本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术：
1、现有的gan基发光二极管中，在p型gan层与有源层之间插入p型algan层，作为电子阻挡层，以阻挡漏电流，提升发光性能。p型algan层由于与有源层势垒层的晶格差异，容易形成极化电场，导致电子阻挡层处的导带势垒高度降低，电子溢出。常用的解决方案是提升p型algan层中al组分的占比，但这也会导致对p型gan层的空穴难以注入多量子阱层，而对于gan材料而言，p型半导体层难以有效激活，空穴浓度低，若电子阻挡层再降低空穴注入多量子阱层的效率，则多量子阱层中电子、空穴浓度匹配程度会大幅降低，降低发光二极管的发光效率。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片及其制备方法，其可提升发光二极管的发光效率。
2、本发明还要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管，其发光效率高。
3、为了解决上述问题，本发明公开了一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层，所述电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的aln层和超晶格层；所述超晶格层包括交替层叠的alingan层和ingan层。
4、作为上述技术方案的改进，所述alingan层中al组分占比≤0.8，且所述alingan层中in组分占比大于所述ingan层中in组分占比，以使所述alingan层的晶格常数与所述ingan层的晶格常数之差
5、作为上述技术方案的改进，所述alingan层的禁带宽度大于所述ingan层的禁带宽度。
6、作为上述技术方案的改进，所述aln层的厚度≤15nm，且所述ingan层中in组分占比≥0.1。
7、作为上述技术方案的改进，所述ingan层为mg掺ingan层，其mg掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3。
8、作为上述技术方案的改进，所述aln层的厚度为5nm～50nm。
9、作为上述技术方案的改进，所述超晶格层的周期数为3～36；
10、所述alingan层中in组分占比为0.05～0.5，al组分占比为0.3～0.9，其厚度为0.5～2.8nm；
11、所述ingan层中in组分占比为0.05～0.4，其厚度为0.5nm～2.8nm。
12、相应的，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，其包括：
13、提供衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层；
14、所述电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的aln层和超晶格层；所述超晶格层包括交替层叠的alingan层和ingan层。
15、作为上述技术方案的改进，所述aln层的生长温度为920℃～1050℃，生长压力为30torr～260torr；和/或
16、所述alingan层的生长温度为920℃～1020℃，生长压力为30torr～300torr；
17、所述ingan层的生长温度为800℃～900℃，生长压力为20torr～260torr。
18、相应的，本发明还公开了一种发光二极管，其包括上述的发光二极管外延片。
19、实施本发明，具有如下有益效果：
20、1.本发明的发光二极管外延片中，电子阻挡层包括依次层叠的aln层和超晶格层；超晶格层包括交替层叠的alingan层和ingan层。其中，aln层的禁带宽度高，对电子的阻挡作用强。alingan层和ingan层的引入则可降低电子阻挡层整体受到的应力，显著减小电子阻挡层区域的能带弯曲现象，而且ingan层还可储存一定量的空穴，进而提升了空穴注入效率。也即，本发明的电子阻挡层不仅提升了对电子的阻挡作用，而且还提升了空穴注入效率，两者结合，有效提升了发光效率。
21、2.本发明的发光二极管外延片中，通过控制alingan层、ingan层中in组分和/或al组分，可使得alingan层和ingan层的晶格常数差别极小，不仅可进一步减小了电子阻挡层区域的能带弯曲，提升电子阻挡效率，而且可提升电子阻挡层整体的晶体质量。
22、3.本发明的发光二极管外延片中，通过控制aln层的厚度以及ingan层中in组分的占比，可使得aln层对空穴的阻挡大幅降低，进一步提升了空穴注入效率。
23、4.本发明的发光二极管外延片，在ingan层中掺杂了mg，其可作为空穴来源，提升空穴注入量；而且还可以提升空穴的运动速率，提升发光效率。
1.一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂gan层、n型gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p型gan层，其特征在于，所述电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的aln层和超晶格层；所述超晶格层包括交替层叠的alingan层和ingan层。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述alingan层中al组分占比≤0.8，且所述alingan层中in组分占比大于所述ingan层中in组分占比，以使所述alingan层的晶格常数与所述ingan层的晶格常数之差
3.如权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述alingan层的禁带宽度大于所述ingan层的禁带宽度。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述aln层的厚度≤15nm，且所述ingan层中in组分占比≥0.1。
5.如权利要求4所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述ingan层为mg掺ingan层，其mg掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3。
6.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述aln层的厚度为5nm～50nm。
7.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述超晶格层的周期数为3～36；
8.一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备如权利要求1～7任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述aln层的生长温度为920℃～1050℃，生长压力为30torr～260torr；和/或
10.一种发光二极管，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的发光二极管外延片。
