本揭露是有关一种半导体对位设备的操作方法、一种半导体基板及一种半导体基板的制造方法。
背景技术：
1、在曝光或沉积工艺中，需要将半导体基板旋转到对应的方向，才能正确地进行工艺。以往判断半导体基板的方式都是使用光学的方式判断平边是否有转到定位，但对碳化硅(sic)基板来说，因为其能隙比硅基板还大，加上碳化硅基板的透光度高，光线很容易就穿过基板到达基板下方的光学侦测器，造成无法判断平边是否到达定位的状况。而过往只能通过调整光学侦测器的灵敏度，才能成功地判断平边是否转到定位。
技术实现思路
1、本揭露的一技术态样为一种半导体基板对位设备的操作方法。
2、一种半导体基板对位设备的操作方法包含：使用旋转载台吸附半导体基板，其中半导体基板上具有平边及邻近平边的粗糙化图案；使用光源对邻近于半导体基板的平边的区域发出光线，使光线的部分由粗糙化图案反射，其中光源位于旋转载台的一侧与半导体基板的粗糙化图案上方；以及使用位于光源下方的侦测器接收光线未被粗糙化图案反射的其余部分。
3、在本揭露一实施方式中，半导体基板对位设备的操作方法还包括将侦测器在垂直方向上与半导体基板的粗糙化图案重叠。
4、在本揭露一实施方式中，半导体基板对位设备的操作方法还包括将光源在垂直方向上与半导体基板的粗糙化图案重叠。
5、在本揭露一实施方式中，半导体基板对位设备的操作方法还包括将光源在垂直方向上与侦测器重叠。
6、在本揭露一实施方式中，半导体基板对位设备的操作方法还包括设置侦测器以使其与旋转载台在垂直方向上无重叠。
7、在本揭露一实施方式中，半导体基板对位设备的操作方法还包括设置光源以使其与旋转载台在垂直方向上无重叠。
8、在本揭露一实施方式中，旋转载台的直径较半导体基板的直径小，使得半导体基板的平边与粗糙化图案凸出于旋转载台而悬空。
9、本揭露的另一技术态样为一种半导体基板。
10、根据本揭露一实施方式，一种半导体基板包含平边与粗糙化图案。平边位于半导体基板的边缘。粗糙化图案邻近于半导体基板的平边旁，配置以反射光线，其中粗糙化图案包括至少一凸部与围绕凸部的至少一凹部。
11、在本揭露一实施方式中，粗糙化图案的俯视形状为正方形。
12、在本揭露一实施方式中，粗糙化图案的俯视形状为圆形。
13、在本揭露一实施方式中，粗糙化图案的俯视形状为多个同心圆。
14、在本揭露一实施方式中，粗糙化图案的俯视形状为多个正方形，且正方形成阵列排列。
15、在本揭露一实施方式中，粗糙化图案的俯视形状为十字形。
16、在本揭露一实施方式中，粗糙化图案的相对两侧壁之间的距离与粗糙化图案的长度的比值介于0.1到0.6之间。
17、在本揭露一实施方式中，粗糙化图案的高度与长度的比值介于0.15到0.65之间。
18、在本揭露一实施方式中，粗糙化图案的长度在340纳米到600纳米的范围中。
19、在本揭露一实施方式中，半导体基板的材料包括碳化硅或蓝宝石而使其能隙大于硅的能隙。
20、本揭露的另一技术态样为一种半导体基板的制造方法。
21、根据本揭露一实施方式，一种半导体基板的制造方法包含：在半导体基板上涂上光阻，其中半导体基板具有平边；对光阻进行曝光，以在邻近半导体基板的平边旁形成图案化的光阻；使用图案化的光阻蚀刻半导体基板以形成粗糙化图案，其中粗糙化图案配置以反射光线；以及移除光阻。
22、在本揭露一实施方式中，对光阻进行曝光是使用电子束曝光。
23、在本揭露一实施方式中，使用图案化的光阻蚀刻半导体基板是使用离子束聚焦蚀刻或激光雕刻。
24、在本揭露上述实施方式中，由于在半导体基板的平边旁形成粗糙化图案，使得在对位时，来自基板上方光源的光线能够被粗糙化图案有效地反射回去，借此让基板下方的光学侦测器能够侦测到有部分的光线被反射回去，借此作为判断平边是否到达定位的依据。
1.一种半导体基板对位设备的操作方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体基板对位设备的操作方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体基板对位设备的操作方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体基板对位设备的操作方法，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体基板对位设备的操作方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体基板对位设备的操作方法，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体基板对位设备的操作方法，其特征在于，所述旋转载台的直径较所述半导体基板的直径小，使用所述旋转载台吸附所述半导体基板以使所述半导体基板的所述平边与所述粗糙化图案凸出于所述旋转载台而悬空。
8.一种半导体基板，其特征在于，包含：
9.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，所述粗糙化图案的俯视形状为正方形。
10.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，所述粗糙化图案的俯视形状为圆形。
11.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，所述粗糙化图案的俯视形状为多个同心圆。
12.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，所述粗糙化图案的俯视形状为多个正方形，且所述多个正方形成阵列排列。
13.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，所述粗糙化图案的俯视形状为十字形。
14.根据权利要求13所述的半导体基板，其特征在于，所述粗糙化图案的相对两侧壁之间的距离与所述粗糙化图案的长度的比值介于0.1到0.6之间。
15.根据权利要求14所述的半导体基板，其特征在于，所述粗糙化图案的高度与长度的比值介于0.15到0.65之间。
16.根据权利要求15所述的半导体基板，其特征在于，所述粗糙化图案的长度在340纳米到600纳米的范围中。
17.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，其材料包括碳化硅或蓝宝石而使其能隙大于硅的能隙。
18.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，包含：
19.根据权利要求18所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，对所述光阻进行曝光是使用电子束曝光。
20.根据权利要求18所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，使用图案化的所述光阻蚀刻所述半导体基板是使用离子束聚焦蚀刻或激光雕刻。
