本技术是关于导电膜领域，特别是关于一种导电膜及显示组件。
背景技术：
1、近些年来，伴随智能手机、平板电脑以及大尺寸消费类电子产品的兴起，电容式触摸屏市场也越来越大，其技术的更新迭代更是迅速。伴随着市场需求的尺寸不断增大，从几英寸到几十英寸，其功能要求也越来越强。电容式触摸屏中触摸屏导电膜是其重要组成部分。现有的技术方案中，导电膜一般直接框贴于lcm(液晶模块)上。而导电膜的基材层未做任何处理，基材层本身的硬度很低，在制程过程中极易产生划伤，导致良品率降低。另外在显示屏长期使用过程中，由于lcm显示模组产生的热量，会导致基材层有小分子析出风险，导致显示效果模糊。
2、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种导电膜及显示组件，其能够防止基材层被刮划并且避免基材层的小分子析出，提高了导电膜的显示效果。
2、为实现上述目的，本实用新型提供了一种导电膜，其包括：基材层、硅连接层、导电功能层和耐划刮层。基材层具有相对设置的第一表面和第二表面；硅连接层设置于所述基材层的第一表面；导电功能层设置于所述硅连接层远离所述基材层的一侧；耐划伤层设置于所述基材层的第二表面。
3、在一个或多个实施方式中，所述耐划伤层为树脂层；和/或，所述耐划伤层的厚度介于2μm-3μm之间。在一个或多个实施方式中，所述耐划伤层的折射率介于1.5-1.6之间。
4、在一个或多个实施方式中，所述基材层为pet基材层。
5、在一个或多个实施方式中，所述基材层的厚度介于50μm-190μm之间。
6、在一个或多个实施方式中，所述硅连接层的厚度介于0.5nm-1nm之间。
7、在一个或多个实施方式中，所述导电功能层选自铜层、氧化铜层或氮化铜层中的一种。
8、在一个或多个实施方式中，所述导电功能层的厚度介于250nm-300nm之间。
9、在一个或多个实施方式中，所述导电功能层的电阻介于0.04ω-0.07ω之间。
10、与现有技术相比，根据本实用新型的导电膜中增加耐划伤层，使得本实用新型的导电膜具有更高的硬度，从而使导电膜更耐划伤，从而可以避免基材层被划伤。其次，该导电膜具有更长久的使用寿命，与基材层直接贴合lcm显示模组相比，该基材层被厚度为2-3μm的耐划划层保护，极大的降低了基材层的小分子析出的风险，使导电膜获得更长久的最佳显示效果，从而延长其使用寿命。
11、本实用新型还提供了一种显示组件，其包括：lcm显示模组及设于所述lcm显示模组上的导电膜；所述导电膜的耐划伤层临靠所述lcm显示模组设置，且通过光学胶贴合于所述lcm显示模组上；所述光学胶仅分布于所述lcm显示模组的边框上。
12、与现有技术相比，根据本实用新型的显示组件通过设置导电膜，可以有效保护lcm显示模组，使lcm显示模组获得更长久的最佳显示效果，从而延长其使用寿命。
1.一种导电膜，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述耐划伤层为树脂层；和/或，所述耐划伤层的厚度介于2μm-3μm之间。
3.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述耐划伤层的折射率介于1.5-1.6之间。
4.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述基材层为pet基材层。
5.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述基材层的厚度介于50μm-190μm之间。
6.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述硅连接层的厚度介于0.5nm-1nm之间。
7.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电功能层选自铜层、氧化铜层或氮化铜层中的一种。
8.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电功能层的厚度介于250nm-300nm之间。
9.如权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述导电功能层的电阻介于0.04ω-0.07ω之间。
10.一种显示组件，其特征在于，包括：lcm显示模组及设于所述lcm显示模组上的如权利要求1-9任意一项所述的导电膜；
