受体基板、受体基板的制造方法、移载方法、LED面板的制造方法和压模与流程

专利检索2026-05-10  1


本发明涉及一种受体基板、受体基板的制造方法、移载方法、led面板的制造方法和压模。


背景技术:

1、近年来,氮化物半导体的光元件被用作液晶显示器的背光(backlight)、或广告牌(signage)用显示器。这些用途中,一次使用大量的光元件,因而要求高速的移载技术。作为高速的移载技术,通常进行基于使用压模的压印(stamp)方式的一并移载,一次可移载1000个~几万个左右。

2、光元件例如是通过半导体工艺在蓝宝石基板上大量制作。在通过被称为微型发光二极管(light emitting diode,led)的100μm见方以下的led来制作4英寸的显示器基板的情况下,需要几百万个微型led。作为几十μm的微小元件的微型led是自作为磊晶基板的蓝宝石基板分离而利用。

3、作为分离方法,通常是对排列于蓝宝石基板上的光元件贴合作为供体前驱基板的支撑基板,并通过激光剥离(laser lift-off)自蓝宝石基板分离光元件。由此,可获得在表面上配置有多个光元件的供体基板。

4、此种方法并不限于与光元件相关的情况,也可应用于制造在表面上配置有微细的半导体元件等多个移载对象物的供体基板。

5、另外,供体基板上的移载对象物例如以成为与制品的电路基板对应的配置的方式移载至受体基板上,并能通过压印方式自所述受体基板移载至制品的电路基板等其他基板。

6、例如,在专利文献1中提出了一种使用激光照射将供体基板上的移载对象物高精度地移载至受体基板的方法。

7、现有技术文献

8、专利文献

9、专利文献1:日本专利特开2020-4478号公报


技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、先前,在以压印方式自受体基板向其他基板移载时,有时会产生漏拾取移载对象物的一部分或者误拾取与移载对象物相邻的元件等不良状况。这些降低了包括多个移载对象物的制品的生产性。

3、本发明是为了解决所述问题而成,其目的在于提供一种在使用压模进行移载时可提高移载对象物的拾取成功率的受体基板、所述受体基板的制造方法、使用所述受体基板的移载方法及led面板的制造方法、以及压模。

4、解决问题的技术手段

5、为了解决所述课题,在本发明中,提供一种受体基板,所述受体基板配置有使用压模向其他基板移载的多个移载对象物,其中,

6、所述受体基板具有多个配置有通过利用所述压模进行的一次移载动作而同时移载的一组所述移载对象物的分区,

7、在所述分区外具有未配置所述移载对象物的非配置区域,

8、所述多个分区分别被所述非配置区域包围。

9、本发明的受体基板具有多个配置有通过利用压模进行的一次移载动作而同时移载的一组移载对象物的分区,因此可以每个分区为单位进行移载,无需使用大的压模一并进行全部移载对象物的移载,其结果,可防止因所使用的压模或受体基板的面方向上的翘曲而导致的拾取不良。

10、另外,本发明的受体基板的各分区被未配置移载对象物的非配置区域包围,因此在利用压模进行一次移载动作时,可防止误拾取配置于相邻的分区中的元件。

11、这些的结果,根据本发明的受体基板,可提高移载对象物的拾取成功率,结果可提高包括移载对象物的制品的生产性。

12、例如,所述移载对象物可为微型led或半导体芯片。

13、移载对象物并无特别限定,例如可设为微型led或半导体芯片。

14、另外,在本发明中,提供一种受体基板的制造方法,所述受体基板配置有使用压模向其他基板移载的多个移载对象物,所述受体基板的制造方法包括下述工序:

15、准备包括所述移载对象物的供体基板、及受体前驱基板;以及

16、通过激光剥离将所述移载对象物自所述供体基板移载至所述受体前驱基板,从而获得受体基板,

17、在所述获得受体基板的工序中,以如下方式通过所述激光剥离来进行所述移载对象物的移载,即,在所述受体前驱基板上形成多个配置有通过利用所述压模进行的一次移载动作而同时移载的一组所述移载对象物的分区,在所述分区外形成未配置所述移载对象物的非配置区域,且所述多个分区分别被所述非配置区域包围。

18、根据此种受体基板的制造方法,可制造本发明的受体基板,其可提高移载对象物的拾取成功率,结果可提高包括移载对象物的制品的生产性。

19、另外,在本发明中,提供一种移载方法,其使用压模将多个移载对象物自本发明的受体基板移载至其他基板,所述移载方法包括:

20、压印工序,使用所述压模并通过一次移载动作,而自所述受体基板的所述多个分区的至少一个将所述一组移载对象物以每个所述分区为单位同时移载至所述其他基板。

21、若为此种移载方法,则由于使用本发明的受体基板,因此可提高移载对象物的拾取成功率,其结果,可实现优异的移载效率。

22、另外,在本发明中,提供一种led面板的制造方法,其包括下述工序:准备所述移载对象物为微型led的受体基板,且所述受体基板为本发明中记载的受体基板;

