本申请涉及多层膜基板、弹性波器件、模块以及多层膜基板的制造方法。
背景技术：
1、专利文献1公开弹性波器件。该弹性波器件包括压电基板和支承基板。
2、专利文献1：日本特开2022-028566号公报
技术实现思路
1、在弹性波器件中，对压电基板与支承基板的接合强度要求较高。因此，期望提高压电基板与支承基板的接合性。
2、本申请是为了解决上述问题而完成的。本申请的目的在于提供能够提高压电基板与支承基板的接合性的多层膜基板、弹性波器件、模块以及多层膜基板的制造方法。
3、本申请所涉及的多层膜基板包括：压电基板；第一绝缘膜，形成在所述压电基板上；支承基板；第二绝缘膜，形成在所述支承基板上；以及接合层，形成于所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜之间；在弹性波的波长为λ的情况下，所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述接合层的厚度之和大于0.06λ且小于0.075λ。
4、本申请的一实施例中，所述接合层的厚度与所述压电基板的厚度的比为0.1％～5％。
5、本申请的一实施例中，所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜、所述接合层的厚度之和等于或小于所述压电基板的厚度的一半。
6、本申请的一实施例中，所述第一绝缘膜的厚度范围为50nm～200nm。
7、本申请的一实施例中，所述压电基板的厚度范围为0.58λ～0.71λ。
8、本发明的一实施例中，所述支承基板与所述第二绝缘膜的接触面积大于所述压电基板与所述第一绝缘膜的接触面积。
9、本发明的一实施例中，所述第一绝缘膜的厚度大于所述第二绝缘膜的厚度。
10、本发明的一实施例中，所述压电基板由钽酸锂形成。
11、本发明的一实施例中，所述支承基板由尖晶石形成。
12、本申请还提供一种弹性波器件，包括：如上所述的多层膜基板；以及形成于所述多层膜基板上的多个弹性波元件。
13、本申请还提供一种模块，包括如上所述的弹性波器件。
14、本申请还提供一种多层膜基板的制造方法，包括：第一绝缘膜形成工序，在压电基板上形成第一绝缘膜；第二绝缘膜形成工序，在支承基板上形成第二绝缘膜；第一接合层形成工序，在所述第一绝缘膜上形成第一接合层；第二接合层形成工序，在所述第二绝缘膜上形成第二接合层；以及接合层形成工序，将所述第一接合层与所述第二接合层接合。
15、本申请的一实施例中，在所述接合层形成工序之前，还包括：第一高速原子线照射处理工序，对所述第一接合层的表面进行高速原子线照射处理；以及第二高速原子线照射处理工序，对所述第二接合层的表面进行高速原子线照射处理。
16、综上所述，通过压电基板与支承基板将第一绝缘膜、第二绝缘膜、接合层作为中间层而相互接合，因此，能够提高压电基板与支承基板的接合性。
1.一种多层膜基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多层膜基板，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的多层膜基板，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的多层膜基板，其特征在于，所述第一绝缘膜的厚度范围为50nm～200nm。
5.根据权利要求1所述的多层膜基板，其特征在于，所述压电基板的厚度范围为0.58λ～0.71λ。
6.根据权利要求1所述的多层膜基板，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的多层膜基板，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的多层膜基板，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的多层膜基板，其特征在于，
10.一种弹性波器件，其特征在于，包括：
11.一种模块，其特征在于，包括根据权利要求10所述的弹性波器件。
12.一种多层膜基板的制造方法，其特征在于，包括：
13.根据权利要求12所述的多层膜基板的制造方法，其特征在于，在所述接合层形成工序之前，还包括：
