本技术涉及igbt模块插针焊接领域，尤其是一种igbt模块插针超声波焊接装置。
背景技术：
1、igbt(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率mosfet的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。
2、超声波旋转摩擦焊接则是用来将插针焊接在igbt模块的dbc板上的一种方法，现有的超声波旋转摩擦焊接中需要焊接头和底座以不变速率向同一方向旋转，这就需要能驱动焊接头转动和底座转动的机构，就造成焊接装置的结构复杂化。而且由于插针体积很小，在利用超声波旋转焊接时对插针不易夹持，这就需要在焊接装置设置夹持固定插针的结构，进一步造成的结构的复杂化，而且额外设置的固定插针的结构，就需要将插针夹持固定在该结构上，使得效率低下，成本高，还可能会造成插针的损坏的问题。
技术实现思路
1、针对现有的不足，本实用新型提供一种igbt模块插针超声波焊接装置。
2、本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种igbt模块插针超声波焊接装置，包括机架，所述机架上设置有三轴移动平台，所述三轴移动平台上设置有两个换能器，两个所述换能器对称连接在一个变幅杆上，所述变幅杆上连接有焊接头，所述焊接头中心设置有贯通焊接头上下表面的焊头通孔。
3、作为优选，所述变幅杆上设置有成u型结构的连接件，两个所述换能器连接在连接件的u型结构的两端。
4、作为优选，所述三轴移动平台上连接有套筒，所述变幅杆安装在套筒内。
5、作为优选，所述三轴移动平台上还设置有光学视觉检测装置。
6、作为优选，所述机架上还设置有用于放置待焊接产品的基座、与基座活动抵接的定位机构。
7、作为优选，所述定位机构包括设置在机架上位于基座上方并相对基座上下升降的成方形环状结构的定位架，所述定位架的相对两边分别设置有至少两个伸入定位架环内的竖直向下的弹性的抵压脚。
8、作为优选，所述机架上还设置有进料传送带、出料传送带、位于进料传送带和出料传送带之间的中间传送带，所述进料传送带和出料传送带设置在基座相对两侧，所述中间传送带和基座并列设置。
9、作为优选，所述焊头通孔的孔径小于插针尾部的直径。
10、作为优选，所述焊接头的下表面设置有网格状的凸起。
11、作为优选，所述机架上还设置有焊接校正装置。
12、本实用新型的有益效果在于：该实用新型中在焊接头压住插针尾端于焊接基板处时，两个换能器使得插针进行顺时针逆时针交替旋转，使插针与焊接基板之间产生摩擦从而焊接与一起，简化了焊接装置的结构，提高了焊接精度与焊接效率。
1.一种igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于：包括机架，所述机架上设置有三轴移动平台，所述三轴移动平台上设置有两个换能器，两个所述换能器对称连接在一个变幅杆上，所述变幅杆上连接有焊接头，所述焊接头中心设置有贯通焊接头上下表面的焊头通孔。
2.根据权利要求1所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述变幅杆上设置有成u型结构的连接件，两个所述换能器连接在连接件的u型结构的两端。
3.根据权利要求2所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述三轴移动平台上连接有套筒，所述变幅杆安装在套筒内。
4.根据权利要求1所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述三轴移动平台上还设置有光学视觉检测装置。
5.根据权利要求1所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述机架上还设置有用于放置待焊接产品的基座、与基座活动抵接的定位机构。
6.根据权利要求5所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述定位机构包括设置在机架上位于基座上方并相对基座上下升降的成方形环状结构的定位架，所述定位架的相对两边分别设置有至少两个伸入定位架环内的竖直向下的弹性的抵压脚。
7.根据权利要求5所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述机架上还设置有进料传送带、出料传送带、位于进料传送带和出料传送带之间的中间传送带，所述进料传送带和出料传送带设置在基座相对两侧，所述中间传送带和基座并列设置。
8.根据权利要求1所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述焊头通孔的孔径小于插针尾部的直径。
9.根据权利要求1所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述焊接头的下表面设置有网格状的凸起。
10.根据权利要求1所述igbt模块插针超声波焊接装置，其特征在于:所述机架上还设置有焊接校正装置。
