本发明涉及薄膜晶体管基板。
背景技术：
1、包括诸如氧化铟镓锌(igzo)的氧化物半导体材料的薄膜晶体管(tft)被用于包括液晶显示面板的显示装置和有机发光二极管(oled)显示装置以及其它种类的装置中。氧化物半导体tft产生小的漏电流，因此有助于装置的低功耗。
技术实现思路
1、通常，与低温多晶硅tft相比，氧化物半导体tft具有低迁移率。因此，已经开发出具有更高迁移率的氧化物半导体tft。然而，有一些报道称，高迁移率氧化物半导体tft不如低迁移率氧化物半导体tft可靠。因此，具有不同特性的氧化物半导体膜的氧化物半导体tft必须适当地排列在同一基板上，以满足对薄膜晶体管电路的各种需求。
2、本发明的一个方面是一种薄膜晶体管基板，包括：第一氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜，所述第二氧化物半导体膜位于所述第一氧化物半导体膜上方的位置；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜位于所述第二氧化物半导体膜下方的位置并且覆盖所述第一氧化物半导体膜；以及第一薄膜晶体管的栅极电极。所述第一氧化物半导体膜包括第一低电阻区域、第二低电阻区域、和所述第一薄膜晶体管的沟道区域，该第一薄膜晶体管的沟道区域位于所述第一低电阻区域和所述第二低电阻区域之间并与所述栅极电极相对。所述第一低电阻区域和所述第二低电阻区域中的每一者都包括所述第一薄膜晶体管的源极/漏极区域。所述第二氧化物半导体膜包括第三低电阻区域、第四低电阻区域、和第二薄膜晶体管的沟道区域，该第二薄膜晶体管的沟道区域位于所述第三低电阻区域和所述第四低电阻区域之间。所述第三低电阻区域和所述第四低电阻区域中的每一者都包括所述第二薄膜晶体管的源极/漏极区域。从所述第一薄膜晶体管的源极/漏极区域延伸的所述第一低电阻区域的一部分是与所述第二薄膜晶体管的沟道区域相对的所述第二薄膜晶体管的底栅电极。
3、本发明的一个方面能够将氧化物半导体tft有效地并入薄膜晶体管电路中。
4、应该理解，上述概括描述和以下详细描述都是示例性的和解释性的，而不是对本发明的限制。
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一低电阻区域的从所述第一薄膜晶体管的源极/漏极区域延伸的另一部分与所述第三低电阻区域的一部分相对，其中，包括所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的多层绝缘膜介于所述第一低电阻区域的所述另一部分与所述第三低电阻区域的所述一部分之间，以配置第一电容元件。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，还包括：
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二薄膜晶体管的沟道区域具有比所述第一薄膜晶体管的沟道区域低的迁移率。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体膜在材料或成分分布上不同。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一薄膜晶体管的沟道区域具有比所述第二薄膜晶体管的沟道区域大的宽度。
