本发明主要涉及led芯片，具体涉及一种超薄led芯片的制备方法及超薄led芯片。
背景技术：
1、随着led芯片技术的发展，现有的led芯片往小型化尺寸发展，由于不同应用场景对led芯片的发光光色要求不同，现有的led芯片在封装时，需要通过在led芯片的出光面上覆盖荧光膜片，通过荧光膜片实现不同光色的转换，这种结构导致led芯片的整体尺寸增大，不能满足led芯片的尺寸小型化需求。
技术实现思路
1、本发明的目的在于克服现有技术的不足，本发明提供了一种超薄led芯片的制备方法及超薄led芯片，通过采用复合型荧光材料载体作为led芯片的衬底，满足led芯片不同光色的发光光效要求，同时满足小型化尺寸要求。
2、本发明提供了一种超薄led芯片的制备方法，所述超薄led芯片的制备方法包括：
3、对外延片去除衬底，并在所述外延片的电流扩展层或n-gan层粘接复合型荧光材料载体，得到初始芯片；
4、对所述初始芯片进行刻蚀，裸露出外延片的p-gan层和n-gan层；
5、在所述p-gan层或电流扩展层上制备金属p电极，在所述n-gan层上制备金属n电极，在初始芯片上形成电极区域；
6、在所述电极区域上覆盖钝化层，且在所述钝化层上裸露出所述金属p电极和所述金属n电极；
7、对初始芯片进行划片，得到超薄led芯片。
8、进一步的，所述对外延片去除衬底，并在所述外延片的电流扩展层或n-gan层粘接复合型荧光材料载体，得到初始芯片包括：
9、通过一次转移在所述外延片的电流扩展层粘接复合型荧光材料载体，形成n-gan层、量子阱层、p-gan层、电流扩展层和复合型荧光材料载体从上到下依次排布的初始芯片；
10、或通过二次转移在所述外延片的n-gan层上粘接复合型荧光材料载体，形成电流扩展层、p-gan层、量子阱层、n-gan层和复合型荧光材料载体从上到下依次排布的初始芯片。
11、进一步的，所述通过一次转移在所述外延片的电流扩展层粘接复合型荧光材料载体包括：
12、在外延片的p-gan层上粘贴覆盖电流扩展层；
13、将所述外延片的电流扩展层通过粘接剂粘接在复合型荧光材料载体上；
14、通过激光剥离所述外延片的衬底，裸露出n-gan层。
15、进一步的，对所述初始芯片进行刻蚀，裸露出外延片的p-gan层和n-gan层包括：
16、基于刻蚀在初始芯片上划分为若干个凸台，在所述若干个凸台之间裸露出所述电性扩展层。
17、进一步的，在任一所述凸台的顶面n-gan层上制备金属n电极；
18、在对应每个凸台一侧裸露的所述电性扩展层上制备金属p电极。
19、进一步的，所述通过二次转移在所述外延片的电流扩展层制备复合型荧光材料载体包括：
20、在外延片的p-gan层上粘贴覆盖电流扩展层；
21、将所述外延片的电流扩展层通过粘接剂粘接到临时载板上；
22、通过激光剥离所述外延片的衬底，裸露出n-gan层；
23、将n-gan层通过透明粘接胶粘接在复合型荧光材料载体上；
24、通过激光剥离所述临时载板，裸露出所述p-gan层上的电流扩展层。
25、进一步的，对所述初始芯片进行刻蚀，裸露出外延片的p-gan层和n-gan层包括：
26、基于刻蚀将在所述初始芯片上划分有若干个凸台，在所述若干个凸台之间裸露出n-gan层；
27、基于刻蚀在每个所述凸台上刻蚀形成有凹槽，所述凹槽的底部裸露着所述p-gan层。
28、进一步的，在所述凹槽内的p-gan层上依次制备电流阻挡层和金属p电极；
29、在对应每个凸台一侧裸露的所述n-gan层上制备金属n电极。
30、本发明还提供了一种超薄led芯片，所述超薄led芯片基于所述超薄led芯片的制备方法制备形成；
31、所述超薄led芯片包括：复合型荧光材料载体、设置在所述复合型荧光材料载体上的gan层、电流扩展层、金属p电极、金属n电极和钝化层；
32、所述gan层包括：n-gan层、p-gan层、以及设置在所述n-gan层和所述p-gan层之间的量子阱层；
