本技术涉及恒定温度控制，具体涉及一种温度控制及电流驱动sip器件。
背景技术：
1、因半导体激光器(ld)具有覆盖波长范围宽、转换效率高以及可直接调制等优点，广泛应用于激光测距、激光通信、激光雷达等军用及民用领域。作为一种功率器件，半导体激光器的主要特性之一是其温度特性。随着温度的变化，半导体激光器的发光波长会随之发生漂移，光谱宽度同时会产生变化。此外，温度每升高1℃，其发光强度会相应衰减约1％左右。因此，为了给该系统提供稳定的环境温度，需要通过温度控制及驱动系统，控制peltier热电制冷器(tec)实现恒温控制功能。
2、目前，随着系统的高集成度、小型化、低成本等需求的日益迫切，常规的pcb电路设计已经无法满足需求。而系统封装集成技术(sip)的发展，为上述系统设计提供了一种重要技术途径。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本实用新型的一种温度控制及电流驱动sip器件，包括：
2、温度控制及电流驱动模组；所述的温度控制及电流驱动模组通过塑封工艺形成塑封体，且组成的构件包括有裸裸芯片一、裸芯片二、裸芯片三和阻容；
3、塑封基板；所述的塑封基板一端设有bga焊球，且塑封基板另一端的焊盘处通过金丝键合与温度控制及电流驱动模组里的部分构件连接。
4、在本实用新型的一个实施例中，所述裸芯片一、裸芯片二、裸芯片三通过导电胶粘接的方式固定至所述塑封基板的正面，而后均通过金丝键合连接至所述塑封基板的焊盘处。
5、在本实用新型的一个实施例中，所述阻容通过导电胶粘接的方式连接至所述塑封基板的正面。
6、在本实用新型的一个实施例中，所述裸芯片一、裸芯片二、裸芯片三数量均为一个。
7、在本实用新型的一个实施例中，sip器件在塑封后的体积为15mm*15mm*2.1mm。
8、本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：本实用新型所述的温度控制及电流驱动sip器件，通过系统封装集成技术，将轨到轨运算放大器芯片、温度控制器芯片及电源芯片封装在同一器件中，实现半导体激光器系统环境温度的调整以及对外的电流驱动功能，确保半导体激光器系统的稳定工作。本实用新型解决了现有温度控制及电流驱动系统整体结构大，无法满足系统高集成度、小型化、高可靠性要求的问题。
1.一种温度控制及电流驱动sip器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的温度控制及电流驱动sip器件，其特征在于：所述裸芯片一(101)、裸芯片二(102)、裸芯片三(103)通过导电胶粘接的方式固定至所述塑封基板(3)的正面，而后均通过金丝(5)键合连接至所述塑封基板(3)的焊盘处。
3.根据权利要求1所述的温度控制及电流驱动sip器件，其特征在于：所述阻容(104)通过导电胶粘接的方式连接至所述塑封基板(3)的正面。
4.根据权利要求2所述的温度控制及电流驱动sip器件，其特征在于：所述裸芯片一(101)、裸芯片二(102)、裸芯片三(103)数量均为一个。
5.根据权利要求1所述的温度控制及电流驱动sip器件，其特征在于：sip器件在塑封后的体积为15mm*15mm*2.1mm。
