本发明涉及集成电路，尤其涉及一种高压电平移位电路及buck型电压变换器。
背景技术：
1、在直流-直流转换器(dc-to-dc converter，dcdc)中，上功率管采用n型金属氧化物半导体器件(n metal oxide semiconductor，nmos)，通常需要利用电荷泵结构产生高于电源电压的电压源来驱动nmos管。而驱动nmos管的逻辑信号的电压域为电源电压或者一个更低的内部电源，需要特定的电平移位电路将逻辑信号从低电压域转换为高电压域。
2、目前，在由半桥式拓扑结构形成的dc-dc buck型变换器中，buck型变换器的最大工作频率及功耗已经成为限制其在电源等高频应用系统中发挥高频特性的主要因素。传统的dc-dc buck型变换器的工作频率与其传输延时直接相关，而高压电平移位电路后级的滤波电路是阻碍驱动芯片传输延时降低的最主要原因，但若去除滤波电路又会削减驱动芯片对dv/dt噪声的抑制能力。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种高压电平移位电路及buck型电压变换器，以当高压电平移位电路应用在buck型变换器中时，在降低buck型变换器的延时的情况下提高对dv/dt噪声的抑制能力。
2、第一方面，本发明提供一种高压电平移位电路，包括电平移位子电路以及噪声锁定子电路，其中，电平移位子电路与噪声锁定子电路分别通过第一节点以及第二节点耦接；电平移位子电路用于基于输入的低压域方波信号，将第一节点的电压信号转变为第一方波信号，将第二节点的电压信号转变为第二方波信号，其中，第二方波信号对应的高电平电压大于第一方波信号对应的高电平电压；噪声锁定子电路用于消除第一方波信号或第二方波信号中的噪声信号，并对第一方波信号以及第二方波信号进行合成处理，输出目标电压域方波信号。
3、与现有技术相比，本发明提供的电平移位电路中，电平移位子电路可以基于输入的低压域方波信号，将第一节点的电压信号转变为第一方波信号，将第二节点的电压信号转变为第二方波信号，相比于现有技术中在对窄脉冲信号进行电平移位时，还需要rs触发器将脉冲信号还原为方波信号，本申请无需使用rs触发器进行信号还原处理，能够有效降低信号延时。此外，噪声锁定子电路一方面可以对第一方波信号以及第二方波信号进行合成处理，另一方面还可以消除第一方波信号或第二方波信号中的噪声信号，无需额外添加rc滤波电路就能够实现滤波的功能，能够进一步降低信号延时。基于此，当申请提供的高压电平移位电路应用在buck型变换器中时，不仅能够降低buck型变换器的延时，还能够提高buck型变换器对dv/dt噪声的抑制能力。
4、第二方面，本发明提供一种buck型电压变换器，包括上述技术方案中所述的高压电平移位电路。
5、与现有技术相比，本发明提供的buck型电压变换器的有益效果与上述技术方案所述的高压电平移位电路的有益效果相同，此处不做赘述。
1.一种高压电平移位电路，其特征在于，包括电平移位子电路以及噪声锁定子电路，其中，所述电平移位子电路与所述噪声锁定子电路分别通过第一节点以及第二节点耦接；
2.根据权利要求1所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述电平移位子电路包括输入单元、第一方波信号输出单元以及第二方波信号输出单元；
3.根据权利要求2所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述输入单元包括：第一反相器、输入晶体管对以及耐压晶体管对，其中：
4.根据权利要求2所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述第一方波信号输出模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第一电阻，其中：
5.根据权利要求4所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述第二方波信号输出模块包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及第二电阻，其中：
6.根据权利要求1所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述噪声锁定子电路包括第一子目标信号生成单元、第二子目标信号生成单元以及信号合成单元，其中：
7.根据权利要求6所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述第一子目标信号生成单元包括第二反相器、第三反相器以及第一传输门，其中：
8.根据权利要求7所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述第二子目标信号生成单元包括第四反相器、第五反相器、第六反相器以及第二传输门，其中：
9.根据权利要求6所述的高压电平移位电路，其特征在于，所述信号合成单元包括与门。
10.一种buck型电压变换器，其特征在于，包括权利要求1～9任一项所述的高压电平移位电路。
