本申请涉及集成电路领域，特别是涉及一种sdb隔离测试结构的生成方法、sdb隔离测试结构和存储介质。
背景技术：
1、在14nm及以下的先进集成电路工艺中，单扩散中断（sdb，single diffusionbreak）是一种用于在同一个有源区上隔离两个相邻器件的工艺流程技术，对于进一步提高超深纳米集成电路的面积利用率和集成度具有重要作用。sdb常用于标准单元中，用于进一步减少标准单元尺寸。但是sdb技术可能带来的功率泄露和延迟改变也是标准单元不容忽视的问题，会对由标准单元构成的数字电路性能造成影响。
2、相关技术中通过在版图中，选定若干区域、保留其前中段设计，并自动生成金属线m1来形成测试结构，能够实现对sdb隔离效果的测试，并能对sdb隔离部分进行大批量分组采样测试，便于后续绕线组成完整的测试芯片，有利于生产和设计的优化，但是并未考虑到生成的测试结构失效，导致定位不准确以及存在干扰回路，进而导致测试不准确的问题。
3、针对相关技术中存在测试sdb隔离效果的测试结果不准确的问题，目前还没有提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、在本实施例中提供了一种sdb隔离测试结构的生成方法、sdb测试结构和存储介质，以解决相关技术中测试sdb隔离效果的测试结果不准确的问题。
2、第一个方面，在本实施例中提供了一种sdb隔离测试结构的生成方法，所述方法包括：
3、获取版图的目标区域；
4、根据预设的sdb隔离测试结构的失效类型，识别所述目标区域中的有效sdb和目标衬底；
5、将所述目标衬底连出，生成衬底端口；
6、排除所述有效sdb中的漏电风险sdb，得到目标有效sdb；
7、将所述目标有效sdb两侧的源漏区域分别接出，生成源极端口和漏极端口；
8、将所述衬底端口、所述源极端口和所述漏极端口作为所述目标区域的sdb隔离测试结构的测试引脚，即生成所述目标区域的sdb隔离测试结构。
9、在其中的一些实施例中，所述将所述目标有效sdb两侧的源漏区域分别接出，生成源极端口和漏极端口，包括：
10、将多个所述目标有效sdb的一侧的源漏区域接出连接到同一个源极端口，将多个所述目标有效sdb的另一侧的源漏区域接出连接到同一个漏极端口，实现将多个所述目标有效sdb并联，生成梳状的sdb隔离测试结构。
11、在其中的一些实施例中，所述获取版图的目标区域，包括：
12、在所述版图的标准单元库区域内选定目标区域，即作为所述sdb隔离效果的待测试区域。
13、在其中的一些实施例中，所述在所述版图的标准单元库区域内选定目标区域，包括：
14、在所述版图的标准单元库区域内选定目标范围，并将所述目标范围内缩预设尺寸，得到目标区域。
15、在其中的一些实施例中，所述根据预设的sdb隔离测试结构的失效类型，识别所述目标区域中的有效sdb和目标衬底，包括：
16、获取预设的sdb隔离测试结构的失效类型参数，包括所述目标区域的有源区类型和阈值电压类型；
17、根据所述sdb隔离测试结构的失效类型参数，从所述目标区域的待检测sdb和衬底区域中分别筛选出有效sdb和目标衬底；
18、其中，所述待检测sdb是指sdb和有源区的重叠区域，且所述重叠区域的两侧都与掺杂有源区有接触。
19、在其中的一些实施例中，所述将所述目标衬底连出，生成衬底端口，包括：
20、将多个所述目标衬底分别通过金属线、通孔接出，连接到一起作为衬底端口。
21、在其中的一些实施例中，所述排除所述有效sdb中的漏电风险sdb，得到目标有效sdb，包括：
22、筛选出与非法有源区接触的所述有效sdb，作为漏电风险sdb并从所述有效sdb中排除，得到目标有效sdb；
23、其中，所述非法有源区是指存在漏电路径的掺杂有源区。
24、在其中的一些实施例中，所述筛选出与非法有源区接触的所述有效sdb，包括：
25、所述非法有源区包括接触非法金属线的掺杂有源区；
26、其中，所述非法金属线是指与n型掺杂有源区和p型掺杂有源区都有接触的金属线。
27、在其中的一些实施例中，所述筛选出与非法有源区接触的所述有效sdb，包括：
28、将与所述有效sdb有接触的掺杂有源区，以及和所述掺杂有源区有接触的金属线定为判定区域；
