压电驻极体电声器件的制作方法

专利检索2026-03-06  4


本申请涉及电声器件,具体涉及一种利用压电驻极体材料的逆压电效应制作的压电驻极体电声器件。


背景技术:

1、传统扬声器多为电容式/动圈式结构,电容式/动圈式结构复杂且需要精度要求极高的零件配合设计。


技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是提供一种利用压电驻极体材料的逆压电效应制作的压电驻极体电声器件。

2、本申请提出的一种压电驻极体电声器件,包括由层叠设置的柔性下电极和多层压电驻极体薄膜以及柔性上电极构成的振动单元,所述多层压电驻极体薄膜粘合于所述柔性下电极和所述柔性上电极之间。

3、在一些可选的实施方式中,所述多层压电驻极体薄膜串接。

4、在一些可选的实施方式中,该压电驻极体电声器件还包括:连接于所述振动单元外围的环形连接件。

5、在一些可选的实施方式中,所述环形连接件为可粘贴的粘着材料。

6、在一些可选的实施方式中,该压电驻极体电声器件还包括:将所述多层压电驻极体薄膜和所述环形件隔开的绝缘环。

7、在一些可选的实施方式中,所述绝缘环的下端面和上端面分别粘接于所述柔性下电极和所述柔性上电极。

8、在一些可选的实施方式中,所述柔性上电极的上表面和所述环形连接件的上端面共平面,所述柔性下电极的下表面和所述环形连接件的下端面共平面。

9、在一些可选的实施方式中,所述压驻极体薄膜为多孔聚合物压电驻极体薄膜。

10、在一些可选的实施方式中,所述多孔聚合物压电驻极体薄膜为聚丙烯薄膜。

11、在一些可选的实施方式中,所述多孔聚合物压电驻极体薄膜内部包含蜂窝状凸透镜式孔洞。

12、在一些可选的实施方式中,所述多孔聚合物压电驻极体薄膜的厚度介于30微米至80微米之间。

13、从以上技术方案可以看出,本申请的压电驻极体电声器件实现的技术效果包括:

14、①本申请的压电驻极体电声器件,相对于传统的电容式/动圈式结构,可以大大减小了电声器件的体积,同时零件数目大为减少,可靠性也得到保证,方便大规模生产的需求。

15、②多孔聚合物压电驻极体薄膜(例如pp材质)能达到非常高的压电系数,比pvdf(聚偏二氟乙烯)铁电聚合物及其共聚物的压电活性高1个量级;其次,多孔聚合物压电驻极体薄膜的厚度可以做到很小,最小可以做到30微米,易于满足对几何尺寸的要求;并且,多孔聚合物压电驻极体薄膜的原料来源广泛,材料成本与加工制备均较压电陶瓷与铁电单晶材料容易许多。

16、③多层压电驻极体薄膜串接驱动进行电声变换,可以提高压电效果,实现较高的灵敏度。

17、④进一步的,该压电驻极体电声器件可利用其粘着材料,粘贴到预置的某装置(物体)的某个表面的位置上,并可带动该表面振动发声,从而具有及广泛的应用场景。



技术特征:

1.一种压电驻极体电声器件,其特征在于,包括由层叠设置的柔性下电极和多层压电驻极体薄膜以及柔性上电极构成的振动单元,所述多层压电驻极体薄膜粘合于所述柔性下电极和所述柔性上电极之间。

2.根据权利要求1所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,还包括:连接于所述振动单元外围的环形连接件。

3.根据权利要求2所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,所述环形连接件为可粘贴的粘着材料。

4.根据权利要求2所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,还包括:将所述多层压电驻极体薄膜和所述环形连接件隔开的绝缘环。

5.根据权利要求4所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,所述绝缘环的下端面和上端面分别粘接于所述柔性下电极和所述柔性上电极。

6.根据权利要求2所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,所述柔性上电极的上表面和所述环形连接件的上端面共平面,所述柔性下电极的下表面和所述环形连接件的下端面共平面。

7.根据权利要求1-6任一所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,所述压电驻极体薄膜为多孔聚合物压电驻极体薄膜。

8.根据权利要求7所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,所述多孔聚合物压电驻极体薄膜为聚丙烯薄膜。

9.根据权利要求7所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,所述多孔聚合物压电驻极体薄膜内部包含蜂窝状凸透镜式孔洞。

10.根据权利要求7所述的压电驻极体电声器件,其特征在于,所述多孔聚合物压电驻极体薄膜的厚度介于30微米至80微米之间。


技术总结
本申请提出了一种利用压电驻极体材料的逆压电效应制作的压电驻极体电声器件。该压电驻极体电声器件,包括由层叠设置的柔性下电极和多层压电驻极体薄膜以及柔性上电极构成的振动单元,所述多层压电驻极体薄膜粘合于所述柔性下电极和所述柔性上电极之间,所述多层压电驻极体薄膜串接。该压电驻极体电声器件相对于传统的电容式/动圈式结构,减小了体积和零件数目,可靠性也得到保证,方便大规模生产的需求;而且,该压电驻极体电声器件能达到非常高的压电系数,实现较高的灵敏度。

技术研发人员:吴宗汉,张绍年,陈为波
受保护的技术使用者:东莞市瑞勤电子有限公司
技术研发日:20230912
技术公布日:2024/5/29
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