本公开涉及半导体工艺，特别是涉及一种基板处理方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术：
1、在半导体湿法工艺中，需要将基板(例如晶圆)放置在单片机台中，向基板表面喷洒处理液，使基板表面发生化学反应或者去除基板表面附着的颗粒，并使反应副产物或者颗粒随废液流到基板的外部，该湿法工艺用湿法刻蚀或清洗以改善基板表面结构或清洁度。湿法工艺处理后的基板表面上残留有水分与药剂，需要及时地将基板表面上的水分与药剂处理掉。
2、传统技术中，通常采用的基板处理方法是先将清洗液喷射至基板表面上对基板表面清洗处理，然后采用氮气以摇摆的方式喷射至基板表面对基板表面进行干燥处理。然而，基板表面上仍然有颗粒残留，洁净度不高。
技术实现思路
1、基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种基板处理方法、装置、计算机设备和存储介质，它能够提高基板表面的洁净度。
2、其技术方案如下：一种基板处理方法，其特征在于，所述基板处理方法包括：
3、使喷液件对着所述基板表面的中心，将清洗液喷射到所述基板表面的中心，同时驱动所述基板绕其中心轴线按照第一转速自转，以将喷射到所述基板表面上的清洗液甩向所述基板表面的边缘；
4、使所述喷液件由所述基板表面的中心朝向所述基板表面的边缘移动；
5、在所述喷液件离开所述基板表面的中心后，使喷气件对着所述基板表面的中心，通过所述喷气件将吹扫气体喷出到所述基板表面的中心；
6、使所述喷气件由所述基板表面的中心朝向所述基板表面的边缘移动，并使所述喷液件与所述喷气件先后离开与所述基板相对的区域，其中，在所述喷液件移动至所述基板表面的边缘过程中，使所述喷液件与所述基板的中心轴线的间距大于所述喷气件与所述基板的中心轴线的间距；
7、在吹扫气体吹扫完所述基板表面之后，使所述基板按照第二转速自转，所述第二转速大于所述第一转速。
8、在其中一个实施例中，在所述喷液件到达所述基板表面边缘之前使所述喷气件对着所述基板表面的中心。
9、在其中一个实施例中，在将所述清洗液喷射到所述基板表面之前，所述基板处理方法还包括步骤：使所述基板按照第三转速自转，所述第三转速小于所述第一转速。
10、在其中一个实施例中，所述第一转速为500r/min-1000r/min；所述第二转速为1000r/min以上；所述第三转速为100r/min-500r/min。
11、在其中一个实施例中，当所述喷液件对着所述基板表面的中心时，使所述喷液件对着所述基板表面中心的时长达到第一预设值。
12、在其中一个实施例中，所述第一预设值为3s-5s。
13、在其中一个实施例中，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括步骤：
14、对所述基板表面的洁净度进行检测；
15、根据所述基板表面的洁净度的检测结果来调整所述第一预设值。
16、在其中一个实施例中，当所述喷气件对着所述基板表面的中心时，使所述喷气件对着所述基板表面中心的时长达到第二预设值。
17、在其中一个实施例中，所述第二预设值为3s-5s。
18、在其中一个实施例中，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括步骤：
19、对所述基板表面的洁净度进行检测；
20、根据所述基板表面的洁净度的检测结果来调整所述第二预设值。
21、在其中一个实施例中，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括步骤：
22、对所述基板表面的洁净度进行检测；
23、根据所述基板表面的洁净度的检测结果来调整所述第一转速和/或所述第二转速的大小。
24、在其中一个实施例中，在所述使喷液件对着所述基板表面的中心步骤之前，所述基板处理方法还包括步骤：使所述喷液件从第一初始位置移动至与所述基板表面的中心相互对应的位置；和/或，
25、在所述喷液件离开与所述基板相对的区域步骤之后，所述基板处理方法还包括步骤：使所述喷液件返回第一初始位置；和/或，
26、在使所述喷气件对着所述基板表面的中心步骤之前，所述基板处理方法还包括步骤：使所述喷气件从第二初始位置移动至与所述基板表面的中心相互对应的位置；和/或，
27、在所述喷气件离开与所述基板相对的区域步骤之后，所述基板处理方法还包括步骤：使所述喷气件返回第二初始位置。
28、在其中一个实施例中，在所述喷液件离开与所述基板相对的区域步骤之后，所述基板处理方法还包括步骤：使所述喷液件停止喷射清洗液；和/或，
29、在所述喷气件离开与所述基板相对的区域步骤之后，所述基板处理方法还包括步骤：使所述喷气件停止喷射吹扫气体。
30、在其中一个实施例中，所述清洗液为异丙醇；所述吹扫气体为惰性气体。
31、一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
32、第一对位模块，用于使喷液件对着所述基板表面的中心；
33、喷液模块，用于将清洗液喷射到所述基板表面；
34、第一驱动模块，用于驱动所述基板绕其中心轴线按照第一转速自转；
35、第一移动模块，用于使所述喷液件由所述基板表面的中心朝向所述基板表面的边缘移动；
36、第二对位模块，用于在所述喷液件离开所述基板表面的中心后，使喷气件对着所述基板表面的中心；
37、喷气模块，用于通过所述喷气件将吹扫气体喷出到所述基板表面；
38、第二移动模块，用于使所述喷气件由所述基板表面的中心朝向所述基板表面的边缘移动；
39、第二驱动模块，用于在吹扫气体吹扫完所述基板表面之后，使所述基板按照第二转速自转，所述第二转速大于所述第一转速。
40、在其中一个实施例中，所述基板处理装置还包括第三驱动模块，用于在将清洗液喷射到基板表面之前，使所述基板按照第三转速自转，所述第三转速小于所述第一转速。
41、在其中一个实施例中，所述第一对位模块还用于使得所述喷液件对着所述基板表面中心的时长达到第一预设值；
42、所述第二对位模块还用于使得所述喷气件对着所述基板表面中心的时长达到第二预设值；
