本发明涉及纳米铜硅胶制备，具体为一种纳米铜硅胶中间体制备工艺。
背景技术：
1、纳米铜硅胶在生产时，需要进行胶体的处理，帮助进行胶体的处理，使得胶体更好的进行混合处理，从而生产处合格质量的纳米铜硅胶。
2、根据中国专利号cn111567562a，开了一种纳米铜硅胶抗菌复合材料的制作方法，该方法包括将硅胶和纳米铜硅粉置于容器中，常温下在双辊开炼机下搅拌均匀，获得纳米铜硅胶前体；将所述纳米铜硅胶前体涂在基质上，于25℃下硫化24小时，获得纳米铜硅胶抗菌复合材料，但是该专利存在不能够实现自动的工厂化生产，需要进行改进。
3、但是现有使用的纳米铜硅胶中间体制备装置使用过程中还是存在一些不足之处，使用的过程中的双辊开炼机不便于进行自动化生产，从而不方便自动的生产中间体，所以需要一种预防病毒病菌交叉传染的纳米铜硅胶中间体的制备装置，以解决上述中提出的问题。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
3、一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，所述制备工艺中使用到第一生产结构和第二生产结构，所述第一生产结构的侧端设有第二生产结构；
4、所述第一生产结构、第二生产结构对称设置，且第一生产结构、第二生产结构结构相同，均用于纳米铜硅胶中间体的生产处理；
5、所述第一生产结构包括双辊机部件和配合存储部件，所述双辊机部件的下端固定连接有配合存储部件，通过双辊机部件进行纳米铜硅胶中间体的导排生产。
6、具体的，所述第一生产结构还包括存储箱和第一传输带，所述第一传输带用于存储箱的传输，所述第一传输带通过配合存储部件限位设置，且第一传输带与双辊机部件对接组合。
7、具体的，所述双辊机部件包括双辊机部分和刮除传输部分，所述双辊机部分的侧端安装有刮除传输部分，所述双辊机部分进行纳米铜硅胶中间体的连续处理，所述刮除传输部分用于纳米铜硅胶中间体的切料处理。
8、具体的，所述双辊机部分包括安装板、定位片、连接铰杆、配合定位块和导料架，所述安装板上限位连接有定位片和配合定位块，且定位片、配合定位块前端设有连接铰杆，所述安装板的侧部限位调节设有导料架。
9、具体的，所述双辊机部分还包括电动机、驱动杆、处理辊、支撑框架、支杆架和传导带，所述电动机驱动连接有驱动杆，所述驱动杆与支撑框架固定连接，所述电动机通过驱动杆控制支撑框架整体的位置，所述支撑框架上固定连接有支杆架，所述支杆架用于处理辊的限位连接，所述处理辊通过传导带驱动连接，所述导料架与处理辊对接连通。
10、具体的，所述刮除传输部分包括第二传输带和配合连通板，所述第二传输带侧端设有配合连通板，所述第二传输带用于纳米铜硅胶中间体的传输，所述配合连通板用于存储箱的限位。
11、具体的，所述刮除传输部分还包括限位槽板、安装架、液压杆、铰接轴、固定组合架、安装片座、刀片、对接连板和驱动盘座，所述限位槽板上活动调节有驱动盘座，所述驱动盘座能够驱动安装架、固定组合架进行转动，所述安装架中心铰接有液压杆，所述液压杆侧端铰接有对接连板，所述对接连板上与安装片座固定连接，所述安装片座与铰接轴铰接设置，所述安装片座侧端固定连接有刀片，所述固定组合架与安装架进行固定。
12、具体的，所述第二传输带的侧端安装有驱动电机，所述驱动电机上驱动连接有导排传输架。
13、一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，包括以下步骤：
14、a、将硝酸铜溶解在油酸中，其中硝酸铜与油酸的质量比为1：(5～10)，制成铜溶液，接着将铜溶液置于充满氮气的环境中进行搅拌加热、反应，加热温度为250～320℃，反应时间为30～60min；反应结束后进行冷却，并加入乙醇洗涤并离心，倒掉上层液体，放入烘箱烘干即得纳米铜粉；
15、b、将h型阳离子交换树脂中加入水，并用盐酸将溶液的ph调至2，其中h型阳离子交换树脂与水的质量比为2：5，在快速搅拌的情况下向上述溶液中缓慢加入偏硅酸钠粉末，接着通过低温蒸发水分后即得细孔硅胶；
16、c、将纳米铜粉和细孔硅胶置于双辊机部件内部，并在常温下搅拌均匀，即可获得纳米铜硅胶中间体。
17、一种预防病毒病菌交叉传染的纳米铜硅胶中间体，其原料按照重量份计包括：纳米铜粉1.5～2.5份和细孔硅胶80～120份，所述纳米铜粉的粒径为200～400nm。
18、与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
19、一、本发明通过双辊机部分的结构设置，能够进行快速化生产处理，导料架能够进行导料，使得纳米铜硅胶中间体到达处理辊上，同时处理辊通过电机以及传导带进行运动，同时处理辊设有两个，支杆架也设有两个，使得处理辊进行反向转动，从而进行纳米铜硅胶中间体的处理，同时电动机能够控制驱动杆、处理辊进行转动，从而调节处理辊整体的倾斜度，驱动杆的底部通过连接铰杆铰接设置，能够进行运动调节，配合进行支撑工作。
