本公开涉及但不限于半导体，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的形成方法。
背景技术：
1、对于包含电容结构的半导体结构，在制备包含该类半导体结构的过程中，可能会由于制程差异而导致出现电容结构的电极层高于支撑层的顶面的现象，从而导致电极层结构的稳定性较差，影响后续工艺，并且影响最终形成的电容结构的电学性能，进而使得制备的半导体结构良率较低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构、存储器的形成方法。
2、本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：
3、提供一基底结构，所述基底结构包括衬底、位于所述衬底内的至少一个接触结构、覆盖所述衬底上表面的叠层结构、以及沿垂直于所述衬底上表面的方向贯穿所述叠层结构并暴露所述至少一个接触结构的至少一个通孔；所述叠层结构包括多个沿垂直于所述衬底上表面的方向交替堆叠的牺牲层和支撑层；
4、在所述通孔内壁、以及位于所述叠层结构顶部的第一支撑层的上表面沉积形成第一电极层；
5、在所述第一电极层表面涂布光刻胶，并使所述光刻胶填充入所述通孔中；
6、依次去除位于所述第一支撑层上方的部分光刻胶和部分第一电极层、以及所述通孔内剩余的部分光刻胶；
7、在去除所述通孔内剩余的部分光刻胶后，依次形成覆盖所述第一电极层表面的电介质层和覆盖所述电介质层的第二电极层。
8、本公开实施例提供一种半导体结构，所述半导体结构是采用上述半导体结构的形成方法形成的。
9、本公开实施例提供一种存储器的形成方法，所述方法包括：
10、提供衬底，所述衬底中包括阵列排布的多个晶体管、多条字线、多条位线以及多个接触结构；其中，每条所述字线沿第一方向延伸，且与沿所述第一方向排列的一列所述晶体管的栅极连接，每条所述位线沿第二方向延伸，且与沿所述第二方向排列的一行所述晶体管中的源极或漏极中的一者电连接，所述第一方向与所述第二方向相交，所述接触结构与所述晶体管的源极或漏极中的另一者电连接；
11、基于所述衬底，采用上述半导体结构的形成方法，形成与所述接触结构电连接的电容结构。
12、在本公开实施例中，提供一基底结构，该基底结构包括衬底、位于该衬底内的至少一个接触结构、覆盖该衬底上表面的叠层结构、以及沿垂直于该衬底上表面的方向贯穿该叠层结构并暴露至少一个接触结构的至少一个通孔；该叠层结构包括多个沿垂直于该衬底上表面的方向交替堆叠的牺牲层和支撑层；在通孔内壁以及位于叠层结构顶部的第一支撑层的上表面沉积形成第一电极层；在第一电极层表面涂布光刻胶，并使光刻胶填充入通孔中；依次去除位于第一支撑层上方的部分光刻胶和部分第一电极层、以及通孔内剩余的部分光刻胶；在去除通孔内剩余的部分光刻胶后，依次形成覆盖第一电极层表面的电介质层和覆盖电介质层的第二电极层。这样，一方面，在形成电介质层和第二电极层之前，去除位于叠层结构顶部的第一支撑层上方的部分第一电极层，可以使得最终形成的半导体结构中第一电极层与第一支撑层的顶面之间具有合适的高度差，从而可以提高第一电极层结构的稳定性，以利于后续工艺的顺利进行，并能减少后续形成电介质层和第二电极层的过程中冗余电容的形成，进而可以减少冗余电容对半导体结构电学性能的影响；另一方面，由于在去除位于叠层结构顶部的第一支撑层上方的部分第一电极层之前，在各通孔中填充了光刻胶，从而可以减少在去除该部分第一电极层的过程中等离子体溅射对位于通孔内壁处的第一电极层的破坏，进而可以调控最终形成的电容结构中第一电极层表面的形貌，以提高电容结构的电学性能，进而提高制备的半导体结构的良率。
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一电极层表面涂布光刻胶，并使所述光刻胶填充入所述通孔中，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一厚度的取值范围为1500纳米至3000纳米；所述第一时长的取值范围为30秒至120秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次去除位于所述第一支撑层上方的部分光刻胶和部分第一电极层、以及所述通孔内剩余的部分光刻胶，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀条件包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一气体包括氧气和氦气，且所述第一气体中氧气与氦气之间含量的比值为(2～6):1。
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀条件包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二气体包括氩气、氯气和氮气，且所述第二气体中氩气、氯气和氮气之间含量的比值为(10～50):(0.1～5):(1～10)。
9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第三刻蚀条件包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第三气体包括氢气和氮气的混合气体、以及氦气，且所述第三气体中所述混合气体与所述氦气之间含量的比值为(5～80):1。
11.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述刻蚀去除所述通孔内剩余的部分光刻胶之后，所述方法还包括：
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述依次形成覆盖所述第一电极层表面的电介质层和覆盖所述电介质层的第二电极层，包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述自所述叠层结构的顶层向下依次在每一支撑层形成开口，并通过每一支撑层的开口去除所述支撑层所覆盖的牺牲层，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述通过所述第一支撑层的开口去除所述第一支撑层所覆盖的牺牲层，包括：
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述依次形成覆盖所述第一电极层表面的电介质层和覆盖所述电介质层的第二电极层，包括：
16.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构是采用如权利要求1至15中任一项方法形成的。
17.一种存储器的形成方法，其特征在于，所述方法包括：
