑复杂、效率低下,很难把握参数趋势及波动性的平衡的缺陷,通过拆分模型参数的方法用于分别控制参数趋势以及参数波动性,提高调参的效率。

2、本发明提供了一种集成电路器件模型的参数调优方法,包括以下步骤:

3、提取器件模型的历史数据中的目标参数;

4、对选取的目标参数进行拆分处理,所述拆分处理方式为将所述目标参数拆分成用于控制参数趋势的第一目标数据和用于控制每个参数本身波动性的第二目标数据;

5、分别对所述第一目标数据和所述第二目标数据的调整范围进行一次优化,所述优化方式为确认并配置所述第一目标数据、所述第二目标数据的第一参数边界范围和第二参数边界范围,在对应的参数边界范围内进行参数调整以约束对应的变化范围;

6、分别将拆分后的所述第一目标数据在第一参数边界范围内和所述第二目标数据在第二参数边界范围内通过优化器与仿真器的迭代进行二次优化,得到对应目标数据的贡献结果;

7、根据目标参数趋势特征确认所述第一目标数据的贡献结果并根据目标波动特征确认所述第二目标数据的贡献结果,将两部分数据的贡献结果合并更新至器件模型;

8、其中,所述第一目标数据为全局参数,所述第二目标数据为局部参数。

9、作为优选地,所述通过优化器与仿真器的迭代进行二次优化进一步包括:

10、获取第一目标数据通过优化器优化调整参数,基于仿真器查看拟合程度,得到第一拟合结果,将该第一拟合结果输入优化器,循环来回调整,直到达到优化器预设的拟合标准;和/或,

11、获取第二目标数据通过优化器优化调整参数,基于仿真器查看拟合程度,得到第二拟合结果,将该第二拟合结果输入优化器,循环来回调整,直到达到优化器预设的拟合标准。

12、作为优选地,所述目标参数包括模型内部模型表达式/方程式中的电压、电阻、温度、尺寸及共同作用来仿真器件电学行为的变量。

13、作为优选地,所述目标参数趋势特征包括所有有效尺寸范围内都是同一个数值或者确保同一个尺寸依赖趋势,所述目标波动特征指不同尺寸上参数彼此不同。

14、作为优选地,所述用于控制参数趋势的第一目标数据global和用于控制每个参数本身波动性的第二目标数据local之间的关系表达式为global+local=peff,其中,peff表示器件模型中选取的目标参数p的有效值。

15、作为优选地,所述合并更新至器件模型进一步包括:

16、若多个器件模型对应的第一目标数据中的各拆分项均相同,则该第一目标数据为全局参数,所述全局参数对应的拆分项包括p0、lp、wp、pp;

17、若多个器件模型对应的第二目标数据中的各拆分项的拆分项均不相同,则该第二目标数据为局部参数;

18、其中,多个器件模型的目标参数p,将所述目标参数p拆分为global参数和local参数两部分数据,所述global参数和local参数内分别对应多个拆分项。

19、作为优选地,所述通过优化器与仿真器的迭代进行二次优化进一步包括:

20、根据仿真的器件模型公式y=p*l+q,得到分布器件的目标数据点的仿真结果;

21、假设l方向上分布着3个器件,则3个不同的数据点(a,b,c),

22、若数据点abc分布在同一条直线上,存在一组p,q使得abc对应的仿真值与abc完全重合;

23、若数据点abc分布不在同一条直线上,且预先固定q的参数值,通过公式a=(pg+pl_a)*l_a+q;b=(pg+pl_b)*l_b+q;c=(pg+pl_c)*l_c+q分别获取pl_a值、pl_b值、pl_c值,使得p沿l方向保持目标趋势,即不同l位置上的p值之间的差异最小,且同时满足拟合精度;

24、其中,pg部分表示控制整体参数趋势的第一目标数据;pl_a、pl_b、pl_c是abc各数据点对应的提升拟合精度的第二目标数据,l_a、l_b、l_c是abc各数据点对应的length值。

25、本发明还提供了一种集成电路器件模型的参数调优系统,包括:

26、提取模块,用于提取器件模型的历史数据中的目标参数;

27、拆分模块,用于对选取的目标参数进行拆分处理,所述拆分处理方式为将所述目标参数拆分成用于控制参数趋势的第一目标数据和用于控制每个参数本身波动性的第二目标数据;