20、二、本发明通过刮除传输部分的结构设置，能够进行快速化的刮料处理，使得刮除的纳米铜硅胶中间体可通过第二传输带进行传递，驱动盘座控制上部结构的转动调节，同时刀片可与处理辊相切进行刮除处理，同时刀片可通过液压杆进行调节，使得安装片座、刀片通过铰接轴进行转动，从而改变刀片的角度，实现集中位置的纳米铜硅胶中间体混合处理。
1.一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于：所述制备工艺中使用到第一生产结构(1)和第二生产结构(2)，所述第一生产结构(1)的侧端设有第二生产结构(2)；
2.根据权利要求1所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于：所述第一生产结构(1)还包括存储箱(5)和第一传输带(6)，所述第一传输带(6)用于存储箱(5)的传输，所述第一传输带(6)通过配合存储部件(4)限位设置，且第一传输带(6)与双辊机部件(3)对接组合。
3.根据权利要求2所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于：所述双辊机部件(3)包括双辊机部分(7)和刮除传输部分(8)，所述双辊机部分(7)的侧端安装有刮除传输部分(8)，所述双辊机部分(7)进行纳米铜硅胶中间体的连续处理，所述刮除传输部分(8)用于纳米铜硅胶中间体的切料处理。
4.根据权利要求3所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于：所述双辊机部分(7)包括安装板(9)、定位片(10)、连接铰杆(11)、配合定位块(12)和导料架(13)，所述安装板(9)上限位连接有定位片(10)和配合定位块(12)，且定位片(10)、配合定位块(12)前端设有连接铰杆(11)，所述安装板(9)的侧部限位调节设有导料架(13)。
5.根据权利要求4所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于：所述双辊机部分(7)还包括电动机(14)、驱动杆(15)、处理辊(16)、支撑框架(17)、支杆架(18)和传导带(19)，所述电动机(14)驱动连接有驱动杆(15)，所述驱动杆(15)与支撑框架(17)固定连接，所述电动机(14)通过驱动杆(15)控制支撑框架(17)整体的位置，所述支撑框架(17)上固定连接有支杆架(18)，所述支杆架(18)用于处理辊(16)的限位连接，所述处理辊(16)通过传导带(19)驱动连接，所述导料架(13)与处理辊(16)对接连通。
6.根据权利要求5所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于：所述刮除传输部分(8)包括第二传输带(20)和配合连通板(21)，所述第二传输带(20)侧端设有配合连通板(21)，所述第二传输带(20)用于纳米铜硅胶中间体的传输，所述配合连通板(21)用于存储箱(5)的限位。
7.根据权利要求6所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于：所述刮除传输部分(8)还包括限位槽板(22)、安装架(23)、液压杆(24)、铰接轴(25)、固定组合架(26)、安装片座(27)、刀片(28)、对接连板(29)和驱动盘座(30)，所述限位槽板(22)上活动调节有驱动盘座(30)，所述驱动盘座(30)能够驱动安装架(23)、固定组合架(26)进行转动，所述安装架(23)中心铰接有液压杆(24)，所述液压杆(24)侧端铰接有对接连板(29)，所述对接连板(29)上与安装片座(27)固定连接，所述安装片座(27)与铰接轴(25)铰接设置，所述安装片座(27)侧端固定连接有刀片(28)，所述固定组合架(26)与安装架(23)进行固定。
8.根据权利要求7所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于：所述第二传输带(20)的侧端安装有驱动电机(32)，所述驱动电机(32)上驱动连接有导排传输架(31)。
9.根据权利要求8所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
10.一种预防病毒病菌交叉传染的纳米铜硅胶中间体，采用权利要求1～9所述的一种纳米铜硅胶中间体制备工艺，其特征在于，其原料按照重量份计包括：纳米铜粉1.5～2.5份和细孔硅胶80～120份，所述纳米铜粉的粒径为200～400nm。
