本发明涉及流量传感器，尤其是指一种自清洁流量芯片的制作工艺。
背景技术：
1、热式流量传感器是一种基于热传感作用的流量传感器，可以用来测量气体和液体的流量。它主要包括热丝传感器、补偿电路、温度补偿电路和运算放大器等组成部分。
2、由于热式流量传感器具有精度高、响应速度快、不易受介质影响等优点，在多个领域得到了广泛应用。主要应用领域包括工业自动化、空气调节、汽车工业、医疗器械、机器人等。
3、现有流量芯片长时间使用后，测温元件敏感区域容易附着水汽及脏污，导致测量精度下降，需要定期清洁维护。
技术实现思路
1、为此，本发明提供一种自清洁流量芯片的制作工艺，实现对测温元件敏感区的自清洁处理，从而保证下次使用时的精度不受影响。
2、为解决上述技术问题，本发明提供一种自清洁流量芯片的制作工艺，包括：
3、提供衬底；
4、在所述衬底表面制作支撑结构层；
5、在所述支撑结构层表面制作铂薄膜层；
6、对所述铂薄膜层进行刻蚀，形成铂热电阻丝层；
7、在所述铂热电阻丝层上沉积一层第一氧化硅层；
8、在所述第一氧化硅层表面制作上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶以及中心热源；
9、沉积一层第二氧化硅层；
10、在所述第二氧化硅层表面制作上游测温元件热电堆上层热电偶和下游测温元件热电堆上层热电偶；
11、沉积一层第三氧化硅层，制作连接于所述上游测温元件热电堆下层热电偶的上游冷端连接导线、连接于所述上游测温元件热电堆下层热电偶和上游测温元件热电堆上层热电偶之间的上游热端连接导线、连接于所述下游测温元件热电堆下层热电偶的下游冷端连接导线、连接于所述下游测温元件热电堆下层热电偶和下游测温元件热电堆上层热电偶之间的下游热端连接导线、连接所述中心热源的中心热源导线以及连接所述铂热电阻丝层的上游电阻丝连接导线和下游电阻丝连接导线；
12、所述铂热电阻丝层分别形成于靠近上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶各自冷端下方。
13、在本发明的一种实施方式中，在所述衬底表面制作支撑结构层，其步骤包括：
14、通过低压化学气相沉积工艺在所述衬底表面依次沉积一层第一氧化硅支撑层、一层氮化硅支撑层和一层第二氧化硅支撑层。
15、在本发明的一种实施方式中，所述第一氧化硅支撑层的厚度在0.1~10μm；所述氮化硅支撑层的厚度在0.01~0.08μm；所述第二氧化硅支撑层的厚度在1~3μm。
16、在本发明的一种实施方式中，在所述支撑结构层表面制作铂薄膜层，其步骤包括：
17、通过磁控溅射工艺在所述支撑结构层表面溅射一层铂薄膜层。
18、在本发明的一种实施方式中，在所述磁控溅射工艺中，使用氮气作为保护气体，将真空度控制在1×10^-4pa，溅射速率0.32nm/min，处理电流为20ma。
19、在本发明的一种实施方式中，所述铂薄膜层的厚度在0.5~3μm。
20、在本发明的一种实施方式中，对所述铂薄膜层进行刻蚀，形成铂热电阻丝层，其步骤包括：
21、通过光刻掩膜版对所述铂薄膜层进行反应离子刻蚀，形成铂热电阻丝层。
22、在本发明的一种实施方式中，在所述反应离子刻蚀过程中，在混合气体包括氯气、氦气和氩气下完成所述铂热电阻丝层的图案转移，其中，氦气和氩气作为辅助气体，氯气为主要刻蚀气体，对所述铂薄膜层的刻蚀速率为10nm/min。
23、在本发明的一种实施方式中，在反应离子刻蚀过程中，满足以下条件：射频电源功率为1000w，氦气流量为1~5sccm，氩气流量为10~30sccm，氯气流量为10~30sccm。
24、在本发明的一种实施方式中，所述铂热电阻丝层呈蛇形。
25、本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
26、本发明所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，通过在第一氧化硅层上部、测温元件功能层下部设计铂热电阻丝层，能够在每次使用完成后进行高压供电，实现对测温元件敏感区的自清洁处理，从而保证下次使用时的精度不受影响。
1.一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，在所述衬底（1）表面制作支撑结构层，其步骤包括：
3.根据权利要求2所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，所述第一氧化硅支撑层（2）的厚度在0.1~10μm；所述氮化硅支撑层（3）的厚度在0.01~0.08μm；所述第二氧化硅支撑层（4）的厚度在1~3μm。
4.根据权利要求1所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，在所述支撑结构层表面制作铂薄膜层，其步骤包括：
5.根据权利要求4所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，在所述磁控溅射工艺中，使用氮气作为保护气体，将真空度控制在1×10^-4pa，溅射速率0.32nm/min，处理电流为20ma。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，所述铂薄膜层的厚度在0.5~3μm。
7.根据权利要求1所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，对所述铂薄膜层进行刻蚀，形成铂热电阻丝层（5），其步骤包括：
8.根据权利要求7所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，在反应离子刻蚀过程中，在混合气体包括氯气、氦气和氩气下完成所述铂热电阻丝层（5）的图案转移，其中，氦气和氩气作为辅助气体，氯气为主要刻蚀气体，对所述铂薄膜层的刻蚀速率为10nm/min。
9.根据权利要求7或8所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，在反应离子刻蚀过程中，满足以下条件：射频电源功率为1000w，氦气流量为1~5sccm，氩气流量为10~30sccm，氯气流量为10~30sccm。
10.根据权利要求1所述的一种自清洁流量芯片的制作工艺，其特征在于，所述铂热电阻丝层（5）呈蛇形。
