本技术实施例涉及一种集成电路封装。
背景技术：
1、半导体行业已归因于进行中的多种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度改良而经历快速发展。主要地，整合密度的改良源自于最小特征大小的反复减小，其允许较多组件整合至给定区域中。随着对于缩小的电子组件的需求增长，对于更小且更创造性的半导体管芯的封装技术的需要已出现。
技术实现思路
1、根据本实用新型的一实施例，一种集成电路封装包含：第一集成电路管芯，包含第一组件层及第一前侧互连结构，第一前侧互连结构包含内连第一组件层的第一组件的第一互连；第二集成电路管芯，包含第二组件层及第二前侧互连结构，第二前侧互连结构包含内连第二组件层的第二组件的第二互连；以及电力分配插入件，接合至第一集成电路管芯及第二集成电路管芯，电力分配插入件包含背侧互连结构，背侧互连结构包含连接至第一组件层的第一组件及第二组件层的第二组件的电力轨，电力轨的宽度大于第一互连的宽度且大于第二互连的宽度。
2、根据本实用新型的一实施例，一种集成电路封装包含：电力分配插入件，包含：第一接合层；第一管芯连接件，处于第一接合层中；以及背侧互连结构，包含连接至第一管芯连接件的电力轨；以及集成电路管芯，包含：第二接合层，藉由介电质对介电质接合直接接合至第一接合层；第二管芯连接件，处于第二接合层中，第二管芯连接件藉由金属对金属接合直接接合至第一管芯连接件；以及组件层，处于第二接合层上，组件层包含接点及晶体管，晶体管包含第一源极/漏极区，接点将第一源极/漏极区的背侧连接至第二管芯连接件。
1.一种集成电路封装，包括：
2.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述电力轨的所述宽度为所述第一互连的所述宽度的至少两倍且为所述第二互连的所述宽度的至少两倍。
3.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述背侧互连结构更包括连接至所述第一组件层的所述第一组件及所述第二组件层的所述第二组件的数据轨，所述数据轨的长度大于所述第一互连的长度且大于所述第二互连的长度。
4.如权利要求3所述的集成电路封装，其中所述电力轨的所述长度为所述第一互连的所述长度的至少两倍且为所述第二互连的所述长度的至少两倍。
5.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述第一集成电路管芯及所述第二集成电路管芯不含电力轨。
6.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述第一组件层安置于所述第一前侧互连结构与所述背侧互连结构之间，且所述第二组件层安置于所述第二前侧互连结构与所述背侧互连结构之间。
7.如权利要求1所述的集成电路封装，更包括：
8.如权利要求1所述的集成电路封装，其中所述第一集成电路管芯及所述第二集成电路管芯为晶片部分的一部分，所述晶片部分及所述电力分配插入件侧向地齐平。
9.一种集成电路封装，包括：
10.如权利要求9所述的集成电路封装，其中所述晶体管更包括第二源极/漏极区，且所述集成电路管芯更包括前侧互连结构，所述前侧互连结构包括连接至所述第二源极/漏极区的前侧的互连。
