本公开涉及一种集成电路器件。
背景技术：
1、具有图像传感器的集成电路(ic)广泛用于现代电子产品器件，例如相机及手机。互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,cmos)器件已成为流行的集成电路图像传感器。与电荷耦合器件(charge-coupled device,ccd)相比，互补金属氧化物半导体图像传感器(cmos image sensor,cis)具有功耗低、体积小、数据处理速度快、数据直接输出、制造成本低等优点，越来越受到青睐。作为减小集成电路器件尺寸的驱动力的一部分，长期以来，人们一直认为需要使cis像素更小。当cis像素变得越来越小，解决封装问题、保持灵敏度及减少串扰变得具有挑战性。
技术实现思路
1、在本公开的实施例中，集成电路器件包括半导体衬底及包括光电二极管、转移栅电极及浮接扩散区的光探测器像素。所述光电二极管以及所述浮接扩散区在所述半导体衬底中。转移栅电极被局限在所述半导体衬底的前侧之下。
2、在本公开的实施例中，集成电路器件包括半导体衬底及包括光电二极管、转移栅及浮接扩散区的光探测器像素。所述光电二极管以及所述浮接扩散区在所述半导体衬底中。所述转移栅包括至少部分地环绕所述浮接扩散区的范围的电极。
3、在本公开的实施例中，一种方法包括：提供具有前侧以及背侧的半导体衬底；在所述半导体衬底中形成n型掺杂区；在所述n型掺杂区上方形成p型掺杂区，使得所述n型掺杂区以及所述p型掺杂区形成pn结；在所述前侧中刻蚀开口；以栅极电介质铺衬所述开口；沉积导电材料以填充所述开口；去除所述导电材料的一部分，使得沉积在所述开口之内的所述导电材料与沈积在所述开口之外的任何的所述导电材料分离；以及掺杂以形成浮接扩散区；其中所述方法形成包括所述pn结的光电二极管；以及所述开口中的所述导电材料在所述n型掺杂区域以及所述浮接扩散区之间形成用于转移栅极的转移栅电极。
4、为让本公开的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述转移栅电极的顶部在所述浮接扩散区的顶部或低于所述浮接扩散区的顶部。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述转移栅电极是弯曲的，凹侧面向所述浮接扩散区的范围。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，还包括围绕所述光探测器像素的隔离结构，其中所述隔离结构包括导电芯并且所述导电芯的上表面与所述转移栅电极的上表面在垂直方向上对齐。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，其中：
8.一种集成电路器件，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其特征在于，所述电极夹住所述浮接扩散区的相对两侧。
10.根据权利要求8所述的集成电路器件，其特征在于，所述电极是整体式结构，且所述电极嵌入在所述半导体衬底内。
