本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。
背景技术：
1、在半导体装置的制造中，进行通过药液将形成于半导体晶圆等基板的表面的膜去除的湿蚀刻处理。近年来，要求进一步提高蚀刻量的面内均匀性。在专利文献1中记载了以下一种技术：在用于向旋转的基板的中心部供给蚀刻液来进行基板的湿蚀刻的基板处理装置中，通过一边向容易冷却的基板的周缘部吹送调温气体一边进行处理，来提高蚀刻量的面内均匀性。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2001-085383号公报
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、本公开提供一种在对基板的表面进行蚀刻时局部地控制蚀刻量的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一个实施方式所涉及的基板处理方法包括：第一蚀刻工序，在基板的整个表面形成有第一处理液的水坑的状态下，通过从喷嘴朝向在所述基板的所述表面局部地设定的目标区域局部地喷出第二处理液，来以所述目标区域的蚀刻速率与其它区域的蚀刻速率不同的方式进行蚀刻；以及第二蚀刻工序，通过一边使所述基板旋转一边以利用蚀刻液的液膜覆盖所述基板的整个表面的方式供给所述蚀刻液，来对所述基板的整个表面同时进行蚀刻，其中，在所述第一蚀刻工序中使用的所述第一处理液和所述第二处理液中的一方是所述蚀刻液，另一方是通过与所述蚀刻液混合来使利用所述蚀刻液对所述基板的表面进行蚀刻的蚀刻速率下降的蚀刻抑制液。
5、发明的效果
6、根据本公开的上述实施方式，能够在对基板的表面进行蚀刻时局部地控制蚀刻量。
1.一种基板处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括以下工序：
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
13.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
14.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
15.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，
17.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，
18.一种基板处理方法，其中，
19.一种基板处理装置，具备：
20.一种基板处理装置，具备：
