本公开涉及一种成膜方法和成膜装置。
背景技术：
1、已知以下一种技术：使用氨气、硅烷系气体以及碳化氢气体，以间歇地供给硅烷系气体的方式形成氮化硅膜(例如参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2005-12168号公报
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、本公开提供一种能够形成不易氧化的sicn膜的技术。
3、用于解决问题的方案
4、基于本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：吸附工序，对基板供给原料气体来使所述原料气体吸附于所述基板，所述原料气体的分子中具有包含硅原子和碳原子的环状结构；热氮化(thermal nitridation)工序，在包含氮化气体的气氛中对所述基板进行热处理，来将吸附于所述基板的所述原料气体热氮化；以及改性工序，将所述基板暴露于氢等离子体中，来将热氮化后的所述原料气体改性。
5、发明的效果
6、根据本公开，能够形成不易氧化的sicn膜。
1.一种成膜方法，包括以下工序：
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的成膜方法，其中，
5.根据权利要求4所述的成膜方法，其中，
6.一种成膜装置，具备：
