本公开涉及薄膜电池领域，更具体地涉及一种cdte薄膜电池曝光设备。
背景技术：
1、在cdte薄膜电池的制备工艺中，光刻胶曝光是极其重要的一道工序，光刻胶曝光一方面是将光刻胶的特性发生改变，在显影后留下p1线槽的光刻胶，其余区域的光刻胶被清除掉，p1线槽内的光刻胶起到绝缘的作用；另一方面，光刻胶可填充cdte薄膜表面的孔隙(孔隙会造成短路点)，降低载流子的复合率，提升薄膜电池的转换效率。
2、但由于cdte薄膜电池的曝光是底部向顶部曝光的方式，如图1所示，存在透过p1线槽内的uv点光源1'发射的uv光线经过cdte薄膜电池曝光设备100'的光罩3'(通常为不锈钢制成)的内表面31'反射到cdte薄膜表面的光刻胶200，经显影后，在cdte薄膜表面出现凸点，后续制备znte:cu、mon、mo、al、cr等膜层时，因znte:cu和mon等膜层本身属于脆性材质，在凸点处会出现断裂的现象，增加肖特基势垒的程度，降低cdte薄膜电池的转换效率。
3、此外，尽管通过将光罩3'往上移动足够远的距离可降低这种反射，但是这不仅会造成cdte薄膜电池曝光设备100'在上下方向上的尺寸增加、进而导致cdte薄膜电池曝光设备100'体积庞大，不利于cdte薄膜电池曝光设备100'的小型化，而且这种反射依然会存在，难以降低到凸点不影响后续膜层制备的程度、甚至难以彻底消除。
技术实现思路
1、鉴于背景技术中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种cdte薄膜电池曝光设备，其能够避免采用uv点光源发射的uv光线透过将要形成的p1线槽区域的光刻胶对cdte薄膜电池从下往上曝光时因反射光而在cdte薄膜表面的光刻胶上出现凸点的情况。
2、由此，一种cdte薄膜电池曝光设备用于uv点光源发射的uv光线透过将要形成的p1线槽区域的光刻胶对cdte薄膜电池从下往上曝光，cdte薄膜电池曝光设备包括uv点光源、凸透镜以及光罩；uv点光源位于凸透镜的下方且位于凸透镜的焦点上；凸透镜用于将uv点光源发出的光整形为与cdte薄膜电池垂直的从下往上发射的平行光以使平行光透过将要形成的p1线槽区域的光刻胶对cdte薄膜电池从下往上曝光；光罩位于凸透镜的上方，光罩和凸透镜用于使设置有光刻胶的cdte薄膜电池在上下方向上位于中间，光罩的面向凸透镜的内表面平行于cdte薄膜电池且与平行光垂直；光罩的面向凸透镜的内表面为镜面反射的表面。
3、本公开的有益效果如下：在本公开的cdte薄膜电池曝光设备中，通过凸透镜(即平凸透镜)用于将uv点光源发出的光整形为与cdte薄膜电池垂直的从下往上发射的平行光、光罩的面向凸透镜的内表面平行于cdte薄膜电池且与平行光垂直以及光罩的面向凸透镜的内表面为镜面反射的表面，使得透过将要形成的p1线槽区域的光刻胶的平行光从光罩的面向凸透镜的内表面在上下方向上垂直反射返回到要形成的p1线槽区域，而不会有光反射到覆盖cdte薄膜表面的光刻胶上，进而能够避免采用背景技术中uv点光源发射的uv光线透过将要形成的p1线槽区域的光刻胶对cdte薄膜电池从下往上曝光时因反射光而在cdte薄膜表面的光刻胶上出现凸点的情况。
1.一种cdte薄膜电池曝光设备，用于uv点光源发射的uv光线透过将要形成的p1线槽区域的光刻胶(200)对cdte薄膜电池(300)从下往上曝光，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的cdte薄膜电池曝光设备，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的cdte薄膜电池曝光设备，其特征在于，
