本申请涉及功率器件，具体涉及一种应用于双管正激电源的合封功率器件及其制备方法。
背景技术：
1、开关电源功率密度是衡量一款电源技术水平的重要依据，如何实现单位体积内更高的功率密度成为了设计师们的一大难题。在电源中，功率器件的功率密度直接决定了电源整机的功率密度。
2、在传统双管正激开关电源中，其dc-dc变换器的原边电路包括四颗独立封装的器件，分别为两颗n-mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)和两颗快恢复的二极管。在电源pcb(printed circuitboard，印刷电路板)设计的时候，如果四颗器件的布局布线不合理，将会人为的浪费宝贵的空间，同时单位体积内原边电路的功率密度较低。
3、因此，如何提高单位体积内原边电路的功率密度，是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种应用于双管正激电源的合封功率器件及其制备方法，用于解决现有技术中如何提高单位体积内原边电路的功率密度的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请提供一种应用于双管正激电源的合封功率器件，所述功率器件包括：
3、铜框架；
4、两个晶体管，所述两个晶体管设置于所述铜框架内；
5、两个二极管，所述两个二极管与所述两个晶体管合封于所述铜框架内。
6、于本申请的一实施例中，所述两个晶体管包括上管晶体管和下管晶体管，所述两个二极管包括第一二极管和第二二极管；
7、所述上管晶体管的裸晶与所述第一二极管的裸晶相邻设置；
8、所述第一二极管的管脚通过键合引线与所述下管晶体管的管脚连接，所述上管晶体管的管脚通过键合引线与所述第二二极管的管脚连接。
9、于本申请的一实施例中，所述上管晶体管和下管晶体管为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
10、于本申请的一实施例中，所述合封功率器件还包括：
11、开尔文管脚，所述上管晶体管的发射极与所述开尔文管脚连接，所述下管晶体管的发射极与所述开尔文管脚连接。
12、于本申请的一实施例中，所述合封功率器件还包括：
13、无极性散热铜片，所述无极性散热铜片设置于所述铜框架与所述裸晶之间。
14、于本申请的一实施例中，所述第一二极管的负极连接所述上管晶体管的漏极，所述第一二极管的正极连接所述下管晶体管的漏极；
15、所述第二二极管的负极连接所述上管晶体管的源极，所述第二二极管的正极连接所述下管晶体管的源极。
16、于本申请的一实施例中，还提供了一种应用于双管正激电源的合封功率器件制备方法，所述方法包括：
17、获取预设电路原理图；
18、根据所述预设电路原理图，设计铜框架；
19、在所述铜框架上，设计无极性散热铜片的框架；
20、通过预先设计的注塑模具和切筋模具，在所述无极性散热铜片的框架上生成两个晶体管和两个二极管，所述两个二极管与所述两个晶体管合封于所述铜框架内。
21、本发明的有益效果：
22、本发明中，在铜框架上将原本独立封装的两个晶体管和两个二极管合封到一个封装中，减小了总的芯片体积，同时缩短了走线，降低了线路的寄生参数，提高了单位体积内原边电路的功率密度。
23、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
1.一种应用于双管正激电源的合封功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：
2.根据权利要求1所述的应用于双管正激电源的合封功率器件，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的应用于双管正激电源的合封功率器件，其特征在于，所述上管晶体管和下管晶体管为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
4.根据权利要求2所述的应用于双管正激电源的合封功率器件，其特征在于，所述合封功率器件还包括：
5.根据权利要求2所述的应用于双管正激电源的合封功率器件，其特征在于，所述合封功率器件还包括：
6.根据权利要求2所述的应用于双管正激电源的合封功率器件，其特征在于：
7.一种应用于双管正激电源的合封功率器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：
