本申请涉及激光装置,特别涉及一种光纤及激光器。
背景技术:
1、随着半导体激光器的功率不断增加,光纤中的包层光处理成为非常棘手的问题,包层光功率过高会导致光纤发热、光纤熔接点过热、合束器过热等问题。为了减少包层光,在相关技术中,会将光纤的包层腐蚀,从而包层光经过包层的腐蚀段时,会发生漫反射,进而包层光能够通过漫反射从包层中剥离。
2、然而,在实际应用中,腐蚀段靠近光纤输入端的部分会集中发生漫反射,而腐蚀段中远离光纤的输入端的部分发生漫反射少,这会导致腐蚀段靠近输入端部分的热量过大,长期使用的可靠性低。
技术实现思路
1、鉴于以上内容,有必要提供一种光纤及激光器,能够提升光纤的长期使用的可靠性。
2、第一方面,本申请提供一种光纤,所述光纤具有输入光的入射端,所述光纤包括纤芯及包覆所述纤芯的包层,所述包层形成有腐蚀段,所述腐蚀段包括依次连接的第一部分、第二部分及第三部分,所述第二部分位于所述第一部分与所述第二部分之间,所述第一部分位于所述第二部分靠近所述入射端的一侧,所述第一部分及所述第三部分的腐蚀深度范围为1μm-3μm,所述第二部分的腐蚀深度范围为3μm-6μm,且所述第二部分的腐蚀深度大于所述第一部分及所述第三部分的腐蚀深度。
3、上述实施例的光纤中,包层光在光纤内传输,当经过腐蚀段时会发生漫反射。由于第一部分及第三部分的腐蚀深度范围为1μm-3μm,第二部分的腐蚀深度范围为3-6μm,且第二部分的腐蚀深度大于第一部分及第三部分的腐蚀深度,腐蚀深度越大,漫反射发生就越强。因此,包层光发生漫反射会集中在第一部分及第二部分,能够有效地降低第一部分的温度,以便于提升光纤的长期使用的可靠性。另外,包层的平滑段中,与腐蚀段远离输入端的一端相接的点,由于是腐蚀与平滑过渡的交接点,会发生大量的漫反射,因此改点的热量高,通过设置第三部分,第三部分的温度低于第二部分的温度,从而与交接点连接处的腐蚀段的温度低,能够降低腐蚀段远离输入端的一端的热量聚集,减少出现腐蚀段局部过热的情况发生,以便于延长光纤长期使用的可靠性。
4、在一种可能的实现方式中,所述第一部分及所述第三部分的腐蚀深度一致。
5、在一种可能的实现方式中,所述第一部分及所述第三部分的腐蚀深度范围为2μm-3μm,所述第二部分的直径腐蚀范围为4μm-5μm。
6、在一种可能的实现方式中,所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分的长度一致。
7、在一种可能的实现方式中,所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分的长度均为15mm。
8、在一种可能的实现方式中,所述纤芯位于所述入射端处设有增透层。
9、第二方面,本申请提供一种激光器,包括泵浦源,所述激光器还包括光纤,所述泵浦源与所述光纤连接。
10、在一种可能的实现方式中,所述泵浦源包括壳体、激光芯片及光耦合组件,所述激光芯片及所述光耦合组件位于所述壳体内,所述激光芯片输出的光经过光耦合组件后射向光纤的输入端。
11、在一种可能的实现方式中,所述激光芯片为锑化物半导体激光芯片。
12、上述光纤及激光器中,光纤通过设置第一部分、第二部分及第三部分,能够让包层光集中在第一部分及第二部分处发生漫反射,从而减少包层光。通过设置第二部分的腐蚀深度大于第一部分及第三部分,能够增加包层光在第二部分处发生漫反射的,从而降低第一部分的温度,以便于提升光纤长期使用的可靠性。
1.一种光纤,所述光纤具有输入光的入射端,所述光纤包括纤芯及包覆所述纤芯的包层,其特征在于,所述包层形成有腐蚀段,所述腐蚀段包括依次连接的第一部分、第二部分及第三部分,所述第二部分位于所述第一部分与所述第二部分之间,所述第一部分位于所述第二部分靠近所述入射端的一侧,所述第一部分及所述第三部分的腐蚀深度范围为1μm-3μm,所述第二部分的腐蚀深度范围为3μm-6μm,且所述第二部分的腐蚀深度大于所述第一部分及所述第三部分的腐蚀深度。
2.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述第一部分及所述第三部分的腐蚀深度一致。
3.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述第一部分及所述第三部分的腐蚀深度范围为2μm-3μm,所述第二部分的直径腐蚀范围为4μm-5μm。
4.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分的长度一致。
5.根据权利要求4所述的光纤,其特征在于,所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分的长度均为15mm。
6.根据权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述纤芯位于所述入射端处设有增透层。
7.一种激光器,包括泵浦源,其特征在于,所述激光器还包括如权利要求1至6任一项所述的光纤,所述泵浦源与所述光纤连接。
8.根据权利要求7所述的激光器,其特征在于,所述泵浦源包括壳体、激光芯片及光耦合组件,所述激光芯片及所述光耦合组件位于所述壳体内,所述激光芯片输出的光经过光耦合组件后射向光纤的输入端。
9.根据权利要求8所述的激光器,其特征在于,所述激光芯片为锑化物半导体激光芯片。