本技术涉及一种封装结构。
背景技术：
1、由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积体密度的持续改善，半导体行业已经历快速增长。在很大程度上，积体密度的此种改善来自于最小特征大小(feature size)的重复减小，此使得更多的组件能够整合至给定面积中。随着近来对小型化、更高速度、更大带宽以及更低功耗及延迟的需求已增长，对半导体封装的改善的需求亦已增长。
技术实现思路
1、本实用新型实施例提供一种封装结构，包括：重布线路结构，包括多个经堆叠介电层、内嵌于所述多个经堆叠介电层中的多个重布线配线以及多个第一导电接垫，其中所述多个第一导电接垫设置于所述多个经堆叠介电层之中的最外部介电层的表面上，所述多个第一导电接垫通过所述最外部介电层的多个通孔开口电性连接至所述重布线配线之中的多个最外部重布线接垫，且所述多个通孔开口的第一侧向尺寸大于所述多个最外部重布线接垫的第二侧向尺寸的一半；配线衬底，包括多个第二导电接垫；多个第一导电端子，设置于所述多个第一导电接垫与所述多个第二导电接垫之间；绝缘包封体，设置于所述重布线路结构的表面上，所述绝缘包封体在侧向上包封所述配线衬底；以及半导体装置，其中所述半导体装置与所述配线衬底设置于所述重布线路结构的相对侧。
2、本实用新型实施例提供另一种封装结构，包括：重布线路结构，包括多个经堆叠介电层、内嵌于所述多个经堆叠介电层中的多个重布线配线以及多个第一导电接垫，其中所述多个第一导电接垫设置于所述多个经堆叠介电层之中的最外部介电层的表面上，且所述多个第一导电接垫之中的一第一导电接垫通过所述最外部介电层的多个通孔开口电性连接至所述重布线配线之中的一最外部重布线接垫；配线衬底，包括多个第二导电接垫；多个第一导电端子，设置于所述多个第一导电接垫与所述多个第二导电接垫之间；绝缘包封体，设置于所述重布线路结构的表面上，所述绝缘包封体在侧向上包封所述配线衬底；以及半导体装置，其中所述半导体装置与所述配线衬底设置于所述重布线路结构的相对侧。
3、本实用新型实施例提供另一种封装结构，包括：重布线路结构，包括多个第一导电接垫；配线衬底，包括多个第二导电接垫及阻焊层，其中所述多个第二导电接垫中的每一者与所述阻焊层间隔开；多个第一导电端子，设置于所述多个第一导电接垫与所述多个第二导电接垫之间；绝缘包封体，设置于所述重布线路结构的表面上，所述绝缘包封体在侧向上包封所述配线衬底；以及半导体装置，其中所述半导体装置与所述配线衬底设置于所述重布线路结构的相对侧。
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述多个通孔开口的所述第一侧向尺寸为约190微米，且所述多个最外部重布线接垫的所述第二侧向尺寸为约240微米。
4.一种封装结构，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述多个第一导电接垫之中的所述第一导电接垫与所述多个重布线配线之中的所述最外部重布线接垫之间的所述多个通孔开口被布置成阵列。
7.一种封装结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述多个第二导电接垫中的每一者与所述阻焊层间隔开环状间隙。
9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述多个第二导电接垫中的每一者与所述阻焊层间隔开环状间隙，且所述环状间隙由所述第一底部填充胶填充。
