本发明属于半导体材料制备，尤其涉及一种控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法。
背景技术：
1、红外探测技术自第二次世界大战以来已经发展了两个多世纪，已从最开始的军事装备逐步应用于工业、遥感、通讯、大气监测和气象等领域。其中，锑化物红外探测器凭借其量子效率高、带隙可调、暗电流低及材料制备均匀性高等优势，成为第三代红外探测器较为理想的材料。通过采用分子束外延(mbe)技术制备出的inas/gasb超晶格材料，稳定性好、均匀性极高、晶格失配小，且电子有效质量大。因此，锑化物超晶格焦平面红外探测器的研制迅速成为行业里的新热点。
2、在锑化物二类超晶格(t2sl)焦平面红外探测器的生产制造过程，芯片衬底表面的杂质残留及颗粒会影响后序的表面改性工艺、先进封装的可靠性和稳定性。粗颗粒或杂质会增加像元的厚度，影响到整个电子系统。另外，某些颗粒物会导致电路的短路问题。当然，颗粒物对管脚焊接的影响也十分巨大，间接导致焊点的不充分、焊点松动甚至脱落的发生，进一步影响到整个系统。为了解决这些问题，实际生产中常常选择更加精细的原材料和工艺，在化学机械抛光(cmp)过程对抛光液进行筛选和工艺的优化，对芯片进行高效的清洁、清洗等，以此确保后序工艺的可靠性和稳定性。
3、中国专利申请(公开号cn106119972a)公开了“一种控制gasb单晶衬底表面颗粒度的方法”，其工艺方法如下：首先，将gasb单晶片进行抛光后，依次在无水乙醇、石油醚和异丙醇中进行超声清洗以去除表面残留和有机杂质颗粒。随后，浸入盐酸和异丙醇的混合溶液中再次超声以去除gasb单晶片表面氧化物及颗粒。最后，于氮气环境下干燥后塑封保存。整个工艺过程多次浸泡在无水乙醇中以防止过度氧化。该方法只适用于gasb单晶晶圆表面颗粒度的控制。其采用盐酸-异丙醇混合溶液进行超声清洗具有一定的局限性，该发明中的盐酸会与金属发生反应，不适用于互联完成的芯片的gasb衬底清洗，这会造成电路管脚腐蚀，导致封装可靠性下降，甚至报废。另外，盐酸会产生环境污染、危害人体等问题，不利于可持续发展的目标。
技术实现思路
1、本发明的主要目的在于提供一种控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，以克服现有技术中的不足。
2、为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
3、根据本发明实施例的第一方面，提供了一种控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，包括以下步骤：
4、s1、对红外探测器芯片gasb衬底进行抛光，用去离子水对所述红外探测器芯片gasb衬底进行冲洗，获得抛光后的芯片gasb衬底；
5、s2、在纯氮气流下，将所述抛光后的芯片gasb衬底干燥完全，之后依次利用丙酮、去离子水重复喷枪清洗，获得清洗后的芯片gasb衬底；
6、s3、将所述清洗后的芯片gasb衬底依次浸入异丙醇、无水乙醇、去离子水中进行超声清洗，之后在纯氮气流中干燥完全，获得除杂后的红外探测器芯片gasb衬底。
7、进一步的，所述控制t2sl红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，步骤s1中，所述抛光的方法为机械抛光，所述机械抛光的方法包括将待处理的红外探测器芯片gasb衬底固定在抛光载具底部，调节下压力至30g，将抛光载具放置在聚氨酯抛光盘上；启动抛光盘低速匀速旋转，期间施加抛光液，增加所述抛光盘的转速至30rpm后恒速运行；达到抛光设定时间10min后，将抛光盘取下。
8、进一步的，所述抛光液的出液速率为4ml/min。
9、进一步的，所述机械抛光的抛光液为无定形二氧化硅抛光液。
10、进一步的，步骤s2中，所述喷枪清洗的气源为纯度4n的纯氮。
11、进一步的，步骤s2中，所述喷枪清洗的方法包括采用喷枪由下至上反复清洗。
12、进一步的，步骤s3中，所述超声清洗功率≤80％。
13、进一步的，步骤s2和s3中所述纯氮气流中氮气的纯度为4n。
14、进一步的，步骤s1、s2和s3中所述去离子水的处理时间≤2min。
15、进一步的，所述控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，还包括s4、将所述除杂后的红外探测器芯片gasb衬底装盒后保存于氮气柜中。
16、与现有技术相比，本发明的优点包括：
17、本发明实施例提供一种控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，通过抛光去除了芯片gasb衬底表面的氧化层，增加了表面疏水性，进一步降低了其表面粗糙度并去除了杂质，再通过丙酮、去离子水喷枪清洗去除额外的有机污染物和大部分抛光液磨粒，最后再辅以有机溶剂超声清洗，可以有效去除芯片gasb衬底表面剩余的残留及颗粒物，极大提升了t2sl红外探测器芯片gasb衬底表面质量。另外，本发明不使用盐酸等强酸作为清洗试剂，芯片电路部分不会发生腐蚀，且对环境较为友好，适用于t2sl红外探测器芯片的先进生产。
1.一种控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述控制t2sl红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：
3.根据权利要求2所述控制t2sl红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：所述抛光液的出液速率为4ml/min。
4.根据权利要求2-3中任一项所述控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：所述机械抛光的抛光液为无定形二氧化硅抛光液。
5.根据权利要求1所述控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：步骤s2中，所述喷枪清洗的气源为纯度4n的纯氮。
6.根据权利要求1所述控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：步骤s2中，所述喷枪清洗的方法包括采用喷枪由下至上反复清洗。
7.根据权利要求1所述控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：步骤s3中，所述超声清洗功率≤80％。
8.根据权利要求1所述控制t2sl红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：步骤s2和s3中所述纯氮气流中氮气的纯度为4n。
9.根据权利要求1所述控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：步骤s1、s2和s3中所述去离子水的处理时间≤2min。
10.根据权利要求1所述控制红外探测器芯片gasb衬底表面颗粒杂质的方法，其特征在于：还包括s4、将所述除杂后的红外探测器芯片gasb衬底装盒后保存于氮气柜中。