33、所述金属n电极设置在所述n-gan层上，所述金属p电极设置在所述p-gan层或所述电流扩展层上。
34、进一步的，所述复合型荧光材料载体的材质为荧光陶瓷片，或所述复合型荧光材料载体的材质为荧光玻璃。
35、进一步的，所述电流扩展层的材质为ito，或所述电流扩展层的材质为zno。
36、进一步的，所述钝化层覆盖在所述gan层表面，且所述金属n电极和所述金属p电极裸露在所述钝化层外。
37、进一步的，所述电流扩展层设置在所述p-gan层上。
38、进一步的，所述gan层从上到下依次为n-gan层、量子阱层、p-gan层以及电流扩展层；
39、所述电流扩展层基于粘胶粘接在所述复合型荧光材料载体上。
40、进一步的，所述gan层从上到下依次为电流扩展层、p-gan层、量子阱层以及n-gan层；
41、所述n-gan层基于粘胶粘接在所述复合型荧光材料载体上。
42、进一步的，所述电流扩展层上开设有凹槽，所述凹槽的底面裸露着所述p-gan层；
43、所述金属p电极设置在所述凹槽内。
44、进一步的，所述金属p电极和所述p-gan层之间设置有电流阻挡层。
45、本发明提供了一种超薄led芯片的制备方法及超薄led芯片，通过采用复合型荧光材料载体作为led芯片的衬底，满足led芯片不同光色的发光光效要求，同时满足小型化尺寸要求。
1.一种超薄led芯片的制备方法，其特征在于，所述超薄led芯片的制备方法包括：
2.如权利要求1所述的超薄led芯片的制备方法，其特征在于，所述对外延片去除衬底，并在所述外延片的电流扩展层或n-gan层粘接复合型荧光材料载体，得到初始芯片包括：
3.如权利要求2所述的超薄led芯片的制备方法，其特征在于，所述通过一次转移在所述外延片的电流扩展层粘接复合型荧光材料载体包括：
4.如权利要求3所述的超薄led芯片的制备方法，其特征在于，对所述初始芯片进行刻蚀，裸露出外延片的p-gan层和n-gan层包括：
5.如权利要求4所述的超薄led芯片的制备方法，其特征在于，在任一所述凸台的顶面n-gan层上制备金属n电极；
6.如权利要求2所述的超薄led芯片的制备方法，其特征在于，所述通过二次转移在所述外延片的电流扩展层制备复合型荧光材料载体包括：
7.如权利要求6所述的超薄led芯片的制备方法，其特征在于，对所述初始芯片进行刻蚀，裸露出外延片的p-gan层和n-gan层包括：
8.如权利要求7所述的超薄led芯片的制备方法，其特征在于，在所述凹槽内的p-gan层上依次制备电流阻挡层和金属p电极；
9.一种超薄led芯片，其特征在于，所述超薄led芯片基于如权利要求1至8任一所述的超薄led芯片的制备方法制备形成；
10.如权利要求9所述的超薄led芯片，其特征在于，所述复合型荧光材料载体的材质为荧光陶瓷片，或所述复合型荧光材料载体的材质为荧光玻璃。
11.如权利要求9所述的超薄led芯片，其特征在于，所述电流扩展层的材质为ito，或所述电流扩展层的材质为zno。
12.如权利要求9所述的超薄led芯片，其特征在于，所述钝化层覆盖在所述gan层表面，且所述金属n电极和所述金属p电极裸露在所述钝化层外。
13.如权利要求9所述的超薄led芯片，其特征在于，所述电流扩展层设置在所述p-gan层上。
14.如权利要求9所述的超薄led芯片，其特征在于，所述gan层从上到下依次为n-gan层、量子阱层、p-gan层以及电流扩展层；
15.如权利要求9所述的超薄led芯片，其特征在于，所述gan层从上到下依次为电流扩展层、p-gan层、量子阱层以及n-gan层；
16.如权利要求15所述的超薄led芯片，其特征在于，所述电流扩展层上开设有凹槽，所述凹槽的底面裸露着所述p-gan层；
17.如权利要求16所述的超薄led芯片，其特征在于，所述金属p电极和所述p-gan层之间设置有电流阻挡层。
