本文的描述涉及检测器和检测方法，更具体地，涉及可应用于带电粒子检测的检测器和检测方法。
背景技术：
1、检测器可用于感测物理上可观察的现象。例如，诸如电子显微镜的带电粒子束工具可包括接收从样品投射的带电粒子并输出检测信号的检测器。检测信号可用于重建被检查的样品结构的图像，并可用于例如揭示样品中的缺陷。在可能包括大量密集封装的、小型化的集成电路(ic)部件的半导体器件的制造中，检测样品中的缺陷日益重要。为此目的，检查系统可以作为专用工具被提供。
2、随着半导体器件的持续小型化，对包括检测器的检查系统的性能要求可能持续增加。例如，具有高着陆能量(le)能力(例如，30kev及以上)的电子束(e-beam)系统由于可用于存储器设备中的竖直结构的纵横比增加以及在dram以及逻辑器件中可能需要更严格的重叠性能的不断缩小的设计规则而吸引了极大兴趣。由于初级电子(pe)的强穿透能力和背散射电子(bse)的可以允许bse逸出样品材料并到达检测器的大动量，因此高le系统在诸如沟槽/孔底检查、掩埋缺陷/空隙检测和重叠/透视计量等应用中显示出巨大的潜力。然而，在这种系统中pe的大量能量可能导致样品中更大的相互作用体积，并可能导致成像质量下降。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供了用于基于带电粒子束进行检测的系统和方法。在一些实施例中，可提供一种被配置为执行样品检测的带电粒子束系统。检测方法可以包括：检测从样品发射的带电粒子。形成掩埋结构的图像的方法可以包括：从源发射初级带电粒子；接收来自样品的多个次级带电粒子；以及基于所接收的具有第一范围内的能量的次级带电粒子来形成图像。
2、应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述仅是示例性和说明性的，而不是对所公开的实施例的限制，如可以要求保护的。
1.一种带电粒子束系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一范围是基于所接收的次级带电粒子的能量水平与所述初级带电粒子穿透到所述样品中的深度之间的相关性而确定的。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一范围被确定为使得只有穿透深度低于第一阈值的次级带电粒子被用于形成所述图像。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述初级带电粒子是电子。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述次级带电粒子是背散射电子。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器还被配置为：
7.根据权利要求6所述的系统，所述能量过滤包括丢弃来自具有在所述第一范围之外的能量的所述次级带电粒子的信号。
8.根据权利要求6所述的系统，还包括能量过滤器，其中所述控制器还被配置为：
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器还被配置为：
10.根据权利要求9所述的系统，其中调节所述着陆能量，使得由所述初级带电粒子形成的相互作用区域的有效深度和有效斑点尺寸与所述掩埋结构相匹配。
11.一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，所述指令集能够由带电粒子束装置的一个或多个处理器执行以使得所述带电粒子束装置执行方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的介质，其中所述第一范围是基于所接收的次级带电粒子的能量水平与所述初级带电粒子穿透到所述样品中的深度之间的相关性来确定的。
13.根据权利要求12所述的介质，其中所述第一范围被确定为使得只有穿透深度低于第一阈值的次级带电粒子被用于形成所述图像。
14.根据权利要求11所述的介质，其中所述初级带电粒子是电子。
15.根据权利要求11所述的介质，所述次级带电粒子是背散射电子。
