本公开涉及半导体装置及其制造方法。
背景技术：
1、在专利文献1公开了在半导体基板与金属层之间设置阻挡层的技术。阻挡层是为了防止金属层的材料向半导体基板扩散而设置的。另外，作为防止扩散的性能高的阻挡层公开了co合金系膜。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：国际公开第2015－145815号公报
技术实现思路
1、但是，如果将co合金膜长时间保持在200℃以上等高温环境下，则一部分co扩散到半导体基板侧，因此在co合金膜中形成空隙。其结果，存在co合金膜劣化、防止金属层向半导体基板的扩散的性能降低的问题。
2、本公开是为了解决上述问题而提出的，其第一目的在于提供一种不使金属层的材料向半导体基板扩散的半导体装置。另外，第二目的在于提供一种不使金属层的材料向半导体基板扩散的半导体装置的制造方法。
3、本公开的第一方面优选为一种半导体装置，具备：半导体基板，由gaas形成；第一阻挡层，在半导体基板上，由包含ni的合金形成；第二阻挡层，在第一阻挡层上，由包含co的合金或co形成；以及金属层，形成于第二阻挡层上；并且，第一阻挡层的ni浓度为80at％以下。
4、另外，本公开的第二方面优选为一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：在由gaas形成的半导体基板上形成使具有催化活性的金属沉积而得的沉积层的工序；通过镀覆法在沉积层上形成由包含ni的合金形成的第一阻挡层的工序；通过镀覆法在第一阻挡层上形成由包含co的合金或co形成的第二阻挡层的工序；在第二阻挡层上形成金属层的工序；以及实施热处理直至第一阻挡层的ni浓度为80at％以下的工序。
5、根据本公开的第一和第二方面，可以提供不使金属层的材料向半导体基板扩散的半导体装置。
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间具备扩散防止层，所述扩散防止层包含具有催化活性的金属。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，在所述半导体基板与所述第一阻挡层之间具备沉积层，所述沉积层是沉积具有催化活性的金属而得的。
4.一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，具备：
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，所述扩散防止层由蒸镀法或溅射法来形成。
