本公开涉及刻蚀治具，尤其涉及一种图形化刻蚀治具。
背景技术：
1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之ic产品。晶圆中的电路制作是利用图形衬底实现的，采用光刻胶在蓝宝石衬底做周期性排列的小图形，再利用增强耦合等离子体干法刻蚀技术，将次光刻胶转移至蓝宝石衬底上。
2、目前刻蚀采用的治具是铝盘上盖与底托采用螺丝固定，但是上盖的螺丝孔位置厚度不够，随着刻蚀加工次数的增多，该位置会被提前刻穿，进而影响治具的气密性，铝盘上盖提前报废，增加了刻蚀成本。cn217588895u公开的一种承载治具及刻蚀设备，在背景技术部分中公开了在对晶圆进行刻蚀的过程中，通常采用的承载治具，其包括承载装置及装载在承载装置内的组合盘，组合盘包括下盘、上盘和介于下盘及上盘之间的密封圈(未画出)。上盘盖合在下盘上，再通过承载装置压紧后整体翻转组合盘，通过螺钉锁紧上盘和下盘，以使固定晶圆。其螺钉锁紧上盘和下盘时，螺孔位置厚度不够，极易报废。
技术实现思路
1、本公开所要解决的一个技术问题是：上盖的螺丝孔位置厚度不够，使其位置会被提前刻穿，进而影响治具的气密性的问题。
2、为解决上述技术问题，本公开实施例提供一种图形化刻蚀治具，包括：
3、第一盘体，所述第一盘体设置有安装通孔；
4、层叠于所述第一盘体的第二盘体，所述第一盘体和所述第二盘体之间用于夹持待刻蚀件；
5、其中，所述第二盘体的一侧设置有与所述安装通孔对应的安装盲孔，另一侧设置有与所述安装盲孔对齐的补强部；以及
6、紧固件，所述紧固件穿过所述安装通孔并接合到所述安装盲孔中。
7、在一些实施例中，所述补强部具有预设直径和预设厚度；其中，所述预设直径的尺寸大于所述安装盲孔的直径。
8、在一些实施例中，包括设置于所述第一盘体的第一定位部以及设置于所述第二盘体的第二定位部；
9、所述第一盘体通过所述第一定位部与所述第二盘体的所述第二定位部定位连接。
10、在一些实施例中，所述第一定位部包括定位凸起，所述第二定位部包括定位通槽；
11、所述定位凸起和所述定位通槽插接连接。
12、在一些实施例中，所述定位凸起包括第一定位体和第二定位体；
13、所述定位通槽包括与所述第一定位体对应插接设置的第一定位槽以及与所述第二定位体对应插接设置的第二定位槽；
14、其中，所述第一定位体和所述第二定位体形状不同。
15、在一些实施例中，所述第一盘体沿其周向外侧壁设置有第一限位部；
16、所述第二盘体设置有能够与所述第一限位部限位连接的第二限位部。
17、在一些实施例中，所述第一限位部包括环形凹槽，所述第二限位部包括多个能够嵌设于弧形所述环形凹槽内的弧形凸缘。
18、在一些实施例中，包括设置于所述第一盘体的密封件，所述第一盘体通过所述密封件承载待刻蚀件。
19、在一些实施例中，所述第二盘体具有刻蚀通孔，所述刻蚀通孔用于显露所述密封件上的待刻蚀件。
20、在一些实施例中，所述刻蚀通孔的径向方向设置有压爪，所述压爪将待刻蚀件压制于所述密封件上。
21、通过上述技术方案，本公开提供的图形化刻蚀治具，由补强部增强安装盲孔的强度，避免第二盘体因厚度不够提前被刻穿，提升第二盘体的使用寿命，有效降低了生产成本。
1.一种图形化刻蚀治具，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，所述补强部(22)具有预设直径和预设厚度；
3.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，包括设置于所述第一盘体(1)的第一定位部(12)以及设置于所述第二盘体(2)的第二定位部(23)；
4.根据权利要求3所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，所述第一定位部(12)包括定位凸起，所述第二定位部(23)包括定位通槽；
5.根据权利要求4所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，所述定位凸起包括第一定位体(121)和第二定位体(122)；
6.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，所述第一盘体(1)沿其周向外侧壁设置有第一限位部(13)；
7.根据权利要求6所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，所述第一限位部(13)包括环形凹槽，所述第二限位部(24)包括多个能够嵌设于弧形所述环形凹槽内的弧形凸缘。
8.根据权利要求1所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，包括设置于所述第一盘体(1)的密封件(4)，所述第一盘体(1)通过所述密封件(4)承载待刻蚀件。
9.根据权利要求8所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，所述第二盘体(2)具有刻蚀通孔(25)，所述刻蚀通孔(25)用于显露所述密封件(4)上的待刻蚀件。
10.根据权利要求9所述的图形化刻蚀治具，其特征在于，所述刻蚀通孔(25)的径向方向设置有压爪(26)，所述压爪(26)将待刻蚀件压制于所述密封件(4)上。
