本发明涉及一种超音波阵列及其超音波阵列制造方法，尤其涉及一种具有较佳解析度的超音波阵列及其超音波阵列制造方法。
背景技术：
1、传统超音波探测器具有发射超音波讯号的探头，利用多个压电装置发射出多束超音波讯号，每一束超音波讯号会对应一条扫描线，并接收对应扫描线的超音波反射讯号，进行影像辨识及物体侦测以应用在各种医疗用途。传统超音波探测器中的压电材料以矩形切割为多个阵元。然而，矩形排列的多个阵元难以有效地阻绝沿着压电材料的结构纵向及对角线的震动传递，容易产生杂讯而影响传统超音波探测器的侦测准确度。
2、因此，有必要设计一种新型的超音波阵列及其超音波阵列制造方法，以克服上述缺陷。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种超音波阵列及其超音波阵列制造方法，其能够。
2、为达到上述目的，本发明提供了一种超音波阵列制造方法，包含：提供压电材料层区具有一个或复多个压电单元，该多个压电单元的其中之一的压电单元具有相互对应的第一侧边与第二侧边；在该压电单元从该第一侧边至该第二侧边的方向斜向制作第一切割槽；在该压电单元斜向制作交错于该第一切割槽的第二切割槽；以及将该压电单元的不同电极面分别耦接于第一引线和第二引线。
3、较佳的，还包含有：在该压电单元制作平行于该第一切割槽的第三切割槽。
4、较佳的，还包含有：寻找该压电单元的四个侧边，并将相应的两短边定义为该第一侧边与该第二侧边。
5、较佳的，该第一侧边具有相对应一第一端点与第二端点，该第二侧边具有相对应的第三端点与第四端点，该第一端点和该第三端点位于该压电单元的同一侧，该第二端点和该第四端点位于该压电单元的另一侧，该超音波阵列制造方法还包含有：制作从邻近该第一端点的位置延伸到邻近该第四端点的位置的该第一切割槽；以及制作从邻近该第二端点的位置延伸到邻近该第三端点的位置的该第二切割槽。
6、较佳的，该第一切割槽的两个相对端分别交错于该第一侧边与该第二侧边。
7、较佳的，该压电单元还具有位于该第一侧边与该第二侧边之间且相互对应的第三侧边与第四侧边，并且该第一切割槽的两个相对端分别交错于该三侧边与该第四侧边。
8、较佳的，该第一切割槽的深度超过该压电单元的厚度；或者，该第一切割槽的深度大于或等于该压电单元的该厚度的三分之二。
9、较佳的，该第一切割槽对称于该第二切割槽。
10、较佳的，还包含有：在该压电单元制作平行于该第一侧边或该第二侧边的多个第四切割槽。
11、较佳的，该多个第四切割槽的两条相邻第四切割槽的间距介于0.01mm～0.2mm。
12、本发明还提供一种超音波阵列，包含：压电材料层，由一个或多个压电单元组成，该多个压电单元的其中之一的压电单元具有相互对应的第一侧边与第二侧边，该压电材料层包含：第一切割槽，从该第一侧边延伸至该第二侧边而斜向形成在该压电单元；以及第二切割槽，交错于该第一切割槽且斜向形成在该压电单元；第一引线，耦接于该压电单元的电极面；以及第二引线，耦接于该压电单元的另一电极面。
13、较佳的，该压电材料层还包含第三切割槽，沿着平行于该第一切割槽的方向形成在该压电单元。
14、较佳的，该压电单元的四个侧边中的两个对应短边定义为该第一侧边与该第二侧边。
15、较佳的，该第一侧边具有相对应的第一端点与第二端点，该第二侧边具有相对应的第三端点与第四端点，该第一端点和该第三端点位于该压电单元的同一侧，该第二端点和该第四端点位于该压电单元的另一侧，该第一切割槽从邻近该第一端点的位置延伸到邻近该第四端点的位置，该第二切割槽从邻近该第二端点的位置延伸到邻近该第三端点的位置。
16、较佳的，该第一切割槽的两个相对端分别交错于该第一侧边与该第二侧边。
17、较佳的，该压电单元还具有位于该第一侧边与该第二侧边之间且相互对应的第三侧边与第四侧边，并且该第一切割槽的两个相对端分别交错于该三侧边与该第四侧边。
18、较佳的，该第一切割槽的深度超过该压电单元的厚度；或者，该第一切割槽的深度大于或等于该压电单元的该厚度的三分之二。
19、较佳的，该第一切割槽对称于该第二切割槽。
20、较佳的，该压电材料层还包含多个第四切割槽，沿着平行于该第一侧边或该第二侧边的方向形成在该压电单元上。
