半导体废气处理设备的制作方法

专利检索2025-05-20  15


本技术涉及废气处理,尤其涉及一种半导体废气处理设备。


背景技术:

1、在半导体制造生产过程中,生产环节会生产大量工艺有害废气,有害废气处理是生产过程中不可缺少的环节。现有技术中提供一种电加热设备,废气管路设置在盖体中心,多个加热器环绕盖体中心的废气管路设置并伸入反应腔内,有害废气通过位于盖体中心的废气管路进入反应腔,通过加热器加热有害废气,以使得有害废气在反应腔内发生反应,从而实现对废气处理的目的。

2、然而现有技术中多个加热器分散在废气管路的四周,废气通过盖体中心的废气管路进入反应腔内后,反应腔中间温度较低,四周温度较高,废气受热不均,造成废气处理效率低下,影响了生产效率。


技术实现思路

1、本实用新型提供一种半导体废气处理设备,用以解决上述技术问题中的至少一项技术缺陷,可以使得废气进入反应腔内后,受热均匀,从而提高废气处理效率,提高生产效率。

2、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,包括:

3、设备本体;

4、盖体,盖设于所述设备本体,并与所述设备本体围设出反应腔,所述盖体连接有废气管路和辅助气体管路;

5、一个加热器,设于所述盖体的中心,并伸入所述反应腔。

6、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,所述盖体设有安装孔,一个所述加热器螺纹连接于所述安装孔。

7、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,一个所述加热器设置有第一法兰,所述盖体设置有第二法兰,所述第一法兰可拆卸连接于所述第二法兰。

8、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,所述废气管路设有至少两个,至少两个所述废气管路环绕设置在所述加热器的圆周方向。

9、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,每个所述废气管路包括相互连接的第一管段和第二管段,所述第一管段和所述第二管段之间互呈夹角设置;

10、所述第一管段穿设于所述盖体,所述第二管段位于所述反应腔。

11、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,所述第一管段和所述第二管段之间的夹角大于90°,且所述第一管段和所述第二管段之间的夹角小于180°。

12、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,所述半导体废气处理设备还包括刮刀组件,所述刮刀组件沿所述设备本体的轴向环绕设置在所述反应腔的内壁。

13、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,所述刮刀组件包括刮刀本体,所述刮刀本体呈螺旋状,所述刮刀本体转动设置于所述设备本体。

14、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,所述刮刀组件还包括驱动件,所述驱动件设于所述设备本体,所述驱动件与所述刮刀本体传动连接,用于驱动所述刮刀本体进行旋转。

15、根据本实用新型提供一种半导体废气处理设备,所述废气管路设有流量控制阀;

16、所述反应腔设置有温度传感器。

17、本实用新型提供一种半导体废气处理设备,通过在设备本体上盖设盖体,这样,即可通过中空的设备本体和盖体围成一个反应腔,以提供废气处理的反应环境;另外,在盖体上连接废气管路和辅助气体管路,即可将废气和辅助气体导入反应腔内,为废气反应提供合适的气体环境,进一步地在盖体中心设置一个加热器并令其深入反应腔内,这样,由于加热器是从盖体中心穿入至反应腔,加热器的轴线与反应腔的中心线重合,通过一个加热器工作,热量由反应腔中心向反应腔四周均匀传递,即可实现对反应腔内的混合气体均匀加热,为废气处理提供均匀的加热环境,进而可以提高反应效率。

18、相比于现有技术,本实用新型提提供的一种半导体废气处理设备,通过设置一个加热器,将设备本体小型化,能够减少设备复杂程度。令废气管路环绕设置在一个加热器的周围,将加热器布设在盖体中心,这样,废气通过废气管路进入反应腔后,废气均匀环绕在一个加热器周围,废气可以被均匀加热,从而提高了废气的处理效率,提高了生产效率。另外,由于装置简单可移动,这样,便于维护且可以根据实际空间进行合理放置该半导体废气处理设备,从而提高空间利用率。



技术特征:

1.一种半导体废气处理设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备,其特征在于,所述盖体设有安装孔,一个所述加热器螺纹连接于所述安装孔。

3.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备,其特征在于,一个所述加热器设置有第一法兰,所述盖体设置有第二法兰,所述第一法兰可拆卸连接于所述第二法兰。

4.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备,其特征在于,所述废气管路设有至少两个,至少两个所述废气管路环绕设置在所述加热器的圆周方向。

5.根据权利要求4所述的半导体废气处理设备,其特征在于,每个所述废气管路包括相互连接的第一管段和第二管段,所述第一管段和所述第二管段之间互呈夹角设置;

6.根据权利要求5所述的半导体废气处理设备,其特征在于,所述第一管段和所述第二管段之间的夹角大于90°,且所述第一管段和所述第二管段之间的夹角小于180°。

7.根据权利要求1至6任一项所述的半导体废气处理设备,其特征在于,所述半导体废气处理设备还包括刮刀组件,所述刮刀组件沿所述设备本体的轴向环绕设置在所述反应腔的内壁。

8.根据权利要求7所述的半导体废气处理设备,其特征在于,所述刮刀组件包括刮刀本体,所述刮刀本体呈螺旋状,所述刮刀本体转动设置于所述设备本体。

9.根据权利要求8所述的半导体废气处理设备,其特征在于,所述刮刀组件还包括驱动件,所述驱动件设于所述设备本体,所述驱动件与所述刮刀本体传动连接,用于驱动所述刮刀本体进行旋转。

10.根据权利要求1至6任一项所述的半导体废气处理设备,其特征在于,所述废气管路设有流量控制阀;


技术总结
本技术涉及半导体废气处理装置技术领域,提供一种半导体废气处理设备,包括设备本体、盖体和一个加热器,盖体盖设于所述设备本体,并与所述设备本体围设出反应腔,所述盖体连接有废气管路和辅助气体管路;一个加热器,设于所述盖体的中心,并伸入所述反应腔。本技术提供的半导体废气处理设备,通过在盖体中心设置一个加热器并令其深入反应腔,在盖体上连接废气管路和辅助气体管路,将废气和辅助气体导入反应腔内,由于加热器的轴线与反应腔的中心线重合,通过一个加热器工作,热量由反应腔中心向反应腔四周均匀传递,即可保证反应腔内温度均匀,对反应腔内的废气均匀加热,为废气处理提供均匀的加热环境,进而可以提高反应效率。

技术研发人员:张昱翀,石天宇
受保护的技术使用者:北京京仪自动化装备技术股份有限公司
技术研发日:20231011
技术公布日:2024/5/29
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