本发明涉及薄膜晶体管基板。
背景技术：
1、包括诸如氧化铟镓锌(igzo)的氧化物半导体材料的薄膜晶体管(tft)被用于包括液晶显示面板的显示设备和有机发光二极管(oled)显示设备以及其它种类的设备中。氧化物半导体tft产生小的漏电流，因此有助于设备的低功耗。
技术实现思路
1、薄膜晶体管基板需要高制造效率。
2、根据本发明的一个方面的薄膜晶体管基板包括：第一绝缘膜；位于所述第一绝缘膜上方的第二绝缘膜；第一薄膜晶体管；第二薄膜晶体管；以及电容元件。所述第一薄膜晶体管包括顶栅电极和位于所述第一绝缘膜上方的第一半导体区域。所述第二薄膜晶体管包括位于所述第二绝缘膜上方的第二半导体区域。所述电容元件包括所述顶栅电极的至少一部分和包含所述第二半导体区域的同一半导体层的第一低电阻半导体区域，所述第一低电阻半导体区域与所述顶栅电极的至少一部分重叠，一绝缘膜介于所述第一低电阻半导体区域与所述顶栅电极之间。
3、本发明的一个方面能够将tft有效地结合到薄膜晶体管基板中。
4、应该理解，上述概括描述和以下详细描述都是示例性的和解释性的，而不是对本发明的限制。
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二半导体区域和所述第一低电阻半导体区域由氧化物半导体制成。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一半导体区域由氧化物半导体制成。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，与所述第一半导体区域中的沟道区域邻接的第二低电阻半导体区域和与所述第二半导体区域中的沟道区域邻接的第三低电阻半导体区域通过接触区域连接。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管基板，
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一薄膜晶体管的所述顶栅电极连接到与所述第二半导体区域中的沟道区域邻接的第四低电阻半导体区域。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，
9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第二低电阻半导体区域的与所述接触区域接触的部分的杂质浓度高于与所述接触区域接触的所述部分外侧的部分的杂质浓度。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第五低电阻半导体区域的与所述接触区域接触的部分的杂质浓度高于与所述接触区域接触的所述部分外侧的部分的杂质浓度。
11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一低电阻半导体区域包含选自氦、氩、氢、硼和磷中的至少一种元素。