23、准备led面板基板;以及

24、使用压模并通过一次移载动作,而自所述受体基板的所述多个分区的至少一个将所述一组移载对象物即微型led以每个所述分区为单位同时移载至所述led面板基板。

25、若为此种led面板的制造方法,则由于使用本发明的受体基板进行移载,因此可提高微型led的拾取成功率,其结果,可以高生产性制造led面板。

26、另外,在本发明中,提供一种压模,其在基板的其中一个面设置有压模头,所述压模中,

27、所述基板的其中一个面上的未设置压模头的区域具有实施了脱模处理的区域。

28、若为此种压模,则因存在实施了脱模处理的区域而即便在压模接触到与移载对象的分区相邻的分区的一部分的情况下,也可抑制意外的相邻分区的拾取,提高移载对象物的拾取成功率。另外,此种实施了脱模处理的压模并不限于以每个分区为单位进行拾取的用途,对于修补(移载对象物向排列有移载对象物的基板的去除了不良移载对象物的部分的再移载)而言特别有效。

29、例如,所述脱模处理可设为形成脱模膜。

30、脱模处理并无特别限定,例如可设为形成脱模膜。

31、例如,所述脱模膜可为氟树脂膜或金属膜。

32、脱模膜并无特别限定,例如可为氟树脂膜或金属膜。

33、例如,所述压模头的拾取移载对象物的面可具有突起。

34、通过进行拾取的面具有突起,可发挥更优异的拾取性。

35、在所述情况下,所述突起优选为呈矩阵状设置。

36、通过具有呈矩阵状设置的突起,可实现更稳定的拾取。

37、另外,所述突起的大小优选为与突起外接的外接圆的直径是与移载对象物外接的外接圆的直径的0.5倍~1.5倍的大小。

38、通过设为此种范围,可更高精度地进行移载。

39、另外,所述压模头的拾取移载对象物的面也可具有接着层。

40、本发明的压模可通过接着层来实现拾取。

41、另外,所述压模头的拾取移载对象物的面也可由接着剂制作。

42、本发明的压模可通过接着剂来实现拾取。

43、所述压模头也可由硅酮树脂形成。

44、压模头例如可设为由硅酮树脂形成的压模头。

45、本发明的压模例如用于修补处理。

46、如上所述,本发明的压模对于修补而言特别有效。

47、发明的效果

48、如以上所述,若为本发明的受体基板,则可提高移载对象物的拾取成功率,结果可提高包括移载对象物的制品的生产性。

49、另外,若为本发明的受体基板的制造方法,则可制造本发明的受体基板,其可提高移载对象物的拾取成功率,结果可提高包括移载对象物的制品的生产性。

50、另外,若为本发明的移载方法,则可提高移载对象物的拾取成功率,其结果,可实现优异的移载效率。

51、另外,若为本发明的led面板的制造方法,则可以高生产性制造led面板。

52、另外,若为本发明的压模,则可提高移载对象物的拾取成功率。


技术特征:

1.一种受体基板,配置有使用压模向其他基板移载的多个移载对象物,

2.根据权利要求1所述的受体基板,其中,所述移载对象物是微型发光二极管或半导体芯片。

3.一种受体基板的制造方法,所述受体基板配置有使用压模向其他基板移载的多个移载对象物,所述受体基板的制造方法包括下述工序:

4.一种移载方法,使用压模将多个移载对象物自根据权利要求1所述的受体基板移载至其他基板,所述移载方法包括:

5.一种发光二极管面板的制造方法,包括下述工序:

6.一种压模,在基板的其中一个面设置有压模头,所述压模中,

7.根据权利要求6所述的压模,其中,所述脱模处理是形成脱模膜。

8.根据权利要求7所述的压模,其中,所述脱模膜是氟树脂膜或金属膜。

9.根据权利要求6所述的压模,其中,所述压模头的拾取移载对象物的面具有突起。

10.根据权利要求9所述的压模,其中,所述突起呈矩阵状设置。

11.根据权利要求9所述的压模,其中,所述突起的大小为与突起外接的外接圆的直径是与移载对象物外接的外接圆的直径的0.5倍~1.5倍的大小。

12.根据权利要求6所述的压模,其中,所述压模头的拾取移载对象物的面具有接着层。

13.根据权利要求6所述的压模,其中,所述压模头的拾取移载对象物的面由接着剂制作。

14.根据权利要求6所述的压模,其中,所述压模头由硅酮树脂形成。

15.根据权利要求6至14中任一项所述的压模,其用于修补处理。


技术总结
本发明提供一种在使用压模进行移载时可提高移载对象物的拾取成功率的受体基板、所述受体基板的制造方法、以及使用所述受体基板的移载方法及LED面板的制造方法。一种受体基板,配置有使用压模向其他基板移载的多个移载对象物,所述受体基板具有多个配置有通过利用所述压模进行的一次移载动作而同时移载的一组所述移载对象物的分区,在所述分区外具有未配置所述移载对象物的非配置区域,所述多个分区分别被所述非配置区域包围。

技术研发人员:山冈裕,仓田昌実,宇佐美健人,小川敬典,近藤和纪
受保护的技术使用者:信越化学工业株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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