21、较佳的，该多个第四切割槽的两条相邻第四切割槽的间距介于0.01mm～0.2mm。
22、与现有技术相比，本发明实施例提供的一种超音波阵列利用超音波阵列制造方法将压电材料层的压电单元分割成多个斜向阵元，每一个阵元藉由非垂直于压电单元的两条相应侧边的切割槽进行分割，不同阵元之间彼此交错且以切割槽作为间隙，能够隔绝沿着压电单元的结构纵向和对角线方向的震动传递，因此本发明的超音波阵列制造方法及其制作的超音波阵列可以具有较佳操作频宽而广泛应用于超音波换能器。
1.一种超音波阵列制造方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，还包含有：
3.如权利要求1所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，还包含有：
4.如权利要求1所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，该第一侧边具有相对应一第一端点与第二端点，该第二侧边具有相对应的第三端点与第四端点，该第一端点和该第三端点位于该压电单元的同一侧，该第二端点和该第四端点位于该压电单元的另一侧，该超音波阵列制造方法还包含有：
5.如权利要求1所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，该第一切割槽的两个相对端分别交错于该第一侧边与该第二侧边。
6.如权利要求1所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，该压电单元还具有位于该第一侧边与该第二侧边之间且相互对应的第三侧边与第四侧边，并且该第一切割槽的两个相对端分别交错于该三侧边与该第四侧边。
7.如权利要求1所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，该第一切割槽的深度超过该压电单元的厚度；
8.如权利要求1所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，该第一切割槽对称于该第二切割槽。
9.如权利要求1所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，还包含有：
10.如权利要求9所述的超音波阵列制造方法，其特征在于，该多个第四切割槽的两条相邻第四切割槽的间距介于0.01mm～0.2mm。
11.一种超音波阵列，其特征在于，包含：
12.如权利要求11所述的超音波阵列制造，其特征在于，该压电材料层还包含第三切割槽，沿着平行于该第一切割槽的方向形成在该压电单元。
13.如权利要求11所述的超音波阵列制造，其特征在于，该压电单元的四个侧边中的两个对应短边定义为该第一侧边与该第二侧边。
14.如权利要求11所述的超音波阵列制造，其特征在于，该第一侧边具有相对应的第一端点与第二端点，该第二侧边具有相对应的第三端点与第四端点，该第一端点和该第三端点位于该压电单元的同一侧，该第二端点和该第四端点位于该压电单元的另一侧，该第一切割槽从邻近该第一端点的位置延伸到邻近该第四端点的位置，该第二切割槽从邻近该第二端点的位置延伸到邻近该第三端点的位置。
15.如权利要求11所述的超音波阵列制造，其特征在于，该第一切割槽的两个相对端分别交错于该第一侧边与该第二侧边。
16.如权利要求11所述的超音波阵列制造，其特征在于，该压电单元还具有位于该第一侧边与该第二侧边之间且相互对应的第三侧边与第四侧边，并且该第一切割槽的两个相对端分别交错于该三侧边与该第四侧边。
17.如权利要求11所述的超音波阵列制造，其特征在于，该第一切割槽的深度超过该压电单元的厚度；
18.如权利要求11所述的超音波阵列制造，其特征在于，该第一切割槽对称于该第二切割槽。
19.如权利要求11所述的超音波阵列制造，其特征在于，该压电材料层还包含多个第四切割槽，沿着平行于该第一侧边或该第二侧边的方向形成在该压电单元上。
20.如权利要求19所述的超音波阵列制造，其特征在于，该多个第四切割槽的两条相邻第四切割槽的间距介于0.01mm～0.2mm。
