本发明涉及半导体，具体涉及一种窄波长增透倒装apd芯片及其制备方法。
背景技术：
1、搭载激光雷达日益成为自动驾驶主流技术发展方向，激光雷达主要分为激光发射模块、扫描系统、接收模块及信息处理系统四个部分，发射及接收模块成本占比高达60％。激光发射模块选用的激光波长有两种选择，一个是1000nm以内的，典型值是905nm，可以用硅做接收器，成本低且产品成熟。还有一种是1000nm到2000nm之间的，典型值是1550nm，这个波段硅无法探测，需要用ge或者ingaas探测器。ingaas光电探测器主要分为3种，分别为ingaas金属-半导体-金属光电探测器(msm-pd)、ingaas pin光电探测器(pin-pd)和ingaas雪崩光电探测器(apd-pd)。apd光电探测器在探测率上可以比pin光电探测器高一个数量级，所以目前主流激光雷达主要以雪崩光电探测器为主。
2、随着激光雷达的飞速发展，对探测器也有了更高的要求，要求其具有更高的响应速度、灵敏度和效率。为了实现apd光电探测器对这1550nm波长的强吸收并过滤掉其他波长的光；现阶段主要是通过在芯片封装的过程中实现，即在to封装的过程中，采用在to的帽子上增加一个窄带滤波片以达到这两种典型波长的增透，该方式集成度低，应用于激光雷达成品体积大，使得激光雷达无法更加小型化以及紧凑化。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本发明提供一种窄波长增透倒装apd芯片及其制备方法。
2、本发明采用的技术方案是：
3、一种窄波长增透倒装apd芯片，包括inp衬底，所述inp衬底的正面一侧设有外延功能层，外延功能层上设有p型金属层和n型金属层；inp衬底的背面设有滤光片。
4、进一步地，所述滤光片在入射角为±5°的条件下，波长为1535±4nm或者1550±4nm的激光透过率均不小于92％。
5、进一步地，所述滤光片的基材为石英玻璃，其表面蒸镀有光学介质膜，镀膜层的厚度为10～50um，石英玻璃的厚度为0.5mm～5mm。
6、进一步地，所述外延功能层包括依次设置在inp衬底正面的缓冲层、倍增层、n型电荷层、吸收层、p型接触层及绝缘介质层；绝缘介质层的上侧设置p型金属层和n型金属层，p型金属层向下穿过绝缘介质层与p型接触层接触，n型金属层向下依次穿过绝缘介质层、p型接触层、吸收层与n型电荷层接触。
7、进一步地，p型金属层的金属材料为au、ti、cr、ag、al、cu、auge和pt中的一种或者几种组合；n型金属层的金属材料为au、ge、cr、ni、auge和pt中的一种或者几种组合。
8、进一步地，所述绝缘介质层的材料为sio2、氮化硅和有机聚合物中的一种或者几种组合。
9、进一步地，所述缓冲层的材料为n型inp。
10、进一步地，所述吸收层的材料为非故意掺杂n型ingaas。
11、进一步地，所述inp衬底的厚度为80～300um。
12、任意上述一种窄波长增透倒装apd芯片的制备方法，包括以下步骤：
13、步骤1：提供inp衬底；在inp衬底的正面依次向上生长n型inp缓冲层、倍增层、n型电荷层、吸收层及p型接触层；
14、步骤2：通过刻蚀的方法在p型接触层上向下刻蚀直到n型电荷层；所述刻蚀的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀；
15、步骤3：在p型接触层上生长绝缘介质层，在绝缘介质层上分别通过刻蚀的方法向下刻蚀露出n型电荷层和p型接触层；
16、步骤4：在绝缘介质层的表面分别蒸镀p型金属层和n型金属层，并使p型金属层与p型接触层连接，n型金属层与n型电荷层连接；
17、步骤5：采用固化胶将滤光片粘贴在inp衬底的背面，固化；固化胶可为uv胶水、环氧树脂或者硅胶；
18、步骤6：在滤光片上进行光刻，打开切割道，通过湿法腐蚀的方式腐蚀出所需要的图形；
19、步骤7：采用划片的方式沿切割道将apd芯片分割成单颗带有滤光片的芯片。
20、本发明的有益效果：本发明通过采用在inp衬底的背面设置滤光片，在inp衬底的正面设置p型电极和n型电极，实现对波长为1535nm±4或者1550±4nm激光的强吸收，从而在芯片级形成对特定窄波长的增透，进而使得在激光雷达制造过程中，可以节省空间，提高系统集成化程度，使得激光雷达的制备更加小型化以及紧凑化。
1.一种窄波长增透倒装apd芯片，包括inp衬底(9)，其特征在于，所述inp衬底(9)的正面一侧设有外延功能层，外延功能层上设有p型金属层(7)和n型金属层(8)；inp衬底(9)的背面设有滤光片(10)。
2.根据权利要求1所述的一种窄波长增透倒装apd芯片，其特征在于，所述滤光片(10)在入射角为±5°的条件下，波长为1535±4nm或者1550±4nm的激光透过率均不小于92％。
3.根据权利要求2所述的一种窄波长增透倒装apd芯片，其特征在于，所述滤光片(10)的基材为石英玻璃，其表面蒸镀有光学介质膜，镀膜层的厚度为10～50um，石英玻璃的厚度为0.5mm～5mm。
4.根据权利要求1所述的一种窄波长增透倒装apd芯片，其特征在于，所述外延功能层包括依次设置在inp衬底(9)正面的缓冲层(1)、倍增层(2)、n型电荷层(3)、吸收层(4)、p型接触层(5)及绝缘介质层(6)；绝缘介质层(6)的上侧设置p型金属层(7)和n型金属层(8)，p型金属层(7)向下穿过绝缘介质层(6)与p型接触层(5)接触，n型金属层(8)向下依次穿过绝缘介质层(6)、p型接触层(5)、吸收层(4)与n型电荷层(3)接触。
5.根据权利要求4所述的一种窄波长增透倒装apd芯片，其特征在于，p型金属层(7)的金属材料为au、ti、cr、ag、al、cu、auge和pt中的一种或者几种组合；n型金属层(8)的金属材料为au、ge、cr、ni、auge和pt中的一种或者几种组合。
6.根据权利要求4所述的一种窄波长增透倒装apd芯片，其特征在于，所述绝缘介质层(6)的材料为sio2、氮化硅和有机聚合物中的一种或者几种组合。
7.根据权利要求4所述的一种窄波长增透倒装apd芯片，其特征在于，所述缓冲层(1)的材料为n型inp。
8.根据权利要求4所述的一种窄波长增透倒装apd芯片，其特征在于，所述吸收层(4)的材料为非故意掺杂n型ingaas。
9.根据权利要求1所述的一种窄波长增透倒装apd芯片，其特征在于，所述inp衬底(9)的厚度为80～300um。
10.权利要求1～9任意一项所述的一种窄波长增透倒装apd芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
