本发明属于电子科学与，主要涉及到集成电路静电放电(esd-electrostatic discharge)保护领域，具体为一种维持电压可调的多端口esd保护器件及其制作方法。
背景技术：
1、随着信息时代的发展，电子设备逐渐向同时具有多个通信端口进行数据传输的方向演变，而热插拔式的通信端口由于人体的触碰极易受到静电放电的损伤，因此对多个通信端口的静电放电保护是必不可少的。
2、对于静电放电保护器件而言，其关键参数主要有击穿电压、触发电压、触发电流、维持电压、维持电流、二次失效电流以及电容和静电放电保护能力。通常情况下，esd保护器件的击穿电压被要求大于被保护系统的工作电压，以免导致误触发的现象。而高速通信端口的传输速率非常快，低电容是其esd保护器件的重要指标，对于被保护的系统而言，不能因为静电放电保护器件而引入过大的寄生电容，这会对高速通信端口的传输速率造成影响。
3、常用于esd保护的基本器件有二极管、三极管（bjt）和可控硅（scr）。这几类基本器件中，bjt具有放大系数，使得其具有动态导通电阻小、esd保护能力强、维持电压合适的优点，因此相比其他几类器件，bjt在esd保护器件中使用频率较高。另一常用于esd保护的器件为scr，尽管scr电流泄放能力强，但其维持电压过低，容易引起闩锁问题。
4、图1是常规的通信接口的esd保护器件的结构剖面示意图。n型衬底201上设有p阱1区202，p阱1区202上设有p阱2区203，p阱2区203上设有p+扩散区204、n+扩散区205，p阱1区202上设有p+扩散区204、n+扩散区205，n型衬底201上设有p+扩散区204、n+扩散区205。图中共包含三个结构单元，其中正偏二极管单元由n+扩散区205、p+扩散区204构成，反偏二极管单元由p阱1区202、n+扩散区205、p+扩散区204构成，npn单元由p阱1区202、p阱2区203、n+扩散区205、p+扩散区204构成。在各单元之间和各n+扩散区、p+扩散区之间设有绝缘介质层206。阳极金属208设在n+扩散区和p+扩散区204上，作为阳极接触电极。阴极金属209设在p+扩散区204、n+扩散区205上，作为阴极接触电极。集电极金属207设在正偏二极管的n+扩散区205和npn单元的n+扩散区205上，集电极金属207不接电位，但走电流。
5、上述结构中，存在部分缺陷，一方面，存在严重的寄生效应，各单元之间通过pn结隔离使得面积比较大，造成电容大；另一方面，p阱2区的掺杂浓度不易过高，不仅限制了该结构的应用场景而且限制了npn三极管的esd保护能力。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种维持电压可调的多端口esd保护器件及其制作方法，以针对高速通信接口，解决esd保护器件的维持电压低、电容大、esd保护能力不足、寄生效应等问题。
2、为实现上述目的，本发明提供一种维持电压可调的多端口esd保护器件，包括soi衬底，所述soi衬底由n型衬底层、中间埋氧层及顶部n型半导体层叠加而成；所述顶部n型半导体层上形成有三个结构单元，分别为正偏二极管单元、反偏二极管单元和npn三极管单元，其中npn三极管单元包括设置于顶部n型半导体层上的p型阱区以及设置在p型阱区上的p+扩散1区、p+扩散2区和n+扩散区，p+扩散2区的注入位置或者注入浓度可根据需要调整，且p+扩散2区上还设置有n+扩散区。
3、优选的，所述沟槽的刻蚀深度的范围为4µm~6µm，刻蚀宽度为1µm。
4、优选的，正偏二极管单元包括设置于顶部n型半导体层上的p+扩散1区和n+扩散区；反偏二极管单元包括设置于顶部n型半导体层上的p型阱区以及设置在p型阱区上的p+扩散1区和n+扩散区；
5、各结构单元之间、反偏二极管单元的n+扩散区和p+扩散1区之间、npn三极管单元的p+扩散1区和n+扩散区之间均存在有locos隔离区；顶部n型半导体层上设置有沟槽于各结构单元之间；正偏二极管单元n+扩散区和p+扩散1区之间、npn三极管单元的n+扩散区和p+扩散2区之间、npn三极管单元的p+扩散2区上的n+扩散区淀积有绝缘介质层；
6、正偏二极管单元和npn三极管单元共有集电极金属，正偏二极管单元和反偏二极管单元共有阳极金属，反偏二极管单元和npn三极管单元共有阴极金属。
