本公开内容涉及每个像素区域中的驱动半导体图案由氧化物半导体制成的显示装置。
背景技术：
1、通常，显示装置可以向用户提供图像。例如，这样的显示装置可以包括多个像素区域。发光装置和像素驱动电路可以位于每个像素区域中。发光装置可以发射具有特定颜色的光。例如，发光装置可以包括发射层，该发射层位于第一电极与第二电极之间。
2、像素驱动电路可以响应于栅极信号而将与数据信号对应的驱动电流供应至发光装置。例如，像素驱动电路可以包括驱动薄膜晶体管和至少一个开关薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管可以生成与数据信号对应的驱动电流。例如，驱动薄膜晶体管可以包括驱动半导体图案、驱动栅极电极、驱动源极电极和驱动漏极电极。
3、驱动半导体图案可以具有与施加至驱动栅极电极的电压对应的电导率。驱动半导体图案可以包括半导体材料。例如，驱动半导体图案可以由氧化物半导体制成。然而，在包括由氧化物半导体制成的驱动半导体图案的驱动薄膜晶体管中，由于施加至驱动栅极电极的电压的变化而导致的驱动电流的变化的量可能会增加。因此，在显示装置中的低灰度区中可能发生不均(mura)。
4、当驱动薄膜晶体管的驱动半导体图案与驱动栅极电极之间的分隔距离增加时，由于施加至驱动栅极电极的电压的变化而导致的驱动电流的变化的量可能会减少。然而，在显示装置中，驱动薄膜晶体管的导通电流可能减小。因此，在显示装置中，驱动薄膜晶体管的电特性可能下降。因此，显示装置的整体亮度和图像质量可能下降。
技术实现思路
1、因此，本公开内容涉及包括氧化物半导体的显示装置，该显示装置基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
2、本公开内容的目的是提供能够防止低灰度处不均的发生而不使其亮度劣化的显示装置。
3、本公开内容的另一目的是提供能够增加驱动薄膜晶体管的s因子而不改变驱动半导体图案与驱动栅极电极之间的分隔距离的显示装置。
4、然而，要通过本公开内容实现的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解本文未提及的其他目的。
5、本公开内容的另外优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且对于本领域普通技术人员而言在检查以下内容时部分地变得明显，或者可以从本公开内容的实践中获知。本公开内容的目的和其他优点可以通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
6、为了实现这些目的和其他优点，并根据本公开的目的，如本文所体现和广泛描述的，一种显示装置包括装置基板。像素驱动电路和发光装置位于装置基板上。像素驱动电路包括驱动薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管包括驱动半导体图案。驱动半导体图案由氧化物半导体制成。发光装置电连接至像素驱动电路。导电图案位于装置基板与驱动半导体图案之间。驱动半导体图案与导电图案的与装置基板相对的上表面接触。导电图案包括金属。导电图案具有比驱动半导体图案大的功函数。
7、驱动半导体图案的靠近导电图案定位的位置的下端部可以包括耗尽区。
8、导电图案可以电连接至驱动薄膜晶体管的驱动源极电极。
9、导电图案可以包括位于驱动半导体图案之外的区域。驱动源极电极可以在驱动半导体图案之外的位置处与导电图案接触。
10、导电图案可以包括第一图案层和第二图案层。第二图案层可以位于第一图案层上。驱动半导体图案可以与第二图案层接触。第二图案层可以具有比驱动半导体图案大的功函数。
11、第二图案层可以由导电金属氧化物制成。
12、第二图案层可以包括与第一图案层相同的金属。
13、导电图案可以包括铜、钼、镍、钴和铂中的一种。
14、导电图案可以与驱动半导体图案的一部分交叠。驱动半导体图案可以包括位于导电图案上的沟道区。
15、在本公开内容的另一方面中，一种显示装置包括装置基板。第一导电图案、上缓冲层和像素驱动电路位于装置基板上。上缓冲层覆盖第一导电图案。第二导电图案和发光装置位于上缓冲层上。第二导电图案包括金属。像素驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管位于第一导电图案上。第二薄膜晶体管位于第二导电图案上。发光装置电连接至像素驱动电路。第二薄膜晶体管包括由氧化物半导体制成的半导体图案。第二薄膜晶体管的半导体图案与第二导电图案呈肖特基接触。
16、第二导电图案可以电连接至第二薄膜晶体管的源极电极。
17、第一薄膜晶体管可以包括位于与第二导电图案相同的层上的半导体图案。
18、第一薄膜晶体管的半导体图案可以包括与第二薄膜晶体管的半导体图案相同的材料。
19、上栅极绝缘层可以位于上缓冲层上。上栅极绝缘层可以覆盖第一薄膜晶体管的半导体图案和第二薄膜晶体管的半导体图案。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每一个可以包括位于上栅极绝缘层上的栅极电极。第一薄膜晶体管的栅极电极可以位于与第二薄膜晶体管的栅极电极相同的层上。
20、应当理解，本公开内容的上述一般描述和以下详细描述是示例性的和说明性的，并且旨在对如所要求的公开内容提供进一步说明。
1.一种显示装置，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动半导体图案包括靠近所述导电图案定位的后部，并且所述后部包括耗尽区。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电图案被施加恒定电压。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电图案电连接至所述驱动薄膜晶体管的驱动源极电极。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述导电图案包括位于所述驱动半导体图案之外的区域，以及
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述导电图案与所述驱动半导体图案的一部分接触，并且绕过所述驱动半导体图案的源极区和漏极区。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电图案包括第一图案层和位于所述第一图案层上的第二图案层，
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二图案层由导电金属氧化物制成。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一图案层包括与所述第二图案层相同的金属。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电图案包括铜、钼、镍、钴和铂中的一种。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电图案与所述驱动半导体图案的一部分交叠。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述驱动半导体图案包括位于所述导电图案上的沟道区。
13.一种显示装置，包括：
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二导电图案被施加恒定电压。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二导电图案电连接至所述第二薄膜晶体管的源极电极。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管包括位于与所述第二导电图案相同层上的半导体图案。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一薄膜晶体管的所述半导体图案包括与所述第二薄膜晶体管的所述半导体图案相同的材料。
18.根据权利要求16所述的显示装置，还包括：
19.一种用于驱动显示装置的发光元件的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
20.根据权利要求19所述的薄膜晶体管，其中，所述导电图案电耦接至直流电压或所述第二电极。
21.根据权利要求19所述的薄膜晶体管，其中：
22.根据权利要求21所述的薄膜晶体管，
23.根据权利要求19所述的薄膜晶体管，其中，所述导电图案与整个所述氧化物半导体图案交叠并且延伸超过所述氧化物半导体图案的边缘。
24.根据权利要求19所述的薄膜晶体管，还包括设置成超出所述氧化物半导体图案的边缘的另外的导电图案，所述薄膜晶体管的源极电极电连接至所述另外的导电图案。
25.根据权利要求19所述的薄膜晶体管，
26.根据权利要求25所述的薄膜晶体管，其中，所述第二导电图案层包括导电金属氧化物。
27.根据权利要求19所述的薄膜晶体管，其中，所述导电图案包括铜、钼、镍、钴和铂中的一种。