43、所述基板处理装置还包括：
44、检测模块，所述检测模块用于对基板表面的洁净度进行检测；
45、调整模块，所述调整模块用于对所述第一预设值、所述第二预设值、所述第一转速、所述第二转速中的至少一者进行调整。
46、在其中一个实施例中，所述第一移动模块用于使所述喷液件从第一初始位置移动至与所述基板表面的中心相互对应的位置，和/或，用于使得所述喷液件从与所述基板表面的中心相互对应的位置返回至第一初始位置；
47、所述第二移动模块用于使所述喷气件从第二初始位置移动至与所述基板表面的中心相互对应的位置，和/或，用于使得所述喷气件从与所述基板表面的中心相互对应的位置返回至第二初始位置；
48、所述喷液模块还用于在所述喷液件离开与所述基板相对的区域之后，使所述喷液件停止喷射清洗液；
49、所述喷气模块还用于在所述喷气件离开与所述基板相对的区域之后，使所述喷气件停止喷射吹扫气体。
50、一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现所述的方法的步骤。
51、一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述的方法的步骤。
52、上述基板处理方法、装置、计算机设备和存储介质，在喷液件的作用下，以及由于基板绕其中心轴线自转，能实现喷液件喷射的清洗液布满到基板的整个表面。此外，喷气件的气流先喷出到基板表面的中心，气流接触到基板的表面时会向外扩，将基板表面上的水膜外推，随着喷气件移动至基板表面的边缘以达到水膜向外完全吹甩掉，使得基板表面上几乎没有任何残留，换言之，气流喷射方向与基板表面上的水膜无直接接触，从而能有利于防止喷溅现象。另外，在吹扫气体吹扫完基板表面之后，还通过基板按照大于第一转速的第二转速进行高速自转，从而能使得基板表面上的残留物甩离基板表面，提高基板表面的干燥程度。经研究发现，基板表面上的颗粒物数量大大减少，能大大提高基板表面的洁净度。
1.一种基板处理方法，其特征在于，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述喷液件到达所述基板表面边缘之前使所述喷气件对着所述基板表面的中心。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在将所述清洗液喷射到所述基板表面之前，所述基板处理方法还包括步骤：使所述基板按照第三转速自转，所述第三转速小于所述第一转速。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一转速为500r/min-1000r/min；所述第二转速为1000r/min以上；所述第三转速为100r/min-500r/min。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，当所述喷液件对着所述基板表面的中心时，使所述喷液件对着所述基板表面中心的时长达到第一预设值。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一预设值为3s-5s。
7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括步骤：
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，当所述喷气件对着所述基板表面的中心时，使所述喷气件对着所述基板表面中心的时长达到第二预设值。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二预设值为3s-5s。
10.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括步骤：
11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在使所述基板按照第二转速自转步骤结束后，所述的基板处理方法还包括步骤：
12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述使喷液件对着所述基板表面的中心步骤之前，所述基板处理方法还包括步骤：使所述喷液件从第一初始位置移动至与所述基板表面的中心相互对应的位置；和/或，
13.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述喷液件离开与所述基板相对的区域步骤之后，所述基板处理方法还包括步骤：使所述喷液件停止喷射清洗液；和/或，
14.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述清洗液为异丙醇；所述吹扫气体为惰性气体。
15.一种基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置包括：
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括第三驱动模块，用于在将清洗液喷射到基板表面之前，使所述基板按照第三转速自转，所述第三转速小于所述第一转速。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一对位模块还用于使得所述喷液件对着所述基板表面中心的时长达到第一预设值；
18.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一移动模块用于使所述喷液件从第一初始位置移动至与所述基板表面的中心相互对应的位置，和/或，用于使得所述喷液件从与所述基板表面的中心相互对应的位置返回至第一初始位置；
19.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至14任一项所述的方法的步骤。
20.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至14任一项所述的方法的步骤。