29、设定第一特征和第二特征，分别为所述判定区域赋予第一特征或第二特征：相邻两个所述判定区域具有不同的特征，但当至少两个判定区域通过连接有源区的金属线连接，则设定所述至少两个判定区域具有相同的特征；
30、将一个所述有效sdb两侧具有相同特征的掺杂有源区确定为非法有源区，即筛选出两侧的掺杂有源区的特征相同的所述有效sdb。
31、在其中的一些实施例中，将所述目标有效sdb两侧的源漏区域分别接出，生成源极端口和漏极端口，包括：
32、将所述目标有效sdb两侧接触的源漏区域分别通过金属线、通孔接出，并通过金属线至标准单元库区域的电源走线位置处；
33、将所述具有第一特征的源漏区域通过金属线延伸至所述标准单元库的上端电源走线位置，生成源极端口或者漏极端口；
34、将所述具有第二特征的源漏区域通过金属线延伸至所述标准单元库的下端电源走线位置，生成漏极端口或者源极端口。
35、第二个方面，在本实施例中提供了一种sdb隔离测试结构，该sdb隔离测试结构利用第一方面所述的sdb隔离测试结构的生成方法实现生成。
36、第三个方面，在本实施例中提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现第一方面所述的sdb隔离测试结构的生成方法的步骤。与相关技术相比，在本实施例中提供的一种sdb隔离测试结构的生成方法，获取版图的目标区域；根据预设的sdb隔离测试结构的失效类型，识别目标区域中的有效sdb和目标衬底；将目标衬底连出，生成衬底端口；排除有效sdb中的漏电风险sdb，得到目标有效sdb；将目标有效sdb两侧的源漏区域分别接出，生成源极端口和漏极端口；将衬底端口、源极端口和漏极端口作为目标区域的sdb隔离测试结构的测试引脚，即生成目标区域的sdb隔离测试结构。通过排除漏电回路，排除在sdb隔离效果测试中的干扰回路，进而解决了sdb隔离效果检测的测试结构失效导致定位不准确的问题，进而提高了sdb隔离效果检测的准确性。
37、本申请的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
1.一种sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，所述将所述目标有效sdb两侧的源漏区域分别接出，生成源极端口和漏极端口，包括：
3.根据权利要求1所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，所述获取版图的目标区域，包括：
4.根据权利要求3所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，在所述版图的标准单元库区域内选定目标区域，包括：
5.根据权利要求1所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，所述根据预设的sdb隔离测试结构的失效类型，识别所述目标区域中的有效sdb和目标衬底，包括：
6.根据权利要求1所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，所述将所述目标衬底连出，生成衬底端口，包括：
7.根据权利要求1所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，所述排除所述有效sdb中的漏电风险sdb，得到目标有效sdb，包括：
8.根据权利要求7所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，所述筛选出与非法有源区接触的所述有效sdb，包括：
9.根据权利要求8所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，所述筛选出与非法有源区接触的所述有效sdb，包括：
10.根据权利要求9所述的sdb隔离测试结构的生成方法，其特征在于，将所述目标有效sdb两侧的源漏区域分别接出，生成源极端口和漏极端口，包括：
11.一种sdb隔离测试结构，其特征在于，利用权利要求1至权利要求10中任一项所述的sdb隔离测试结构的生成方法实现生成。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至权利要求10中任一项所述的sdb隔离测试结构的生成方法的步骤。
