本申请涉及半导体制程，尤其涉及一种推测半导体制程中缺陷形状方法、系统、设备及可读介质。
背景技术：
1、在半导体制造领域，制造过程的质量与良率是产品成功的关键因素。由于各种原因，如材料特性、工艺流程、设备状况或其他未知因素，半导体制造过程中可能会出现各种缺陷。这些缺陷会对产品性能和可靠性造成不良影响。因此，对于制造商来说，能够及时、准确地识别、分析和处理这些缺陷是至关重要的，以确保高效的制造过程和优质的产品。
2、为了实现上述目标，人们已经研究并开发了多种缺陷检测和分析方法。其中，传统的方法主要包括：直接人工检查法，这种方法依赖于操作人员的经验和技能，通过目测和简单的计算来评估和描述缺陷的形状和特性。虽然这种方法简单、直观，但它存在一些明显的缺点。首先，它的效率低下，无法满足大规模生产线的需求。其次，由于人为因素的影响，它的精度和可靠性受到限制，可能会导致误判或遗漏。图像识别技术，这种技术通过对半导体表面的高分辨率图像进行计算机分析，从而自动检测和描述缺陷。这种方法在很多情况下比直接人工检查法更为先进和有效。然而，它也存在一些固有的局限性。例如，处理高分辨率图像通常需要大量的计算资源，这可能会导致分析过程变得缓慢。此外，某些复杂、细微或不规则的缺陷形状可能难以被这种方法准确捕捉和描述，从而降低了它的精度和可靠性。
3、综上所述，尽管现有的缺陷检测和分析方法在某些方面取得了一定的进展，但它们仍然存在许多固有的缺陷和局限性，需要进一步研究和改进。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种推测半导体制程中缺陷形状方法、系统、设备及可读介质，至少用以使得该方法可以更高效和准确的对缺陷形状进行推测。
2、为实现上述目的，本申请的一些实施例提供了一种推测半导体制程中缺陷形状方法，所述方法包括：获取半导体制程测量数据，根据所述半导体制程测量数据，得到缺陷参数；根据所述缺陷参数，计算得到面积比例和长宽比例；根据所述面积比例确定聚集程度，根据所述长宽比例确定扁平程度；根据所述聚集程度和所述扁平程度，结合半导体工艺流程分析确定缺陷形状和缺陷类型。
3、进一步地，所述半导体制程测量数据的文件格式为klarf。
4、进一步地，所述缺陷参数包括：缺陷面积、外接矩形框面积、长度和宽度。
5、进一步地，所述面积比例为所述缺陷面积/所述外接矩形框；所述长宽比为所述长度/所述宽度。
6、进一步地，当所述面积比例越大，则判定所述聚集程度越高；当所述面积比例越小，则判定所述聚集程度越低；当所述长宽比越接近1，则判定所述扁平程度越低；当所述长宽比例越远离1，则判定所述扁平程度越高。
7、进一步地，所述结合半导体工艺流程分析确定缺陷形状包括：根据所述聚集程度分析缺陷分布；根据所述扁平程度分析缺陷形态；根据半导体工艺流程、缺陷分布和缺陷形态，分析缺陷在工艺流程中的成因，确定所述缺陷形状和缺陷类型。
8、进一步地，所述半导体工艺流程包括氧化、沉积、蚀刻和研磨；所述缺陷类型包括划痕、裂痕和颗粒。
9、本申请的一些实施例还提供了一种推测半导体制程中缺陷形状系统，所述系统包括：参数获取模块，所述参数获取模块用于获取半导体制程测量数据，根据所述半导体制程测量数据，得到缺陷参数；计算模块，所述计算模块用于根据所述缺陷参数，计算得到面积比例和长宽比例；根据所述面积比例确定聚集程度，根据所述长宽比例确定扁平程度；缺陷分析模块，所述缺陷分析模块用于根据所述聚集程度和所述扁平程度，结合半导体工艺流程分析确定缺陷形状和缺陷类型。
10、本申请的一些实施例还提供了一种推测半导体制程中缺陷形状设备，所述设备包括：一个或多个处理器；以及存储有计算机程序指令的存储器，所述计算机程序指令在被执行时使所述处理器执行如上所述的方法。
11、本申请的一些实施例还提供了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令可被处理器执行以实现所述的推测半导体制程中缺陷形状方法。
12、相较于现有技术，本申请实施例提供的方案中，推测半导体制程中缺陷形状方法采用了半导体制程测量数据，这种数据可以更直接、更准确地反映缺陷的实际情况，从而提高分析的准确性；通过计算得到的缺陷参数，如面积比例和长宽比例，结合聚集程度和扁平程度的考量，使得缺陷形状的推测更为准确和全面；与依赖人工分析的方法相比，本申请实施例的方案可以自动化地进行缺陷形状的推测，从而大大提高了处理效率；由于本申请实施例采用了多种参数并结合半导体工艺流程进行缺陷形状的推测，因此其方法具有很好的适应性，可以应对各种不同的缺陷类型和情况。
1.一种推测半导体制程中缺陷形状方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述半导体制程测量数据的文件格式为klarf。
3.根据权利要求1或2所述任一方法，其特征在于，所述缺陷参数包括：缺陷面积、外接矩形框面积、长度和宽度。
4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述面积比例为所述缺陷面积/所述外接矩形框；所述长宽比为所述长度/所述宽度。
5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，当所述面积比例越大，则判定所述聚集程度越高；当所述面积比例越小，则判定所述聚集程度越低；
6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述结合半导体工艺流程分析确定缺陷形状包括：
7.根据权利要求6所述方法，其特征在于，所述半导体工艺流程包括氧化、沉积、蚀刻和研磨；
8.一种推测半导体制程中缺陷形状系统，其特征在于，所述系统包括：
9.一种推测半导体制程中缺陷形状设备，其特征在于，所述设备包括：
10.一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令可被处理器执行以实现如权利要求1-7任意一项所述的方法。
