本公开属于半导体，特别涉及一种发光二极管及其制备方法。
背景技术：
1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种可以把电能转化为光能的半导体二极管，具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点。
2、在相关技术中，基于银金属具有较好的电流扩展性和反光性，在发光二极管内设置反射结构，以提升发光二极管的发光亮度。含有反射结构的发光二极管包括外延层和复合反射层，复合反射层包括：第一银反射层、布拉格反射层和第二银反射层，通过复合反射层能够增强发光二极管的发光亮度。
3、然而，上述发光二极管的复合反射层为平面结构，在反射光线时，出射光线方向与入射光线方向不平行，容易发生漫反射，发光二极管的出光效率降低，进而导致发光二极管的发光亮度降低。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管可以减少漫反射的发生，提高发光二极管的发光亮度。所述技术方案如下：
2、本公开实施例提供了一种发光二极管，包括：外延层、第一电极、第二电极和反射结构；所述外延层包括层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型，所述第二半导体层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；所述第一电极电连接于所述第一半导体层，所述第二电极电连接于所述第二半导体层；所述反射结构位于所述外延层的一侧；所述反射结构朝向所述外延层的一面为逆反射面，所述逆反射面用于将所述外延层射出的光线逆反射。
3、在本公开的一种实现方式中，所述反射结构包括结构层和反射层；所述结构层相对于所述反射层靠近所述外延层；所述结构层背向所述外延层的一面具有多个角反射凸起；所述反射层覆盖所述角反射凸起，以使所述反射层形成多个角反射器，所述角反射器与所述角反射凸起一一对应。
4、在本公开的另一种实现方式中，所述角反射器朝向所述结构层的一侧包括三个第一内侧面；三个所述第一内侧面均为的直角等腰三角形，三个所述第一内侧面的直角顶点共点，且一个所述第一内侧面的两个直角边，分别和相邻的两个所述第一内侧面的一个直角边共线。
5、在本公开的又一种实现方式中，三个所述内侧面的斜边形成第一底面，所述第一底面与所述外延层所在平面平行。
6、在本公开的又一种实现方式中，多个所述角反射器分别沿多条平行线布置；沿同一所述平行线布置的相邻两个所述角反射器相邻斜边平行。
7、在本公开的又一种实现方式中，所述角反射器朝向所述结构层的一侧包括两个第二内侧面；两个所述第二内侧面均为相同尺寸的矩形，两个所述第二内侧面的第一长边相连，且两个所述第二内侧面相互垂直。
8、在本公开的又一种实现方式中，两个所述第二内侧面的第二长边形成第二底面，所述第二底面与所述外延层所在平面平行。
9、在本公开的又一种实现方式中，各所述角反射器并排布置，且相互平行。
10、在本公开的又一种实现方式中，所述结构层的材料为硅的氧化物或硅的氮化物；所述反射层的材料为银或铝。
11、本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，用于制备前文所述的发光二极管，所述制备方法包括：制备外延层，所述外延层包括层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型，所述第二半导体层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；制备第一电极和第二电极，所述第一电极电连接于所述第一半导体层，所述第二电极电连接于所述第二半导体层；制备反射结构，所述反射结构在所述外延层一侧；制备反射结构包括：在所述外延层的一侧沉积结构层；在所述结构层背向所述外延层的一面刻蚀出多个角反射凸起；在所述角反射凸起上溅射出反射层，以使所述反射层形成多个角反射器，所述角反射器与所述角反射凸起一一对应。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
13、通过本公开实施例提供的发光二极管中设置反射结构，提高发光二极管发光亮度。发光二极管包括外延层和反射结构，反射结构位于外延层的一侧，反射结构朝向外延层的一面为逆反射面。发光二极管工作时，外延层发光，光线到达反射结构时，反射结构的逆反射面能够将外延层射出的光线逆反射，使得反射结构所反射的光线不会发生漫反射，从而使得发光二极管的出光效率得到提高，进而提高发光二极管的发光亮度。
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延层(2)、第一电极、第二电极和反射结构(3)；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述反射结构(3)包括结构层(31)和反射层(32)；
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述角反射器(321)朝向所述结构层(31)的一侧包括三个第一内侧面(3211)；
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，三个所述内侧面的斜边形成第一底面(3212)，所述第一底面(3212)与所述外延层(2)所在平面平行。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，多个所述角反射器(321)分别沿多条平行线(24)布置；
6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述角反射器(321)朝向所述结构层(31)的一侧包括两个第二内侧面(3213)；
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，两个所述第二内侧面(3213)的第二长边形成第二底面(3214)，所述第二底面(3214)与所述外延层(2)所在平面平行。
8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，各所述角反射器(321)并排布置，且相互平行。
9.根据权利要求2～8任一项权利要求所述的发光二极管，其特征在于，所述结构层(31)的材料为硅的氧化物或硅的氮化物；
10.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1～9所述的发光二极管，所述制备方法包括：