7、同时本发明提供上述esd保护器件的制作方法，包括如下步骤：
8、步骤01，准备soi衬底，所述soi衬底由n型衬底层、中间埋氧层及顶部n型半导体层叠加而成；
9、步骤02，在顶部n型半导体层上，生长牺牲氧化层，光刻后注入低浓度的杂质硼，再进行高温推进，形成p型阱区；
10、步骤03，用淀积氮化物膜si3n4作为氧化阻挡层，刻蚀图形后，热氧化，再去除氮化物，即制作硅的局部氧化locos，起器件电学参数隔离作用；
11、步骤04，光刻注入杂质硼，去除光刻胶，形成p+扩散1区；光刻注入杂质硼，去除光刻胶，形成p+扩散2区；再光刻注入杂质磷，去除光刻胶，形成n+扩散区；之后，一起退火；
12、步骤05，光刻形成沟槽，并淀积绝缘介质层；
13、步骤06，光刻刻蚀接触孔，溅射金属，金属光刻，合金，背面减薄。
14、优选的，步骤02中，高温退火温度为1150℃，退火时间为360分钟。
15、优选的，步骤03中，热氧化形成2000å的氧化物。
16、优选的，步骤04中，退火温度为950℃，退火时间为30分钟；通过调整p+扩散2区的注入位置或者注入浓度，以调节维持电压。
17、优选的，步骤05中，使用干法刻蚀沟槽并生长氧化层，再使用lpteos淀积介质层以填充沟槽；继续淀积一层usg隔离介质层，形成绝缘介质层，最后通过致密回流来去掉潮气并增加膜密度
18、本发明的有益效果在于：
19、1、本发明的p+扩散2区可以调节esd保护器件的维持电压，防止静电放电的瞬时高压、大电流来临时esd保护器件的维持电压低于被保护系统的工作电压，从而提供可靠的esd保护。
20、2、本发明制造的维持电压可调的多端口esd保护器件的方法，与现有的类似功能的器件相比，寄生电容减小了20%，并且由于soi的引入，解决了npn的寄生问题。同时，维持电压可调功能是通过p+扩散2区实现，避免了高温推结过程，减少了制造过程中的热预算。
21、3、本发明制造的维持电压可调的多端口esd保护器件，可以实现多端口的esd保护，并且esd能力大于30kv，8/20µs下允许通过的峰值电流达到13a，为高速通信接口的esd保护提供一种解决方案。
1.一种维持电压可调的多端口esd保护器件，其特征在于：包括soi衬底，所述soi衬底由n型衬底层、中间埋氧层及顶部n型半导体层叠加而成；所述顶部n型半导体层上形成有三个结构单元，分别为正偏二极管单元、反偏二极管单元和npn三极管单元，其中npn三极管单元包括设置于顶部n型半导体层上的p型阱区以及设置在p型阱区上的p+扩散1区、p+扩散2区和n+扩散区，p+扩散2区的注入位置或者注入浓度可根据需要调整，且p+扩散2区上还设置有n+扩散区。
2.根据权利要求1所述的esd保护器件，其特征在于：所述沟槽的刻蚀深度的范围为4µm~6µm，刻蚀宽度为1µm。
3.根据权利要求1所述的esd保护器件，其特征在于：正偏二极管单元包括设置于顶部n型半导体层上的p+扩散1区和n+扩散区；反偏二极管单元包括设置于顶部n型半导体层上的p型阱区以及设置在p型阱区上的p+扩散1区和n+扩散区；
4.一种维持电压可调的多端口esd保护器件的制作方法，其特征在于：通过如下步骤，制成如权利要求3所述的esd保护器件，
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于：步骤02中，高温退火温度为1150℃，退火时间为360分钟。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于：步骤03中，热氧化形成2000å的氧化物。
7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于：步骤04中，退火温度为950℃，退火时间为30分钟；通过调整p+扩散2区的注入位置或者注入浓度，以调节维持电压。
8.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于：步骤05中，使用干法刻蚀沟槽并生长氧化层，再使用lpteos淀积介质层以填充沟槽；继续淀积一层usg隔离介质层，形成绝缘介质层，最后通过致密回流来去掉潮气并增加膜密度。
