本发明属于硅光电子，涉及一种氮氧化硅波导层的制作方法。
背景技术：
1、光波导是引导光波在其中传播的介质装置，又称介质光波导，是集成光学系统及其元件的基本结构单元，主要起限制、传输、耦合光波的作用。对于光通信器件而言，要求其性能具有损耗低、偏振独立、光纤与芯片耦合效果好、集成度高等，将氮氧化硅(sion)作为波导材料已经成为一个研究的热点，其具有折射率可调范围大、击穿电场高、抗辐射能力强、平带漂移和界面态小等优点。
2、制备sion薄膜的典型材料是由sih4、n2o和nh3组成的混合物通过等离子体增强化学气相沉积法(pecvd)制备，常常也加入he、ar或n2等载气稀释。利用pecvd沉积的sion膜厚与折射率一致性和工艺可重复性都很高，可以满足高性能波导的要求，但是pecvd薄膜中通常含有2-30％的氢，它对薄膜的性能有很多不利的影响，例如会减小击穿电场，其谐波吸收会增大波损。高温下退火，可大幅度地改善薄膜的特性，这是因为退火很大程度上可消除氢元素的存在，但是，高温退火后sion薄膜易产生膜裂(crack)，会产生巨大的光损耗，降低波导器件的性能。
3、因此，如何提供一种氮氧化硅波导层的制作方法，以使高温退火后sion薄膜不产生膜裂，达到工艺要求，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种氮氧化硅波导层的制作方法，用于解决现有技术中氮氧化硅薄膜在高温退火后易产生膜裂等问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种氮氧化硅波导层的制作方法，包括以下步骤：
3、于反应腔室中通入反应气体，所述反应气体包括sih4、n2o与nh3，其中，所述sih4的气体流量范围为110～120sccm，所述n2o的气体流量范围为700～900sccm，所述nh3的气体流量范围为20～30sccm；
4、采用等离子体增强化学气相沉积法生成氮氧化硅薄膜层；
5、对所述氮氧化硅薄膜层进行高温退火，所述高温退火的温度不低于1000℃。
6、可选地，所述sih4的气体流量范围为113～117sccm；所述n2o的气体流量范围为750～850sccm，所述nh3的气体流量范围为23～27sccm。
7、可选地，所述sih4的气体流量为115sccm，所述n2o的气体流量为800sccm，所述nh3的气体流量为25sccm。
8、可选地，所述高温退火的退火温度为1100℃，退火时间为2小时。
9、可选地，所述高温退火的过程中通入辅助气体，所述辅助气体包括he、ar或n2中的一种或几种。
10、可选地，所述氮氧化硅薄膜层中氧原子含量与氮原子含量的比值范围为0.9～1.1。
11、可选地，所述氮氧化硅薄膜层中氧原子含量与氮原子含量比例为1:1。
12、可选地，高温退火后所述氮氧化硅薄膜层的折射率范围为1.4～1.8。
13、可选地，高温退火后所述氮氧化硅薄膜层的折射率为1.6。
14、如上所述，本发明的氮氧化硅波导层的制作方法中，sih4的气体流量范围为110～120sccm，n2o的气体流量范围为700～900sccm，nh3的气体流量范围为20～30sccm，通过调节气体比例，调节氮氧化硅薄膜层中的氮原子含量，降低氮氧化硅薄膜层的应力，在高温退火后氮氧化硅薄膜层不会发生膜裂，能够降低光损耗，可广泛应用于硅光子技术领域。
1.一种氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于：所述sih4的气体流量范围为113～117sccm；所述n2o的气体流量范围为750～850sccm，所述nh3的气体流量范围为23～27sccm。
3.根据权利要求2所述的氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于：所述sih4的气体流量为115sccm，所述n2o的气体流量为800sccm，所述nh3的气体流量为25sccm。
4.根据权利要求1所述的氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于：所述高温退火的退火温度为1100℃，退火时间为2小时。
5.根据权利要求1所述的氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于：所述高温退火的过程中通入辅助气体，所述辅助气体包括he、ar或n2中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于：所述氮氧化硅薄膜层中氧原子含量与氮原子含量的比值范围为0.9～1.1。
7.根据权利要求5所述的氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于：所述氮氧化硅薄膜层中氧原子含量与氮原子含量比例为1:1。
8.根据权利要求1所述的氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于：高温退火后所述氮氧化硅薄膜层的折射率范围为1.4～1.8。
9.根据权利要求8所述的氮氧化硅波导层的制作方法，其特征在于：高温退火后所述氮氧化硅薄膜层的折射率为1.6。