28、一次优化模块,用于分别对所述第一目标数据和所述第二目标数据的调整范围进行一次优化,所述优化方式为确认并配置所述第一目标数据、所述第二目标数据的第一参数边界范围和第二参数边界范围,在对应的参数边界范围内进行参数调整以约束对应的变化范围;

29、二次优化模块,用于分别将拆分后的所述第一目标数据在第一参数边界范围内和所述第二目标数据在第二参数边界范围内通过优化器与仿真器的迭代进行二次优化,得到对应目标数据的贡献结果;

30、更新模块,用于根据目标参数趋势特征确认所述第一目标数据的贡献结果并根据目标波动特征确认所述第二目标数据的贡献结果,将两部分数据的贡献结果合并更新至器件模型;

31、其中,所述第一目标数据为全局参数,所述第二目标数据为局部参数。

32、基于相同的构思,本发明还提供一种电子设备,其特征在于,包括:存储器,所述存储器用于存储处理程序;处理器,所述处理器执行所述处理程序时实现上述任意一项所述的集成电路器件模型的参数调优方法。

33、基于相同的构思,本发明还提供一种可读存储介质,其特征在于,所述可读存储介质上存储有处理程序,所述处理程序被处理器执行时实现上述任意一项所述的集成电路器件模型的参数调优方法。

34、与现有技术相比,本技术具有如下的有益效果:

35、本所提供的集成电路器件模型的参数调优方法通过调整模型参数值来拟合对应器件的测量数据,通过优化器优化调整参数,在通过仿真器查看拟合程度,再将该结果给优化器,形成循环来回调整,直到达到优化器设定的拟合标准。

36、本发明通过拆分器件模型参数,使得器件模型参数能更加灵活地控制趋势与波动。将目标参数拆分成第一目标数据和第二目标数据,使用灵活,拆分后的参数可以进行单独优化或者自由组合以达到分别控制趋势及波动性的目的;使参数既能控制好趋势,又可以使得参数的波动性被压缩在很小范围内,即保持目标趋势,提升精度。同时对于参数控制有较为明确的方向,策略变得更加清晰;提升控制参数趋势及波动性的效率,节省开发时间。


技术特征:

1.一种集成电路器件模型的参数调优方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的集成电路器件模型的参数调优方法,其特征在于,所述通过优化器与仿真器的迭代进行二次优化进一步包括:

3.根据权利要求1所述的集成电路器件模型的参数调优方法,其特征在于,所述目标参数包括模型内部模型表达式/方程式中的电压、电阻、温度、尺寸及共同作用来仿真器件电学行为的变量。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件模型的参数调优方法,其特征在于,所述目标参数趋势特征包括所有有效尺寸范围内都是同一个数值或者确保同一个尺寸依赖趋势,所述目标波动特征指不同尺寸上参数彼此不同。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件模型的参数调优方法,其特征在于,所述用于控制参数趋势的第一目标数据global和用于控制每个参数本身波动性的第二目标数据local之间的关系表达式为global+local=peff,其中,peff表示器件模型中选取的目标参数p的有效值。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件模型的参数调优方法,其特征在于,所述合并更新至器件模型进一步包括:

7.根据权利要求1所述的集成电路器件模型的参数调优方法,其特征在于,所述通过优化器与仿真器的迭代进行二次优化进一步包括:

8.一种集成电路器件模型的参数调优系统,其特征在于,包括:

9.一种电子设备,其特征在于,包括:

10.一种可读存储介质,其特征在于,所述可读存储介质上存储有处理程序,所述处理程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任意一项所述的集成电路器件模型参数提取的方法。


技术总结
本发明公开一种集成电路器件模型的参数调优方法、系统、设备及介质,所述方法包括以下步骤:提取器件模型的历史数据中的目标参数;对选取的目标参数进行拆分处理;分别对所述第一目标数据和所述第二目标数据的调整范围进行一次优化;分别将拆分后的所述第一目标数据在第一参数边界范围内和所述第二目标数据在第二参数边界范围内通过优化器与仿真器的迭代进行二次优化,得到对应目标数据的贡献结果;根据目标参数趋势特征确认所述第一目标数据的贡献结果并根据目标波动特征确认所述第二目标数据的贡献结果,将两部分数据的贡献结果合并更新至器件模型,通过拆分模型参数的方法分别控制参数趋势以及参数波动性,提高调参的效率。

技术研发人员:石凯,李永胜,贾博智
受保护的技术使用者:上海概伦电子股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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