一种适用于线路板的退膜方法与流程

专利检索2025-07-28  16


本发明涉及印制线路板的退膜过程领域,尤指一种适用于印制线路板退膜的工艺方法。


背景技术:

1、印刷制板,是线路板在印刷前的工艺流程之一,在这个流程内,会涉及到退膜的步骤,是在铜箔表面形成电路图案的重要步骤之一。

2、线路板的结构是多样化的,在退膜中,针对不同结构的线路板,普遍的客户都是采用单一的退膜方式对光敏胶去除。

3、通常地,这种单一的退膜方式,包含有:有机退膜或者无机退膜两种。

4、有机退膜液工艺是不影响线路板上的锡面涂层,但对干膜产生的膜碎比较细,容易造成过滤系统的困扰,特别是容易堵塞喷嘴,影响退膜效果,对设备的投入和保养频率上有比较大的挑战。

5、而无机退膜液在产生膜碎的方面相对于有机退膜工序具有体积大的优势,在过滤方面,容易滤出,过滤更见容易,不易堵塞喷嘴,不会影响退膜效果,但会对锡面会造成腐蚀(锡面是在二次铜的表面涂上,防止铜被腐蚀),导致后续的蚀刻比较麻烦。


技术实现思路

1、为解决上述问题,本发明提供一种适用于线路板的退膜方法,能够减缓对锡面的腐蚀,同时又能满足提升膜碎的条件。

2、为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种适用于线路板的退膜方法,包括有以下步骤:

3、步骤一,采用无机退膜液进行分别进行两段式的退膜,该无机退膜液包含有3-5wt%的氢氧化钠,其余为去离子水,温度在45-55°之间,退膜时间为60-90s之间;

4、步骤二,采用有机退膜液作为第三段式的退膜,该有机退膜液包含有:有机碱乙醇胺0.8-2.0wt%,有机溶剂乙二醇1.2-2wt%,缓蚀剂苯并三氮挫0.01-0.05wt%,加速剂聚乙二醇-1000在0.5-1wt%,其余为去离子水,温度控制在45-55℃之间,退膜时间30-50s之间。

5、进一步地,氢氧化钠为3wt%,其余为去离子水,温度为45℃,退膜时间为68s;机碱乙醇胺0.8wt%,乙二醇1.2wt%,苯并三氮挫0.01wt%,聚乙二醇-1000在0.5wt%,其余为去离子水,温度控制为45℃,退膜时间为45s。

6、进一步地,氢氧化钠为4wt%,其余为去离子水,温度为50℃,退膜时间为68s;乙醇胺1.4wt%,乙二醇1.6wt%,苯并三氮挫0.03wt%聚乙二醇-1000在0.75wt%,其余为去离子水,温度控制为50℃,退膜时间为37s。

7、进一步地,氢氧化钠为5wt%,其余为去离子水,温度为55℃,退膜时间为68s;乙醇胺2wt%,乙二醇2wt%,苯并三氮挫0.05wt%,聚乙二醇-1000在1wt%,其余为去离子水,温度控制为55℃,退膜时间为37s。

8、本发明的有益效果:

9、本发明的退膜方法主要是采用有机退膜液与无机退膜液的混搭使用,另外,无机退膜液是使用二次的,并且是分段式进行,在结合有机退膜液后,产出的膜渣更大,并且对锡的分解更小。



技术特征:

1.一种适用于线路板的退膜方法,其特征在于,包括有以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种适用于线路板的退膜方法,其特征在于,氢氧化钠为3wt%,其余为去离子水,温度为45℃,退膜时间为68s;机碱乙醇胺0.8wt%,乙二醇1.2wt%,苯并三氮挫0.01wt%,聚乙二醇-1000在0.5wt%,其余为去离子水,温度控制为45℃,退膜时间为45s。

3.根据权利要求1所述的一种适用于线路板的退膜方法,其特征在于,,氢氧化钠为4wt%,其余为去离子水温度为50℃,退膜时间为68s;乙醇胺1.4wt%,乙二醇1.6wt%,苯并三氮挫0.03wt%,聚乙二醇-1000在0.75wt%,其余为去离子水,温度控制为50℃,退膜时间为37s。

4.根据权利要求1所述的一种适用于线路板的退膜方法,其特征在于,,氢氧化钠为5wt%,其余为去离子水温度为55℃,退膜时间为68s;乙醇胺2wt%,乙二醇2wt%,苯并三氮挫0.05wt%,聚乙二醇-1000在1wt%,其余为去离子水,温度控制为55℃,退膜时间为37s。


技术总结
本发明涉及印制线路板的退膜过程领域,尤指一种适用于印制线路板退膜的工艺方法,包括有以下步骤:步骤一,采用无机退膜液进行分别进行两段式的退膜,该无机退膜液包含有3‑5wt%的氢氧化钠,其余为去离子水,温度在45‑55°之间,退膜时间为60‑90s之间;步骤二,采用有机退膜液作为第三段式的退膜,该有机退膜液包含有:有机碱乙醇胺0.8‑2.0wt%,有机溶剂乙二醇1.2‑2wt%,缓蚀剂苯并三氮挫0.01‑0.05wt%,加速剂聚乙二醇‑1000在0.5‑1wt%,其余为去离子水,温度控制在45‑55℃之间,退膜时间30‑50s之间。本发明的退膜方法主要是采用有机退膜液与无机退膜液的混搭使用,另外,无机退膜液是使用二次的,并且是分段式进行,在结合有机退膜液后,产出的膜渣更大,并且对锡的分解更小。

技术研发人员:束学习
受保护的技术使用者:东莞市斯坦得电子材料有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/29
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